近日，臺聯(lián)電和格羅方德相繼宣布退出FinFET高級工藝研發(fā)，這兩家排名全球第二第三的晶圓代工廠退出FinFET高級工藝研發(fā)，主要是因為這種高級工藝不僅晶圓廠需要投入巨資升級設(shè)備，在IC公司端需要投入巨資研發(fā)高級工藝，以目前已經(jīng)量產(chǎn)的麒麟980為例，據(jù)華為透露，7nm工藝研發(fā)成本遠(yuǎn)超過3億美元，所以未來能跟進(jìn)高級工藝的IC設(shè)計公司一定有限，與其大家打破頭花巨資搶僅有的幾個客戶不如發(fā)展自己的特色工藝和服務(wù)，因此聯(lián)電和GF停止FinFET高級工藝研發(fā)是明智之舉。

IBS的Handel Jones公布了高級工藝節(jié)點(diǎn)研發(fā)成本，這個估計其實(shí)還是比較保守，高級研發(fā)工藝設(shè)計研發(fā)成本遠(yuǎn)高于這個數(shù)字。

拋棄FinFET高級工藝的格羅方德其實(shí)在FD-SOI工藝方面收獲頗豐，在近日召開的GTC（Global Technology Conference）2018大會上，GF公布了該公司在工藝技術(shù)上的路線圖及計劃，從它公布的數(shù)據(jù)看，12nm以下的高級工藝在整個代工市場上并不占多數(shù)，12nm以上的市場今年依然有560億美元的空間，2020年還會增長到650億美元。

在工藝方面，GF除了會堅持現(xiàn)有的14/12nm FinFET工藝，未來的重點(diǎn)則是FD-SOI工藝，GF目前量產(chǎn)的就是22nm FD-SOI工藝，簡稱22FDX，未來還會有12FDX工藝。

在這次論壇上，GF德累斯頓Fab1執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Thomas Morgenstern給汽車電子業(yè)者帶來了更振奮的消息，他指出格羅方德的FDX平臺目前可支持包括Arm、RISC-V等處理器IP，《6GHz的無線互聯(lián)，包括藍(lán)牙、WiFi、ZigBee等以及蜂窩通信在內(nèi)的多種產(chǎn)品開發(fā)，而汽車電子方面，GF更有驚喜大禮包！

Morgenstern透露格羅方德重點(diǎn)打造車用芯片制造能力，德累斯頓的Fab 1在2今年年1季度已經(jīng)通過了車規(guī)級驗證，22FDX完全滿足AEC Q-100的標(biāo)準(zhǔn)。2018年3季度汽車級產(chǎn)品已經(jīng)tape out，目前Arbe Robotics已經(jīng)采用了GF 22FDX開發(fā)業(yè)界首款L4及L5級別的高分辨率實(shí)時成像雷達(dá)技術(shù)。

orgenstern也用數(shù)據(jù)再次用數(shù)據(jù)證明了FD-SOI工藝在低功耗和射頻上的優(yōu)勢，例如FDX平臺邏輯單元電壓可降低至0.4V，Memory的待機(jī)功耗為1pA/cell，保持電壓就可以降低到0.28V。在射頻方面，F(xiàn)D-SOI擅長包括RF/LDMOS，毫米波，模擬應(yīng)用（大于400GHz）的應(yīng)用！而且FD-SOI獨(dú)有的體偏置可以實(shí)現(xiàn)更好的電源效率。還有，F(xiàn)D-SOI中eMRAM的應(yīng)用也可以實(shí)現(xiàn)極低功耗的嵌入式存儲。

這是他公布的一些對比數(shù)據(jù)，顯示22FDX平臺和12FDX性能比28體硅工藝以及FinFET工藝都有優(yōu)勢，例如12FDX的性能指標(biāo)超過了10nm FinFET工藝直逼7nm FinFET工藝！ 而且FDX的掩膜數(shù)量要比10LPP少40%！這都是節(jié)省下來的成本哦！關(guān)鍵FD-SOI工藝良率還很高！這是公布的幾個產(chǎn)品的良率！都95%以上！

Morgenstern表示通過調(diào)查數(shù)據(jù)顯示兩年來，對FD-SOI感興趣的公司越來越多，尤其在射頻相關(guān)應(yīng)用中，客戶越來越接受FD-SOI所帶來的好處。

GF公司的22FDX工藝已經(jīng)獲得了客戶的認(rèn)可，早前GF就公告稱已經(jīng)獲得了超過20億美元的訂單，涉及IoT、工業(yè)、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)、加密貨幣、移動、數(shù)模等等多個市場。未來隨著摩爾定律放慢，單芯片集成會大大增加，尤其和射頻的集成，這就是FD-SOI工藝的優(yōu)勢了！所以GF喊出了“Thinking RF？ Think GF first！“的口號！