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到2025年,整個(gè)GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來源:Qorvo半導(dǎo)體 ? 2020-09-21 15:22 ? 次閱讀
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知名市場分析機(jī)構(gòu) Yole Développement(Yole)在其報(bào)告中表示,在過去的幾年中,射頻RF)應(yīng)用由于 GaN 技術(shù)的實(shí)施而得到了推動(dòng)。但 GaN RF 市場的主要驅(qū)動(dòng)力仍然是電信和國防應(yīng)用。他們進(jìn)一步指出,到 2025 年,整個(gè) GaN RF 市場將從 2019 年的 7.4 億美元增長到超過 20 億美元,復(fù)合年增長率為 12%。

報(bào)告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來,GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE 電信基礎(chǔ)設(shè)施市場的滲透力,預(yù)計(jì) GaN on SiC 將在 5G Sub-6Hz RRH 中保持強(qiáng)大的地位。

而在新興的 5G Sub-6Ghz AAS(Active Antenna Systems),大規(guī)模多輸入多輸出(MIMO)部署領(lǐng)域中,GaN 與 LDMOS 之間的競爭仍在繼續(xù)。盡管具有成本效益的 LDMOS 技術(shù)在 Sub-6GHz 頻段的高頻性能方面取得了顯著進(jìn)步,但 GaN on SiC 卻具有出色的帶寬、PAE 和功率輸出。

來到具體的市場狀況。首先看電信基礎(chǔ)設(shè)施方面,據(jù) Yole 的報(bào)告,GaN 射頻在這個(gè)領(lǐng)域的部署將長期保持不變。而在AAS中,帶寬的增加將有利于推動(dòng) GaN RF 的需求。此外,在未來幾年中,小型蜂窩(small cells)和回傳連接(backhaul connections)將看到 GaN 的驚人部署。

其次看一下軍事應(yīng)用領(lǐng)域,隨著政府的投資以取代基于TWT(Travelling Wave Tube)的系統(tǒng)來改善國家安全,國防仍將是 GaN RF 市場的主要推動(dòng)力之一。雷達(dá)是軍事應(yīng)用的主要推動(dòng)力,這主要是由于基于 GaN 的新型AESA(Active Electronically Scanned Array)系統(tǒng)中的 T/R 模塊的增加以及對機(jī)載系統(tǒng)輕型設(shè)備的嚴(yán)格要求。

報(bào)告指出,到 2025 年,整個(gè) GaN RF 軍事市場將超過 11 億美元,復(fù)合年增長率為 22%。

而對于大家關(guān)注的 GaN 應(yīng)用于手機(jī),Yole 表示,GaN 的高性能和小尺寸可能吸引了 OEM 廠商的興趣。但 GaN PA 何時(shí)能被手機(jī)廠商采用,將取決于 GaN 未來五年的技術(shù)成熟度,供應(yīng)鏈、成本以及 OEM 的決定。

作為射頻領(lǐng)域的專家,Qorvo 在 GaN 方面也有領(lǐng)先的優(yōu)勢。在之前的財(cái)報(bào)會(huì)議上,Qorvo 方面指出,為滿足 5G 高頻率需求,公司將協(xié)助基站制造商向氮化鎵(GaN)功率放大器轉(zhuǎn)變,積極部署宏基站和大規(guī)模 MIMO 網(wǎng)絡(luò),助推全球 5G 基礎(chǔ)設(shè)施部署。預(yù)計(jì)未來功率放大器的大半市場將轉(zhuǎn)向氮化鎵(GaN),并且這一趨勢也會(huì)加速推進(jìn)。

Qorvo FAE 經(jīng)理荀穎在今年六月份的演講中也強(qiáng)調(diào)。在 5G 用例的推動(dòng)下,除了宏基站,市場也對小基站有了更多的需求。伴隨而來的是推動(dòng)這些基站從頻率、帶寬以及效率等多方面提高。“對于運(yùn)營商來說,就希望在 5G 基站方面找到一個(gè)運(yùn)營成本,資本支出、可靠性和吞吐率等多個(gè)方面都是最優(yōu)的解決方案,而擁有低功耗、高功率密度和長壽命等優(yōu)勢的氮化鎵就成為了開發(fā)者們的選擇”。荀穎說。

針對現(xiàn)在硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵兩種不同的方面,Qorvo 指出,碳化硅基氮化鎵在熱耗和可靠性方面的表現(xiàn)都優(yōu)于硅基氮化鎵,為此 Qorvo 選擇了碳化硅基氮化鎵為公司在這個(gè)領(lǐng)域的主要發(fā)展方向。

Qorvo 能夠提供從 90nm 到 0.5um 的 GaN 制造工藝,此外還能能夠生產(chǎn)砷化鎵 HBT 和 pHEMT,這些產(chǎn)品加上Qorvo在砷化鎵 BAW、SAW、TC-BAW 和 TC-SAW以及 RF CMOS 和 SOI 開關(guān)方面的布局。讓Qorvo 有能力給客戶大規(guī)模提供符合經(jīng)濟(jì)要求的器件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:Yole:2025 年,GaN RF市場規(guī)模將超過 20 億美元

文章出處:【微信號(hào):Qorvo_Inc,微信公眾號(hào):Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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