來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)

概述一

1. 1948年、在貝爾電話(huà)研究所誕生。（公開(kāi)宣布是在 1948 年 6 月 30 日）

晶體管是用于放大或切換電子信號(hào)和電功率的半導(dǎo)體器件。它由半導(dǎo)體材料組成，通常具有至少三個(gè)用于連接到外部電路的端子。施加到一對(duì)晶體管端子的電壓或電流控制通過(guò)另一對(duì)端子的電流。因?yàn)槭芸兀ㄝ敵觯┕β士梢愿哂诳刂疲ㄝ斎耄┕β?，所以晶體管可以放大信號(hào)。今天，一些晶體管是單獨(dú)封裝的，但是更多的晶體管被嵌入到集成電路中。

晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的基本構(gòu)件，并且在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中無(wú)處不在。 Julius Edgar Lilienfeld在1926年獲得了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管專(zhuān)利，但當(dāng)時(shí)不可能真正構(gòu)建一個(gè)工作裝置。第一個(gè)實(shí)際實(shí)現(xiàn)的裝置是由美國(guó)物理學(xué)家John Bardeen，Walter Brattain和William Shockley于1947年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體管。晶體管徹底改變了電子領(lǐng)域，為更小，更便宜的無(wú)線(xiàn)電，計(jì)算器和計(jì)算機(jī)等鋪平了道路。晶體管在電子設(shè)備的IEEE里程碑列表中。Bardeen，Brattain和Shockley分享了1956年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的成就。

2. 從鍺到硅

最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。
但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。
硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。

3. 晶體管的作用是"增幅"和"開(kāi)關(guān)"。

比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號(hào)，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號(hào)的波形，只放大電壓或電流。
這是模擬信號(hào)的情況，但是計(jì)算機(jī)等使用的數(shù)字信號(hào)中，晶體管起著切換0和1的開(kāi)關(guān)作用。
IC及LSI歸根結(jié)底是晶體管的集合，其作用的基礎(chǔ)便是晶體管的增幅作用。

4. 集電阻和晶體管于一體

原來(lái)基板上的電阻和晶體管分別安裝，數(shù)字晶體管即是內(nèi)置了電阻的晶體管。
數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點(diǎn)如：
1. 安裝面積減少2. 安裝時(shí)間減3. 部件數(shù)量減少等等。

數(shù)字晶體管是ROHM的專(zhuān)利。
內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開(kāi)發(fā)并取得專(zhuān)利的。

5. 基極是自來(lái)水的閥門(mén)，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。

用自來(lái)水的構(gòu)造來(lái)舉例說(shuō)明晶體管的作用。把晶體管的3個(gè)引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來(lái)水的閥門(mén)、水龍頭和配管。通過(guò)微小之力（即基極的輸入信號(hào)）來(lái)控制自來(lái)水的閥門(mén)，從而調(diào)節(jié)水龍頭而噴出的巨大的水量（即集電極電流）。借此，可以通俗地領(lǐng)會(huì)這一原理。

概述二

1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)

根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。

雙極晶體管

雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。

FET

Field Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型FET主要用于微控制器等數(shù)字IC。
GaAs型用于衛(wèi)星廣播信號(hào)接收等的微波增幅。

※MOS

Metal Oxide Semiconductor的簡(jiǎn)稱(chēng)，因其構(gòu)造分別是金屬 (Metal)、氧化物(Oxide)、半導(dǎo)體 (Semiconductor)，故稱(chēng)MOS。

2. 按功率分類(lèi)

主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號(hào)晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。

小信號(hào)晶體管

最大集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過(guò)1W的晶體管。相對(duì)功率晶體管而得名，一般以樹(shù)脂封裝居多，這是其特點(diǎn)之一。

功率晶體管

一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比小信號(hào)晶體管擁有更大的最大集電極電流、最大集電極功率，對(duì)于散熱而言，它本身形狀就很大 ，有的功率晶體管上還覆蓋著金屬散熱片。

3. 按集成度分類(lèi)

為滿(mǎn)足客戶(hù)需求，ROHM在分立式晶體管以外，還制造集成多個(gè)晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個(gè)晶體管于一體的晶體管陣列，還有構(gòu)成簡(jiǎn)單電路的晶體管單元。

※數(shù)字晶體管
內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計(jì)中將頻繁使用的部分標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。

4. 按形狀分類(lèi)

根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。

審核編輯黃昊宇