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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>

存儲技術(shù)

提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。

長鑫存儲首款國產(chǎn)LPDDR5,推動產(chǎn)業(yè)跨入LPDDR5領(lǐng)域

 相比上一代LPDDR4,長鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%,達(dá)到12Gb和6400Mbps,并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場角度來看,LPDDR5芯片能夠?yàn)橐苿与娮釉O(shè)備帶來更快的速度和更低的功耗...

2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM封裝技術(shù)數(shù)據(jù)安全長鑫存儲LPDDR5 2692

長鑫存儲推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲芯片

長鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝,這是長鑫存儲首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。...

2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片長鑫存儲LPDDR5 2910

基于玻璃的歸檔存儲新方法

寫入驅(qū)動器為全機(jī)架大小,可同時(shí)對多張盤片進(jìn)行寫入;包含多個(gè)驅(qū)動器的讀取驅(qū)動器機(jī)架也采用相同設(shè)計(jì)。讀寫驅(qū)動器機(jī)架都需要配備冷卻、電源和網(wǎng)絡(luò)連接。...

2023-11-29 標(biāo)簽:微軟驅(qū)動器機(jī)器人LDPC 1032

佰維高效穩(wěn)定、高可靠存儲,賦能安全監(jiān)控

佰維高效穩(wěn)定、高可靠存儲,賦能安全監(jiān)控

根據(jù)Mordor Intelligence調(diào)研數(shù)據(jù),2023年全球視頻監(jiān)控系統(tǒng)市場規(guī)模將達(dá)727.9億美元,2023-2028年將以12.22%的復(fù)合年增長率增長。NVR、DVR、IP Camera等安防監(jiān)控設(shè)備須365天、7x24小時(shí)持續(xù)工作,并適應(yīng)振動...

2023-11-28 標(biāo)簽:佰維 922

淺談DRAM的常用封裝技術(shù)

淺談DRAM的常用封裝技術(shù)

目前,AI服務(wù)器對HBM(高帶寬內(nèi)存)的需求量越來越大,因?yàn)镠BM大大縮短了走線距離,從而大幅提升了AI處理器運(yùn)算速度。HBM經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品,包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3,最新的HBM3e剛出樣品。...

2023-11-28 標(biāo)簽:DRAM封裝技術(shù)存儲芯片AI處理器AI服務(wù)器 3366

英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成

英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成

HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出,具有針對英偉達(dá)和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動下,HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯芯片(基礎(chǔ)芯片)首次使用 12 納米工藝晶圓,由代...

2023-11-28 標(biāo)簽:存儲芯片Nand flash英偉達(dá)emmcHBMHBM3HBM3E 1123

存儲器到外設(shè)DMA動態(tài)訪問技術(shù)

 存儲器到外設(shè)數(shù)據(jù)復(fù)制的一個(gè)例子是大量數(shù)據(jù)應(yīng)該通過通信外設(shè)(例如UART)傳輸?shù)那闆r;如果沒有DMA,CPU將需要在傳輸數(shù)據(jù)時(shí)進(jìn)行“阻塞”(通常傳輸速度相對較慢,取決于通信協(xié)議的速度...

2023-11-27 標(biāo)簽:通信協(xié)議存儲器cpuuartdma 1383

關(guān)于可移動計(jì)算機(jī)存儲器SD卡介紹

關(guān)于可移動計(jì)算機(jī)存儲器SD卡介紹

SD卡類似于MMC卡(實(shí)際上是從MMC卡衍生而來的),但是SD卡略厚(2.1毫米對MMC的1.4毫米),并被開發(fā)為添加DRM(數(shù)字版權(quán)管理)功能以打擊音樂盜版。一般來說,SD卡向后兼容MMC卡,這意味著MM...

2023-11-27 標(biāo)簽:微控制器mcuSD卡SPImcuSD卡SPI微控制器移動存儲器 1781

Vsan數(shù)據(jù)恢復(fù)—vSAN邏輯架構(gòu)故障導(dǎo)致存儲關(guān)機(jī)重啟的數(shù)據(jù)恢復(fù)案例

  一臺存儲采用了VSAN分布式存儲架構(gòu),存儲內(nèi)共有24塊硬盤存儲數(shù)據(jù)。...

2023-11-27 標(biāo)簽:硬盤服務(wù)器數(shù)據(jù)恢復(fù) 1193

FORESEE兩款存儲卡通過樹莓派AVL認(rèn)證,兼容性再上新高度

FORESEE兩款存儲卡通過樹莓派AVL認(rèn)證,兼容性再上新高度

近日,F(xiàn)ORESEEEPLUS系列microSD與工規(guī)級microSD兩款產(chǎn)品正式通過樹莓派微型計(jì)算機(jī)(RaspberryPicomputers)AVL認(rèn)證,標(biāo)志著FORESEE移動存儲產(chǎn)品線在平臺兼容性上取得了新的突破。(樹莓派AVL認(rèn)證)樹莓派...

