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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>

存儲(chǔ)技術(shù)

提供全球最前沿存儲(chǔ)技術(shù),云存儲(chǔ)技術(shù)、快速存儲(chǔ)技術(shù)、虛擬存儲(chǔ)技術(shù)、存儲(chǔ)解決方案、與英特爾快速存儲(chǔ)技術(shù)等存儲(chǔ)技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
AMD Versal系列FPGA NoC介紹及實(shí)戰(zhàn)

AMD Versal系列FPGA NoC介紹及實(shí)戰(zhàn)

NoC是相對(duì)于SoC的新一代片上互連技術(shù),從計(jì)算機(jī)發(fā)展的歷史可以看到NoC 必將是SoC 之后的下一代主流技術(shù)...

2023-07-13 標(biāo)簽:微控制器FPGA存儲(chǔ)器微處理器FPGASoC技術(shù)存儲(chǔ)器微處理器微控制器 1656

寄存器是什么 掌握使用寄存器做設(shè)計(jì)需要注意的事項(xiàng)

寄存器是什么 掌握使用寄存器做設(shè)計(jì)需要注意的事項(xiàng)

既然RTL是以寄存器行為為基礎(chǔ),那么就必須先了解寄存器是什么,并且掌握使用寄存器做設(shè)計(jì)需要注意的事項(xiàng)。...

2023-07-13 標(biāo)簽:寄存器RTLD觸發(fā)器異步復(fù)位CLK 2829

AI加速存儲(chǔ)芯片反轉(zhuǎn) HBM芯片崛起

HBM(High Bandwidth Memory)是一種創(chuàng)新的CPU/GPU內(nèi)存芯片,它通過堆疊多個(gè)DDR芯片并與GPU封裝在一起,實(shí)現(xiàn)了高容量和高位寬的DDR組合陣列。...

2023-07-13 標(biāo)簽:cpugpu內(nèi)存芯片HBMcpuDDR芯片gpuHBM內(nèi)存芯片 3349

MBD的界限和范圍

MBD的界限和范圍

基于模型的設(shè)計(jì)(Model-Based Design,MBD)是一種圍繞模型來展開的項(xiàng)目開發(fā)方法,其開發(fā)理念越來越受到關(guān)注。...

2023-07-13 標(biāo)簽:控制器電池管理系統(tǒng)信號(hào)處理器FOC算法MBD信號(hào)處理器控制器控制器電池管理系統(tǒng) 3231

西門子博途:尋址全局變量/訪問I/O設(shè)備

CPU 的過程映像是每個(gè)周期更新一次。但是,在對(duì)時(shí)間要求苛刻的應(yīng)用中,讀取或傳送數(shù)字輸入或輸出當(dāng)前狀態(tài)的頻率可能必須高于每個(gè)周期一次。...

2023-07-13 標(biāo)簽:plc西門子存儲(chǔ)S7-1200S7-1500 6410

看看在伺服電機(jī)中常用的幾種編碼器協(xié)議

看看在伺服電機(jī)中常用的幾種編碼器協(xié)議

我們知道編碼器的種類有很多,什么增量式編碼器、絕對(duì)值編碼器、光電編碼器、旋轉(zhuǎn)編碼器等等。...

2023-07-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器編碼器EEPROMCRC效驗(yàn)CRC效驗(yàn)EEPROM伺服電機(jī)編碼器驅(qū)動(dòng)器 25149

新一代芯片和存儲(chǔ)器催生PCB更多產(chǎn)業(yè)空間

中國是全球PCB產(chǎn)量最大的區(qū)域。前瞻產(chǎn)業(yè)研究院公布數(shù)據(jù)顯示,目前,中國PCB產(chǎn)值占全球總產(chǎn)值的比例約為69%。國金證券預(yù)測(cè),2025年,AI服務(wù)器PCB市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到79億元。...

2023-07-13 標(biāo)簽:pcb存儲(chǔ)器AI服務(wù)器 1405

國芯思辰| 國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器在復(fù)費(fèi)率電能表中的應(yīng)用
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器改革 HBM技術(shù)從幕后走向臺(tái)前

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器改革 HBM技術(shù)從幕后走向臺(tái)前

從技術(shù)上先來看,SK海力士是目前唯一實(shí)現(xiàn)HBM3量產(chǎn)的廠商,并向英偉達(dá)大量供貨,配置在英偉達(dá)高性能GPU H100之中,持續(xù)鞏固其市場(chǎng)領(lǐng)先地位。...

