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存儲(chǔ)技術(shù)
提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
在組相聯(lián)cache中，用于替換cache line的算法有哪些？
LRU(Least Recently Used)算法：該算法會(huì)跟蹤每個(gè)cache line的age(年齡)情況，并在需要時(shí)替換掉近期最少使用的cache line。...
2023-10-08 標(biāo)簽：處理器存儲(chǔ)器狀態(tài)機(jī)cache技術(shù)cache技術(shù)SMP處理器存儲(chǔ)器狀態(tài)機(jī) 1779
為什么GPU獲得了如此多的緩存？
不久之前，如果您想要一個(gè)內(nèi)置大量緩存的處理器，那么 CPU 是顯而易見的選擇?，F(xiàn)在，即使是預(yù)算級(jí) GPU 也比幾年前的高端 CPU 配備了更多的內(nèi)存。...
2023-10-07 標(biāo)簽：處理器DRAM晶體管SSD隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4403
RIFF文件格式簡(jiǎn)介
RIFF（Resources Interchange File Format）中文翻譯為資源互換文件格式，是Windows下大部分多媒體文件遵循的一種文件結(jié)構(gòu)。...
SK hynix的“內(nèi)存中心計(jì)算”系統(tǒng)介紹
SK hynix面臨的問題是這樣的：生成式人工智能推理的成本非常高昂，不僅僅涉及到人工智能計(jì)算，還包括功耗、互聯(lián)和內(nèi)存，這些因素也在很大程度上推動(dòng)了成本的增加。...
2023-10-07 標(biāo)簽：內(nèi)存人工智能SK hynixTransformer人工智能內(nèi)存 1388
深度解析三星內(nèi)存處理技術(shù)（PIM）
在Hot Chips 2023上，三星展示了內(nèi)存技術(shù)，內(nèi)存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。...
2023-10-07 標(biāo)簽：cpuAI內(nèi)存技術(shù)三星AIcpu三星內(nèi)存處理器內(nèi)存技術(shù) 2726
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128可用于制造程序監(jiān)控
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代...
2023-10-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器監(jiān)控系統(tǒng)鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 1297
如何進(jìn)行AUTOSAR架構(gòu)下的OS錯(cuò)誤處理？
OS的Error類型分為三類，Application Errors, Protection Errors, Kernel Errors, 每種Errors產(chǎn)生的原因及產(chǎn)生Error后OS執(zhí)行的動(dòng)作都不相同...
2023-10-07 標(biāo)簽：RAMSCRAUTOSAR易失性存儲(chǔ)器AUTOSARRAMSBCSCR易失性存儲(chǔ)器 9440
如何FPGA內(nèi)部的RAM進(jìn)行讀改寫操作
存儲(chǔ)器是FPGA設(shè)計(jì)中的常用單元，對(duì)存儲(chǔ)器的操作，最基礎(chǔ)的就是讀寫操作，還有一種就是讀改寫操作，即先讀出存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)，對(duì)其進(jìn)行修改后，再寫入存儲(chǔ)器。這樣的操作其實(shí)在大多數(shù)情...
2023-09-28 標(biāo)簽：FPGAFPGA設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器RAM 3845
raid卡的概念，raid技術(shù)有什么用
都已經(jīng)2023年了，小編不希望有人還不知道raid卡的概念，raid技術(shù)有什么用，今天給大家簡(jiǎn)單科普一下關(guān)于raid卡的知識(shí)點(diǎn)。...
2023-09-28 標(biāo)簽：計(jì)算機(jī)主板RAID卡主板計(jì)算機(jī) 4699
rt-thread studio新建gd32f450工程
rt-thread studio 軟件版本是：2.2.6；開發(fā)板的軟件包是：GD32450Z-GD-EVAL版本是V1.0.1；開發(fā)板使用兆易的官方開發(fā)板GD32F450ZKT6。...
2023-09-28 標(biāo)簽：RAMRT-Thread系統(tǒng)時(shí)鐘GD32F450RAMRT-ThreadSDRAM控制器系統(tǒng)時(shí)鐘 3048
GMIF2023 | 佰維存儲(chǔ)：深化研發(fā)封測(cè)一體化布局 筑牢產(chǎn)品力護(hù)城河
9月22日，GMIF2023全球存儲(chǔ)器創(chuàng)新論壇在深圳圓滿落幕，大會(huì)以“探索、前行、共生、創(chuàng)贏”為主題，匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游知名企業(yè)代表，共論存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展之道。 佰維存儲(chǔ)董事長(zhǎng)孫成思先生受...
2023-09-28 標(biāo)簽：佰維存儲(chǔ) 1653
2023年中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將逼近6500億元
美光在全球存儲(chǔ)器領(lǐng)域以超過5%的產(chǎn)品市場(chǎng)份額位居全球前五，并具備從半導(dǎo)體晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)到封裝測(cè)試及最終存儲(chǔ)模組集成的全面生產(chǎn)能力。...
