據(jù)外媒報道，F(xiàn)arnell將把Nexperia的第二代動力氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）推向市場。這類晶體管體積小，密度和效率較高，可以降低開發(fā)高效系統(tǒng)的成本，并具有改變電動汽車動力性能的潛力。

隨著立法越來越嚴格，對減少C02排放的呼聲愈發(fā)強烈，這些創(chuàng)新GaN FET給設計師們帶來了便利，推動向更有效的電力轉換轉變，并提高電氣化水平。

GaN技術克服現(xiàn)有技術的許多局限，如硅基IGBT和SiC，直接或間接提高整個功率轉換應用的性能。在電動汽車中，GaN技術可直接減少電力損耗，避免影響車輛的續(xù)航里程。功率轉換效率更高，也可以減少對散熱系統(tǒng)的需求，幫助車輛減輕重量，降低系統(tǒng)復雜性，使運行里程更長，或在相同的里程內使用更小的電池。Power GaN FET也適用于數(shù)據(jù)中心、電信基礎設施和工業(yè)應用。

GaN FET可在不同系統(tǒng)中提供優(yōu)異的性能，比如硬開關AC-DC圖騰柱PFC應用，全橋LLC移相（諧振或固定頻率）軟開關應用，所有DC-AC逆變器拓撲和使用雙向開關的AC-AC矩陣變換器等。

主要優(yōu)點包括：

簡單的柵極驅動，低導通電阻RDS（on），快速開關；

優(yōu)質體二極管（低正向電壓降Vf），反向恢復電荷低；

高強度；

低動態(tài)導通電阻；

穩(wěn)定的開關；

防閘極回跳（Vth ~ 4v）。
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