近日，記者獲悉，江蘇微導(dǎo)納米科技股份有限公司（以下簡稱微導(dǎo)）喜獲來自某先進半導(dǎo)體芯片制造企業(yè)的首個訂單，即將交付首臺用于先進技術(shù)節(jié)點的原子層沉積（ALD）量產(chǎn)設(shè)備。

該產(chǎn)品聚焦全球IC制造市場，為邏輯、存儲等超大集成電路制造提供關(guān)鍵工藝技術(shù)和解決方案。尤其是在國內(nèi)尖端半導(dǎo)體芯片制造方面，產(chǎn)品技術(shù)可覆蓋45納米到5納米以下技術(shù)節(jié)點所必需的高介電常數(shù)柵氧層ALD工藝需求，填補了該領(lǐng)域無國產(chǎn)設(shè)備的空白。

2020年，作為國內(nèi)尖端微納制造核心裝備企業(yè)，微導(dǎo)迎來了一個新的重要里程碑：再一次突破技術(shù)“無人區(qū)”，自主研發(fā)的鳳凰系列ALD薄膜沉積系統(tǒng)成功實現(xiàn)量產(chǎn)化，專用于先進超大集成電路（VLSI）制造所需各類ALD薄膜沉積工藝。當(dāng)前尖端半導(dǎo)體芯片制造必需采用的極少數(shù)ALD設(shè)備技術(shù)僅對用戶提供單一或特定工藝制程。

不同于此，微導(dǎo)通過自主創(chuàng)新，在產(chǎn)品設(shè)計性能上力求超越，使該產(chǎn)品具有強大的材料選擇功能，可提供包括HfO2，ZrO2，Al2O3，SiO2，Ta2O5，TiO2，La2O3，ZnO，TiN，以及AlN等多種工藝功能。其中可用于FINFET結(jié)構(gòu)柵氧層的高介電常數(shù)材料（HfO2）的12寸晶圓工藝已達到片內(nèi)及片間薄膜厚度均勻性均在1%以內(nèi)，無可探測的氯、碳雜質(zhì)含量，工藝性能不僅可滿足當(dāng)前45-14nm技術(shù)節(jié)點需求，更重要的是該產(chǎn)品可進行10nm乃至5nm以下技術(shù)節(jié)點的工藝材料升級，為客戶提供在尖端芯片設(shè)計和制造過程中更多的核心工藝選擇性，從而為更好的提升關(guān)鍵制造技術(shù)開發(fā)和知識產(chǎn)權(quán)保護提供重要保障。

微導(dǎo)副董事長、CTO黎微明博士表示，微導(dǎo)推出的ALD設(shè)備面向全球市場，將改變長期以來半導(dǎo)體先進制程關(guān)鍵工藝被極少數(shù)裝備制造商壟斷的現(xiàn)狀，為尖端半導(dǎo)體制造提供了更多選擇，同時對國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈成長具有極大的意義。期待首臺ALD設(shè)備在客戶產(chǎn)線能夠以最快速度順利導(dǎo)入量產(chǎn)，以此為起點和客戶一起建立先進制程開發(fā)和制造能力。微導(dǎo)還將推出一系列半導(dǎo)體領(lǐng)域ALD技術(shù)和裝備，用于邏輯、存儲、特色工藝、化合物半導(dǎo)體等芯片制造，力爭成為ALD技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的先行者與領(lǐng)導(dǎo)者。
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