2023-09-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)美光存儲(chǔ)芯片AI服務(wù)器 4155
長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)Ti600 PCIe 4.0 SSD評(píng)測(cè)
對(duì)于DIYer、硬件愛好者而言，最近一年顯然是愉快的一年，往日價(jià)格高高在上的大容量SSD，現(xiàn)在只需數(shù)百元就能買到。而為了讓用戶獲得更好的使用體驗(yàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在近期帶來了致態(tài)Ti600 SSD。其...
2023-09-28 標(biāo)簽：處理器SSDPCIe長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3677
RR輪詢調(diào)度？Verilog是如何實(shí)現(xiàn)RR輪詢調(diào)度的？
在設(shè)計(jì)中，我們經(jīng)常會(huì)用到RR（Round-Robin,RR）輪詢調(diào)度，用于保證在一個(gè)時(shí)間段內(nèi)的多個(gè)請(qǐng)求信號(hào)都能得到公平響應(yīng)。...
2023-09-28 標(biāo)簽：寄存器IC設(shè)計(jì)鎖存器狀態(tài)機(jī)Verilog語言 5956
致態(tài)Ti600 QLC SSD性能測(cè)試
近日長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)家族再添新成員Ti600.Ti600是致態(tài)推出的首款QLC SSD。SSDFans第一時(shí)間體驗(yàn)這款產(chǎn)品性能，并對(duì)Ti600(2T)做了相關(guān)測(cè)試。...
2023-09-28 標(biāo)簽：NANDFlaSh接口SSD長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3849
NAND Flash和NOR Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別
摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用...
2023-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NANDFlaSh存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 2973
DDR3和DDR4的技術(shù)特性對(duì)比
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。...
2023-09-27 標(biāo)簽：DDR3計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)中心DDR4內(nèi)存技術(shù) 6685
全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片正在全面上漲
用于個(gè)人電腦（PC）和智能手機(jī)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片DRAM的價(jià)格已經(jīng)停止下跌。根據(jù)存儲(chǔ)芯片制造商和設(shè)備制造商參考8月份的交易價(jià)格確定，作為指標(biāo)的8GB DDR4內(nèi)存芯片的價(jià)格約為每塊1.48美元，連...
2023-09-27 標(biāo)簽：DRAMDDR4存儲(chǔ)芯片半導(dǎo)體存儲(chǔ) 2493
三星推出全球首款LPCAMM內(nèi)存，面向PC和筆記本電腦平臺(tái)
LPCAMM技術(shù)有望解決LPDDR和SO-DIMM的缺陷，作為可拆卸的內(nèi)存模組，LPCAMM能夠顯著減少設(shè)備內(nèi)部空間占用，同時(shí)提高性能和能效。...
armv7 generic timer使用筆記
armv7-A架構(gòu)中每個(gè)CPU核心都包含自己的私有定時(shí)器，所有cpu的定時(shí)器共享一個(gè)System counter， System counter負(fù)責(zé)產(chǎn)生計(jì)數(shù)，傳遞到每個(gè)核心的私有定時(shí)器...
2023-09-27 標(biāo)簽：計(jì)數(shù)器ARM處理器定時(shí)器RT-ThreadARM處理器RT-Thread定時(shí)器控制寄存器計(jì)數(shù)器 4655
STM32上的SDRAM硬件電路設(shè)計(jì)
SDRAM（synchronous dynamic random-access memory）即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。在介紹SDRAM前，我們先了解下DRAM（Dynamic random-access memory），DRAR中文譯為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存...
2023-09-27 標(biāo)簽：STM32PCB設(shè)計(jì)靜態(tài)存儲(chǔ)器SDRAM控制器電容充放電 5021
STM32F1系列MCU硬件電路FSMC接口設(shè)計(jì)
FSMC是STM32F1提供的一個(gè)靜態(tài)存儲(chǔ)控制器，是MCU用來擴(kuò)展存儲(chǔ)器，可用來驅(qū)動(dòng)SRAM、Nor Flash、NAND Flash。這里先簡(jiǎn)單講解下這三種存儲(chǔ)器的應(yīng)用場(chǎng)合。...
2023-09-27 標(biāo)簽：NANDSRAM存儲(chǔ)器FSMCNANDSRAM存儲(chǔ)器stm32f1靜態(tài)存儲(chǔ)控制器 6904
如何提高主要CPU處理單元的速度
一種方法是分支預(yù)測(cè)，類似于預(yù)測(cè)下一個(gè)操作的方式，就像互聯(lián)網(wǎng)搜索引擎一樣。然而，與任何并行架構(gòu)一樣，關(guān)鍵是確保各種處理單元充分運(yùn)行，以最大限度地提高性能和效率。...
2023-09-27 標(biāo)簽：芯片ARMcpu數(shù)據(jù)傳輸ARMcpu數(shù)據(jù)傳輸片上網(wǎng)絡(luò)芯片 1616
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