日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

比亞迪推出國內(nèi)首款批量裝車的SiC MOSFET

電子工程師 ? 來源:比亞迪半導體 ? 作者:比亞迪半導體 ? 2020-09-27 09:39 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日前,中國電動汽車百人會在南京召開第二屆全球新能源汽車供應鏈創(chuàng)新大會,比亞迪半導體有限公司相關(guān)負責人參會并發(fā)表主旨演講。

在17日舉行的“電動化供應鏈的未來機會”主題論壇上,比亞迪半導體著重分享了在新能源汽車領(lǐng)域的創(chuàng)新經(jīng)驗。在汽車電動化方面,以高效為核心,重點提升功率半導體效率,實現(xiàn)IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和 SiC(碳化硅)同步發(fā)展;在汽車智能化方面,以智能、集成為核心,重點提高MCU(微控制單元)智能程度,滿足車規(guī)級高控制能力需求,開發(fā)多核MCU產(chǎn)品。

比亞迪半導體有限公司相關(guān)負責人發(fā)表主旨演講

作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導體IDM企業(yè),比亞迪半導體主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導體的設計、研發(fā)、制造及服務,產(chǎn)品廣泛應用于汽車、工業(yè)、能源、通訊和消費電子等領(lǐng)域,持續(xù)為客戶提供領(lǐng)先的車規(guī)級半導體整體解決方案,致力于成為高效、智能、集成的新型半導體供應商。

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)進入深度轉(zhuǎn)型期,以電動化、智能化為代表的新一代汽車正改變原有汽車制造業(yè)的供應鏈版圖。雖然在動力電池、電機、電控方面,國內(nèi)已擁有部分上規(guī)模的供應企業(yè),但在芯片和電子元器件方面仍然嚴重依賴進口。公開數(shù)據(jù)顯示,中國功率半導體市場占全球份額超過40%,但自給率僅10%;中國車規(guī)級MCU市場占全球份額超過30%,但卻基本100%依賴于進口。

全球功率半導體市場占比分布

2002年,比亞迪開始進入半導體領(lǐng)域。在車規(guī)級功率半導體方面,比亞迪半導體擁有十余年的技術(shù)積累,不斷更新迭代。2005年,比亞迪組建團隊,開始研發(fā)IGBT;2009年推出國內(nèi)首款自主研發(fā)IGBT芯片,打破國外企業(yè)的技術(shù)壟斷;2018年推出IGBT 4.0芯片,成為國內(nèi)中高端IGBT功率芯片新標桿;2020年推出國內(nèi)首款批量裝車的SiC MOSFET,已應用于比亞迪全新旗艦豪華轎車“漢”車型。

國內(nèi)首款批量搭載SiC MOSFET的 “漢”車型

MCU作為汽車電子系統(tǒng)內(nèi)部運算和處理的核心,是實現(xiàn)汽車智能化的關(guān)鍵。2007年,比亞迪進入工業(yè)MCU領(lǐng)域,堅持性能與可靠性雙重路線,工作溫度-40℃~125℃,靜電能力大于±8KV,累計出貨突破20億只,失效率小于10ppm。

結(jié)合多年工業(yè)級MCU的技術(shù)和制造實力,比亞迪半導體實現(xiàn)了從工業(yè)級MCU到車規(guī)級MCU的高難度跨級別業(yè)務延伸。2018年成功推出第一代8位車規(guī)級MCU芯片,2019年推出第一代32位車規(guī)級MCU芯片,累計裝車超500萬只,實現(xiàn)國產(chǎn)化零突破。未來還將推出應用范圍更加廣泛、技術(shù)領(lǐng)先的多核高性能MCU芯片。

比亞迪半導體將持續(xù)致力于利用整車制造優(yōu)勢,打破國產(chǎn)車規(guī)級半導體下游的應用瓶頸,實現(xiàn)產(chǎn)品基本覆蓋車規(guī)級半導體核心系統(tǒng)應用,與業(yè)內(nèi)同行合作共贏,攜手助力新能源汽車行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

原文標題:打破壟斷,比亞迪半導體布局車規(guī)級核心半導體器件

文章出處:【微信公眾號:比亞迪半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

責任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12711

    瀏覽量

    237369
  • 半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31402

    瀏覽量

    267298
  • 比亞迪
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    2588

    瀏覽量

    56451

原文標題:打破壟斷,比亞迪半導體布局車規(guī)級核心半導體器件

文章出處:【微信號:BYD_Semiconductor,微信公眾號:比亞迪半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    一文看懂 | 中國華北、華東地區(qū)SiC功率器件廠商2026年最新動態(tài)【上】

    晶圓產(chǎn)線,產(chǎn)品電壓覆蓋 650V–6500V。 2025 年 11 月,數(shù)十車規(guī)級 SiC MOSFET 芯片通過 AEC-Q101 認證,批量供應
    發(fā)表于 03-24 13:48

    SiC MOSFET架構(gòu)的類型及其區(qū)別

    SiC MOSFET滿足了電力電子行業(yè)對更高效率、更高功率密度以及在極端溫度下運行的要求,其應用領(lǐng)域涵蓋電動汽車(EV)牽引逆變器、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)電源。本文將深入討論不同的SiC MOS
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:31 ?295次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>架構(gòu)的類型及其區(qū)別

