場效應(yīng)晶體管(FET)是集成電路、計算機CPU和顯示器背板等現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心構(gòu)件。有機場效應(yīng)晶體管(Organic Field Effect Transistors,簡稱OFET)利用有機半導體作為電流流動的通道,與硅等無機同類器件相比,具有靈活的優(yōu)勢。
鑒于OFET具有高靈敏度、機械柔性、生物相容性、特性可調(diào)性和低成本制造等特點,被認為在可穿戴電子、保形健康監(jiān)測傳感器和可彎曲顯示器等新應(yīng)用中具有巨大潛力。想象一下,可以卷起的電視屏幕;或者貼身穿戴的智能可穿戴電子設(shè)備和衣服,收集身體的重要信號,進行即時的生物反饋;或者用無害的有機材料制成的迷你機器人在體內(nèi)工作,進行疾病診斷、靶向藥物運輸、小型手術(shù)等藥物和治療。
到目前為止,OFETs性能提升和量產(chǎn)的主要限制在于其小型化的難度。目前市場上使用OFETs的產(chǎn)品,在產(chǎn)品靈活性和耐久性方面還處于原始形態(tài)。
香港大學機械工程系陳國良博士領(lǐng)導的工程團隊在開發(fā)交錯結(jié)構(gòu)單層有機場效應(yīng)晶體管方面取得重要突破,為縮小OFETs的體積奠定了重要基石。該成果已發(fā)表在學術(shù)期刊《先進材料》上。該創(chuàng)新成果已經(jīng)申請了美國專利。
現(xiàn)在科學家們在縮小OFETs尺寸方面面臨的主要問題是,隨著尺寸的縮小,晶體管的性能將顯著下降,部分原因是接觸電阻問題,即界面上的電阻會阻礙電流的流動。當器件變小后,其接觸電阻將成為顯著降低器件性能的主導因素。
陳博士團隊創(chuàng)造的交錯結(jié)構(gòu)單層OFET表現(xiàn)出創(chuàng)紀錄的低歸一化接觸電阻40 Ω -cm。與傳統(tǒng)器件1000 Ω -cm的接觸電阻相比,新器件在相同電流水平下運行時,可以節(jié)省96%的接觸功耗。更重要的是,除了節(jié)能,還可以大大減少系統(tǒng)中產(chǎn)生的過多熱量,這是導致半導體失效的常見問題。
“在我們的成果基礎(chǔ)上,我們可以進一步縮小OFET的尺寸,并將其推向亞微米級,與無機對應(yīng)器件相匹配,同時仍能有效地發(fā)揮其獨特的有機特性。這對滿足相關(guān)研究的商業(yè)化要求至關(guān)重要?!?陳博士說。
“如果柔性O(shè)FET奏效,許多傳統(tǒng)的基于剛性的電子產(chǎn)品,如顯示面板、電腦和手機等,都將轉(zhuǎn)變?yōu)槿嵝院涂烧郫B的。這些未來設(shè)備的重量將大大減輕,而且生產(chǎn)成本低?!?/p>
“此外,考慮到它們的有機性質(zhì),它們更有可能在先進的醫(yī)療應(yīng)用中具有生物相容性,如追蹤大腦活動或神經(jīng)尖峰傳感的傳感器,以及在癲癇等大腦相關(guān)疾病的精確診斷中?!?陳博士補充道。
陳博士的團隊目前正與香港大學醫(yī)學院的研究人員和城大的生物醫(yī)學工程專家合作,將微型化的OFET集成到聚合物微探針上的柔性電路中,以便在不同的外部刺激下,在小鼠腦部進行活體神經(jīng)尖峰檢測。他們還計劃將OFETs集成到導管管等手術(shù)工具上,然后將其放入動物的大腦內(nèi),進行直接的大腦活動感應(yīng),以定位大腦中的異常激活。
“我們的OFETs提供了更好的信噪比。因此,我們希望能夠接收到一些微弱的信號,而這些信號在使用傳統(tǒng)的裸電極進行傳感之前是無法檢測到的。”
“將應(yīng)用研究與基礎(chǔ)科學聯(lián)系起來一直是我們的目標。我們的科研成果將有望為OFETs的研究和應(yīng)用開辟一片藍海。我們相信,在OFETs上的設(shè)置和成果,現(xiàn)在已經(jīng)可以在大面積顯示背板和手術(shù)工具上應(yīng)用了?!?陳博士最后說。
關(guān)于香港大學工程學院
工程學院是香港大學于1912年成立的學院之一。自成立以來,教師跟上工程的發(fā)展世界,總是在工程研究的前沿,演變成一個最大的大學教師與五部門提供本科、研究生和研究度在一個廣泛的重要領(lǐng)域的現(xiàn)代工程技術(shù)和計算機科學。學院的目標是為學生提供全面的教育,使畢業(yè)生不僅具備尖端科技的知識,而且具備良好的溝通和社交能力、創(chuàng)新思維、終身學習的態(tài)度、專業(yè)操守和國際視野。
責任編輯:tzh
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5468文章
12721瀏覽量
376101 -
半導體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31402瀏覽量
267307 -
cpu
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
11357瀏覽量
226227 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10453瀏覽量
148824
發(fā)布評論請先 登錄
深入解析BSS138 N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管
2N7002K N溝道增強型場效應(yīng)晶體管:特性與應(yīng)用解析
Onsemi 2N7002W N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管的特性與應(yīng)用解析
探索BSS123 N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管
玩轉(zhuǎn)N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管BSS138
深入解析 onsemi BSS84 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管
深入解析 onsemi FDT457N N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管
探索 onsemi FDT439N:高性能 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管
Onsemi BS170和MMBF170場效應(yīng)晶體管深度解析
深入解析 NDS0605 P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管
安森美NDS355AN場效應(yīng)晶體管:小封裝大性能
深入解析NDS331N:N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管
深入解析NDT014 N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
onsemi 的 NDS9945 雙 N 通道增強型場效應(yīng)晶體管技術(shù)解析
無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
限制有機場效應(yīng)晶體管性能提升和量產(chǎn)的原因是什么?
評論