2023-11-25 標(biāo)簽:存儲卡SDFORESEE 1379

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%,而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預(yù)計(jì)將持續(xù)至2024年第1季度。...

2023-11-24 標(biāo)簽:DRAMNANDHBMDDR5HBM3HBM3E 2013

江波龍F(tuán)ORESEE兩款存儲卡通過樹莓派AVL認(rèn)證,兼容性再上新高度

江波龍F(tuán)ORESEE兩款存儲卡通過樹莓派AVL認(rèn)證,兼容性再上新高度

近日,F(xiàn)ORESEE EPLUS系列microSD與工規(guī)級microSD兩款產(chǎn)品正式通過樹莓派微型計(jì)算機(jī)(Raspberry Pi computers)AVL認(rèn)證,標(biāo)志著FORESEE移動存儲產(chǎn)品線在平臺兼容性上取得了新的突破。 (樹莓派AVL認(rèn)證) ?...

2023-11-24 標(biāo)簽:江波龍 975

美光率先為業(yè)界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量 RDIMM 內(nèi)存

美光率先為業(yè)界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量

美光基于 1β 先進(jìn)制程的 ?DRAM ?速率高達(dá) ?8,000 MT/s,為生成式 ?AI ?等內(nèi)存密集型應(yīng)用提供更出色的解決方案 2023 年 11 月 22 日,中國上海 —— Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯...

2023-11-24 標(biāo)簽:美光 2460

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的誕生

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的誕生

Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁壘,對提升電子設(shè)備性能至關(guān)重要,包括移動電話和其他邊緣設(shè)備。...

2023-11-24 標(biāo)簽:DRAM電子設(shè)備EUVLPDDR5 1321

【MCU】SD NAND芯片之國產(chǎn)新選擇

【MCU】SD NAND芯片之國產(chǎn)新選擇

文章目錄前言傳統(tǒng)SD卡和可貼片SD卡傳統(tǒng)SD卡可貼片SD卡實(shí)際使用總結(jié)前言隨著目前時(shí)代的快速發(fā)展,即使是使用MCU的項(xiàng)目上也經(jīng)常有大數(shù)據(jù)存儲的需求。可以看到經(jīng)常有小伙伴這樣提問:大家好...

2023-11-23 標(biāo)簽:存儲內(nèi)存SD卡TF卡SD卡TF卡內(nèi)存存儲 1524

中國大陸主要存儲廠商2023Q3及前三季度業(yè)績情況

中國大陸主要存儲廠商2023Q3及前三季度業(yè)績情況

三星電子在2023Q3實(shí)現(xiàn)營收為504.58億美元,環(huán)比增長12.32%,同比下降12.22%。凈利潤為41.17億美元,環(huán)比增長255.52%,同比下滑39.85%。三星電子表示,伴隨存儲全行業(yè)的減產(chǎn),行業(yè)觸底意識不斷增強(qiáng),...

2023-11-22 標(biāo)簽:DRAM三星電子cpuHBMDDR5 1563

ReRAM能否取代NOR?

ReRAM能否取代NOR?

“與MRAM相比,ReRAM有兩個(gè)主要優(yōu)勢——工藝簡單和更寬的讀取窗口,”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的堆疊,所有這些都需要非常精確地控制,才能形成匹配的晶體蛋...

2023-11-22 標(biāo)簽:存儲器晶體管MRAMreram內(nèi)存技術(shù) 1831

淺析DRAM測試和檢查設(shè)計(jì)方案

淺析DRAM測試和檢查設(shè)計(jì)方案

 DRAM測試發(fā)生在晶圓探針和封裝測試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動了測試流程,包括ATE要求和相關(guān)測試內(nèi)容。...

2023-11-22 標(biāo)簽:控制器DRAM晶圓內(nèi)存芯片芯片封裝 9544

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜?

DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜?

芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也有成熟的工藝,而且比SRAM便宜得多。Objective An...

2023-11-22 標(biāo)簽:DRAMsram數(shù)據(jù)中心芯片制造HBM 2152

DDR3芯片價(jià)格短線急漲近一成?

法人指出,標(biāo)準(zhǔn)型DRAM與NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導(dǎo),臺廠在芯片制造端無法與其抗衡,僅模組廠有望以低價(jià)庫存優(yōu)勢搭上DRAM與NAND芯片市況反彈列車...

2023-11-22 標(biāo)簽:DDR3AI芯片制造Nand flashMCP 948

RAM和NAND再遇強(qiáng)敵, MRAM被大廠看好的未來之星

RAM和NAND再遇強(qiáng)敵, MRAM被大廠看好的未來之星

目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。...