2023-07-13 標(biāo)簽:DRAMAISK海力士HBM 2134

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在DSP控制器的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在DSP控制器的應(yīng)用

DSP控制器是將實(shí)時(shí)處理能力和控制器外設(shè)功能結(jié)合在一起 , 為控制系統(tǒng)的應(yīng)用提供了一個(gè)理想的解決方案。一般情況下, 采用24xDSP及以上系列的控制器就能實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)數(shù)字化的單芯片控制。但當(dāng)...

2023-07-13 標(biāo)簽:dsp控制器存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器dsp存儲(chǔ)器開發(fā)系統(tǒng)控制器控制器鐵電存儲(chǔ)器 1266

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在氨氣檢測(cè)儀的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在氨氣檢測(cè)儀的應(yīng)用

氨氣檢測(cè)儀可以快速測(cè)定在工業(yè)燃燒、農(nóng)業(yè)養(yǎng)殖以及日常生活中氨氣濃度,檢測(cè)儀提供的數(shù)據(jù),包括多采樣點(diǎn)的氨氣濃度值、采樣通道和時(shí)間報(bào)警信息以及檢測(cè)儀系統(tǒng)自身的參數(shù)信息等。...

2023-07-13 標(biāo)簽:FlaShSPI數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢測(cè)儀鐵電存儲(chǔ)器 1107

西門子博途: 有關(guān)處理程序執(zhí)行錯(cuò)誤的示例

西門子博途: 有關(guān)處理程序執(zhí)行錯(cuò)誤的示例

本地錯(cuò)誤處理可單獨(dú)編程,也可與其它代碼一起編程。為確??勺R(shí)別程序中的所有錯(cuò)誤,建議使用本地錯(cuò)誤處理組合方案,如以下示例所示。...

2023-07-12 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器西門子STL算法存儲(chǔ)器西門子 5929

EEPROM接口的選擇方法

接口的選擇方法 EEPROM的常規(guī)接口有3個(gè)分別是Microwire和SPI與I2C。 這些接口各自具有技術(shù)特點(diǎn)。 請(qǐng)選擇符合客戶需求的接口。 【I2C】 微型控制器的使用端口存在限制,EEPROM的接口數(shù)量較少時(shí),請(qǐng)...

2023-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器EEPROM 2559

Mask ROM存儲(chǔ)單元構(gòu)成

Mask ROM存儲(chǔ)單元構(gòu)成

MASK ROM:是制造商為了要大量生產(chǎn),事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當(dāng)作樣本,然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM,這一種做為大量生產(chǎn)的ROM樣本就是MASK ROM,而燒錄在MASK ROM中的資料永遠(yuǎn)無法...

2023-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器ROM 2135

DRAM和SRAM元器件原理

DRAM和SRAM元器件原理

元器件原理<DRAM> 由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫入方法 <“1” 時(shí)> Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理<SRAM> 存儲(chǔ)單元構(gòu)成 由6個(gè)晶體管單元構(gòu)成 由4個(gè)晶...

2023-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM存儲(chǔ)器 2051

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震...

2023-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ) 2807

國芯思辰|電池管理系統(tǒng)可使用SC1467和國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器
基于ACM32 MCU的LED燈箱控制器方案

基于ACM32 MCU的LED燈箱控制器方案

LED燈箱上各種文字、圖案有序跳躍、交替輝映,產(chǎn)生強(qiáng)烈的視覺沖擊力,被廣泛應(yīng)用于商場(chǎng)、美容美發(fā)、賓館、娛樂場(chǎng)所等地方。...

2023-07-12 標(biāo)簽:控制器led燈數(shù)碼管SRAM存儲(chǔ)器MCU芯片 814

國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片品牌逐漸開始占據(jù)市場(chǎng)

國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片品牌逐漸開始占據(jù)市場(chǎng)

2020年至2021年,芯片價(jià)格快速走高,部分芯片價(jià)格上漲了10倍以上。在達(dá)到高點(diǎn)后,2022年芯片價(jià)格大幅下滑,現(xiàn)在已經(jīng)基本跌回到2019年的價(jià)格。以DDR4 8GB為例,價(jià)格比1年前下跌了40%以上。...

2023-07-12 標(biāo)簽:芯片存儲(chǔ)芯片英偉達(dá) 862

STM32CubeMx入門教程(6):SPI讀寫FLAH的應(yīng)用

STM32CubeMx入門教程(6):SPI讀寫FLAH的應(yīng)用

導(dǎo)語“本教程將使用CubeMX初始化SPI,使用SPI對(duì)W25Q64 FLASH進(jìn)行讀寫操作,通過HAL庫的讀寫應(yīng)用來數(shù)據(jù)FLASH的操作細(xì)節(jié)?!?..

2023-07-12 標(biāo)簽:FlaShSPI串口stm32cubemxHAL庫 4628

MCU在執(zhí)行指令的過程中,是如何選擇堆棧指針呢?