    業(yè)內(nèi)可商用10kV SiC MOSFET誕生!加速SST落地

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,近日,Wolfspeed宣布,推出業(yè)內(nèi)可商用的10kV SiC功率MOSFET。這一里程碑式突破不僅刷新了高壓
    的頭像 發(fā)表于 03-10 10:40 ?6784次閱讀

    森國科發(fā)布兩創(chuàng)新TOLL+Cu-Clip封裝SiC MOSFET產(chǎn)品

    KM025065K1(650V/25mΩ)與 KM040120K1(1200V/40mΩ)兩SiC MOSFET產(chǎn)品,率先將TOLL封裝與銅夾片(Cu-Clip)技術(shù)深度融合,為下一代高性能電源方案樹立了新標桿。
    的頭像 發(fā)表于 01-26 17:27 ?953次閱讀
    森國科發(fā)布兩<b class='flag-5'>款</b>創(chuàng)新TOLL+Cu-Clip封裝<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)品

    三菱電機推出全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片

    三菱電機集團于今日(2026年1月14日)宣布,將于1月21日開始提供4全新溝槽型1 SiC-MOSFET裸芯片(未封裝在封裝材料中的芯片),該芯片專為電動汽車(EV)主驅(qū)逆變器2,車載充電器3以及太陽能發(fā)電系統(tǒng)等可再生能源的功率系統(tǒng)等中的功率器件而設計。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 10:38 ?2627次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>推出</b>四<b class='flag-5'>款</b>全新溝槽柵型<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b>裸芯片

    又一國產(chǎn)SiC MOSFET上車!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近,湖南三安半導體舉行了碳化硅芯片上車儀式,標志著國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅主驅(qū)芯片實現(xiàn)從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)?;?b class='flag-5'>裝車的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片
    的頭像 發(fā)表于 12-09 09:25 ?5720次閱讀

    安森美SiC MOSFET NVBG025N065SC1:汽車電子應用的理想之選

    在當今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代,碳化硅(SiCMOSFET憑借其卓越的性能,在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應用。今天,我們就來深入了解一下安森美(onsemi)推出的一
    的頭像 發(fā)表于 12-04 13:34 ?607次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> NVBG025N065SC1:汽車電子應用的理想之選

    東芝推出最新650V SiC MOSFET

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出650V碳化硅(SiCMOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三
    的頭像 發(fā)表于 09-01 16:33 ?2581次閱讀
    東芝<b class='flag-5'>推出</b>三<b class='flag-5'>款</b>最新650V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    #芯品薈#燧原科技聯(lián)合曦智科技推出國內(nèi)xPU-CPO光電共封芯片

    行業(yè)芯事行業(yè)資訊
    電子發(fā)燒友網(wǎng)官方
    發(fā)布于 :2025年08月08日 14:14:47

    燧原科技聯(lián)合曦智科技推出國內(nèi)xPU-CPO光電共封芯片

    在今年的2025世界人工智能大會上,燧原科技聯(lián)合曦智科技推出國內(nèi)xPU-CPO光電共封芯片,為本土的數(shù)據(jù)中心光互連技術(shù)樹立了一個新標桿。 NEWS 由ChatGPT引領(lǐng)的大語言模
    的頭像 發(fā)表于 08-07 09:26 ?2.7w次閱讀
    燧原科技聯(lián)合曦智科技<b class='flag-5'>推出國內(nèi)</b><b class='flag-5'>首</b><b class='flag-5'>款</b>xPU-CPO光電共封芯片

    國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎

    國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎
    的頭像 發(fā)表于 07-23 18:10 ?1441次閱讀
    兩<b class='flag-5'>款</b>國產(chǎn)1700V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實現(xiàn)顯著
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?1108次閱讀
    基本股份B3M013C120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的產(chǎn)品力分析

    SiC MOSFET計算損耗的方法

    本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進行分割,并使用近似公式計算功率損耗的方法。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 11:22 ?2843次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>計算損耗的方法

    SiC戰(zhàn)場轉(zhuǎn)向國內(nèi)?三SiC MOSFET新品齊發(fā),導通損耗再降50%

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)碳化硅(SiCMOSFET已成為功率半導體行業(yè)技術(shù)演進的重要方向。相比其他現(xiàn)有技術(shù),SiC MOSFET在性能上展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,尤其在高壓和高功率等應用
    的頭像 發(fā)表于 06-10 09:07 ?5725次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>戰(zhàn)場轉(zhuǎn)向<b class='flag-5'>國內(nèi)</b>?三<b class='flag-5'>款</b><b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>新品齊發(fā),導通損耗再降50%

    東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出最新650V碳化硅(SiCMOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123
    的頭像 發(fā)表于 05-22 14:51 ?1378次閱讀
    東芝<b class='flag-5'>推出</b>新型650V第3代<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>
    夏邑县| 临颍县| 云林县| 新兴县| 策勒县| 弥勒县| 东平县| 逊克县| 石城县| 民丰县| 韩城市| 桦川县| 石柱| 靖安县| 大英县| 库车县| 嘉义县| 寻甸| 柞水县| 庆城县| 略阳县| 黎平县| 平凉市| 大渡口区| 兴仁县| 安多县| 崇义县| 中宁县| 台前县| 武宁县| 白银市| 娄底市| 同仁县| 铁力市| 林州市| 岳普湖县| 玉屏| 巴南区| 兖州市| 和龙市| 庆安县|