2023-11-22 標(biāo)簽:NANDRAM人工智能機(jī)器學(xué)習(xí)MRAM 1256

平頭哥SSD主控芯片鎮(zhèn)岳510性能分析

平頭哥SSD主控芯片鎮(zhèn)岳510性能分析

鎮(zhèn)岳510芯片還針對云計(jì)算場景進(jìn)行了深度優(yōu)化,芯片與云存儲軟件系統(tǒng)緊密融合協(xié)作,有效降低數(shù)據(jù)讀寫的延時(shí),為系統(tǒng)帶來了更高的性能。例如,鎮(zhèn)岳510在支持NVMe的隊(duì)列級調(diào)度機(jī)制的同時(shí),...

2023-11-22 標(biāo)簽:芯片云計(jì)算SSD主控芯片平頭哥 2151

三季度智能手機(jī)需求反彈 NAND明年將現(xiàn)缺貨潮

三季度智能手機(jī)需求反彈 NAND明年將現(xiàn)缺貨潮

2023年第三季度全球智能手機(jī)出貨量約為2.90億部,同比下降約1.6%,中國大陸市場出貨量約為6640萬部,同比下降約1.8%,不管是全球還是中國大陸市場,需求均持續(xù)向好,季度同比降幅持續(xù)收窄,...

2023-11-22 標(biāo)簽:智能手機(jī)閃存NANDNand flash 1078

云視頻存儲是什么_如何工作_有何優(yōu)勢

云存儲,顧名思義,就是將監(jiān)控錄像存儲在云端的一種方法。與傳統(tǒng)的閉路電視系統(tǒng)不同,在云中存儲錄像的現(xiàn)代監(jiān)控系統(tǒng)為組織提供了一種簡單的方法來擴(kuò)展視頻存儲以滿足保留要求。云攝像...

2023-11-21 標(biāo)簽:云存儲云視頻 4236

簡單介紹全球前五大存儲廠商

簡單介紹全球前五大存儲廠商

主流存儲芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同,DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲,存儲晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高,各晶圓廠同代產(chǎn)品在容量、帶寬、穩(wěn)定性等...

2023-11-21 標(biāo)簽:DRAM存儲器存儲芯片西部數(shù)據(jù)3d nand 7547

淺析SAN存儲層面的信創(chuàng)轉(zhuǎn)型與架構(gòu)升級方案

淺析SAN存儲層面的信創(chuàng)轉(zhuǎn)型與架構(gòu)升級方案

SAN 存儲的轉(zhuǎn)型,不僅涉及存儲本身,還涉及光纖交換機(jī),業(yè)內(nèi)目前還沒有很好的替代,目前只能以 IP SAN 模式為主,配合高速的以太網(wǎng)并引入 NVMe-oF 技術(shù)后,才能有效降低鏈路的訪問延遲;如上...

2023-11-21 標(biāo)簽:控制器cpuSAN存儲服務(wù)器 1703

佰維工規(guī)級eMMC嵌入式存儲  為電力行業(yè)提供可靠解決方案

佰維工規(guī)級eMMC嵌入式存儲 為電力行業(yè)提供可靠解決方案

在數(shù)字化浪潮的推動下,智能電力設(shè)備的應(yīng)用愈發(fā)普及。其中,電力監(jiān)測網(wǎng)關(guān)作為現(xiàn)代電力系統(tǒng)中的核心環(huán)節(jié),通過數(shù)據(jù)采集、傳輸與分析,實(shí)時(shí)監(jiān)控供電系統(tǒng)的運(yùn)行狀況,為電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)...

2023-11-20 標(biāo)簽:佰維存儲 1189

新型先進(jìn)移動芯片LPDDR5T開始供貨

“LPDDR5T是最大限度發(fā)揮智能手機(jī)性能的最佳內(nèi)存。我們將繼續(xù)擴(kuò)大該產(chǎn)品的應(yīng)用范圍,引領(lǐng)移動DRAM領(lǐng)域的換代。”SK海力士在一份聲明中表示。隨著JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程進(jìn)入最后...

2023-11-20 標(biāo)簽:DRAM服務(wù)器芯片制造人工智能SK海力士 1713

三星和SK海力士差距在哪里?

238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片,生產(chǎn)效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度為每秒 2.4Gb,號稱比上一代的速度快 50%,并且改善了約 20% 的讀寫性能。...

2023-11-20 標(biāo)簽:閃存NAND存儲芯片SK海力士三星 1682

簡單認(rèn)識雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器

簡單認(rèn)識雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器

在同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)的工作模式中,以數(shù)據(jù)讀取速率來分類,有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate, DDR) SDRAM 和四倍數(shù)據(jù)速率 ( Quad Data Rate, QDR)SDRAM,...

2023-11-20 標(biāo)簽:SDRAM存儲器DDRDDR2隨機(jī)存取存儲器 2243

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