MCU在執(zhí)行指令的過程中,是如何選擇堆棧指針呢?

我們知道 Cortex-M3 系列單片機(jī)內(nèi)部有雙堆棧機(jī)制。即 Cortex‐M3 擁有兩個(gè)堆棧指針:主堆棧(MSP)和進(jìn)程堆棧(PSP)。任一時(shí)刻只能使用其中的一個(gè)。通過控制寄存器 CONTROL 中的選擇位進(jìn)行控制。...

2023-07-12 標(biāo)簽:處理器單片機(jī)Cortex-M3控制寄存器定時(shí)器中斷 4283

FPGA設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)時(shí)鐘的使用方法

FPGA設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)時(shí)鐘的使用方法

時(shí)鐘是每個(gè) FPGA 設(shè)計(jì)的核心。如果我們正確地設(shè)計(jì)時(shí)鐘架構(gòu)、沒有 CDC 問題并正確進(jìn)行約束設(shè)計(jì),就可以減少與工具斗爭(zhēng)的時(shí)間。...

2023-07-12 標(biāo)簽:FPGA設(shè)計(jì)寄存器VivadoCDCFPGA設(shè)計(jì)Vivado動(dòng)態(tài)時(shí)鐘寄存器 2032

CPU緩存一致性協(xié)議解析

CPU緩存一致性協(xié)議解析

CPU運(yùn)行效率高不高,一定程度取決于緩存,這里就給大家分享一下CPU緩存相關(guān)的內(nèi)容。...

2023-07-12 標(biāo)簽:cpu存儲(chǔ)內(nèi)存緩存 1612

芯圣電子AD型8位單片機(jī)—HC18P110A0/B0

芯圣電子AD型8位單片機(jī)—HC18P110A0/B0

HC18P110A0/B0是芯圣電子推出的AD型8位單片機(jī),內(nèi)置兼容RISC指令集的PIC內(nèi)核...

2023-07-12 標(biāo)簽:單片機(jī)ROM仿真器計(jì)數(shù)器PWM波PWM波ROM仿真器單片機(jī)芯圣電子計(jì)數(shù)器 3236

聊一聊Java中的Steam流

聊一聊Java中的Steam流

在我們的日常編程任務(wù)中,對(duì)于集合的制造和處理是必不可少的。...

2023-07-12 標(biāo)簽:處理器存儲(chǔ)器JAVA語言 1062

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。...

2023-07-12 標(biāo)簽:閃存NAND晶體管EEPROM存儲(chǔ)芯片 4322

存儲(chǔ)周期大底漸進(jìn)?DRAM大廠財(cái)報(bào)釋放多個(gè)積極信號(hào)

存儲(chǔ)周期大底漸進(jìn)?DRAM大廠財(cái)報(bào)釋放多個(gè)積極信號(hào)

今日早盤,存儲(chǔ)芯片概念股集體走高。截至今日收盤,盈方微漲停;江波龍漲超9%,兆易創(chuàng)新漲超8%,普冉股份漲超6%、東芯股份等漲超5%;聚辰股份、朗科科技等跟漲。...

2023-07-12 標(biāo)簽:DRAM人工智能DDR4Nand flash 1153

618期間中國智能手機(jī)銷量下降8%,vivo奪冠

618期間中國智能手機(jī)銷量下降8%,vivo奪冠

小米今年618期旗艦比前一個(gè)月增長(zhǎng)幅度最大,品牌大容量存儲(chǔ)器和大容量存儲(chǔ)器產(chǎn)品的打折強(qiáng)度更強(qiáng)。華為銷量同比增長(zhǎng)52%,2023年以后新產(chǎn)品發(fā)布速度加快,下半年有望繼續(xù)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭。...

2023-07-12 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器華為小米 1693

SK海力士將為蘋果Vision Pro MR設(shè)備提供專用DRAM

為了實(shí)現(xiàn)這一功能,還必須適合用于輔助計(jì)算的dram。現(xiàn)有智能手機(jī)使用的移動(dòng)dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求,提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出(i/o)頻...

2023-07-12 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器SK海力士 1204

五種先進(jìn)的SSD故障預(yù)測(cè)特征選擇方法盤點(diǎn)

五種先進(jìn)的SSD故障預(yù)測(cè)特征選擇方法盤點(diǎn)

本文比較了沒有特征選擇(即使用所有學(xué)習(xí)特征)和五種最先進(jìn)的特征選擇方法(第II-C節(jié))的WEFR的預(yù)測(cè)精度。對(duì)于五種最先進(jìn)的特征選擇方法,本文將所選特征的百分比從10%線性調(diào)整到100%,以找...

2023-07-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SSD磁盤SMARTSSD磁盤驅(qū)動(dòng)器 2801

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