特斯拉第三代家用充電樁正式在國(guó)內(nèi)推出
今日，智車(chē)派從特斯拉官方獲悉，特斯拉第三代家用充電樁正式在國(guó)內(nèi)推出。新一代充電樁外觀更加小巧精致，表面采用鋼化玻璃面板，重量?jī)H為5.5千克。此外，該充電樁還具備Wi-Fi聯(lián)網(wǎng)和OTA功能。據(jù)悉，此次推出的充電樁價(jià)格為8000元。
特斯拉第三代家用充電樁
第三代家充樁支持220V單相以及380V三相電供電。使用單相電的充電功率為7KW；使用三相電的Model 3/Model Y功率為11KW；Model S/Model X功率為16KW。此外，該充電樁還支持Wi-Fi聯(lián)網(wǎng)，并具備OTA遠(yuǎn)程固件升級(jí)功能。第三代家充樁工作溫度為-30~50℃，滿(mǎn)足大多數(shù)地區(qū)。
特斯拉第三代家用充電樁
第三代家充樁包括Tesla家用充電器一臺(tái)、80m內(nèi)線(xiàn)纜材料及基礎(chǔ)施工費(fèi)用、一個(gè)空氣開(kāi)關(guān)和漏電保護(hù)器及安裝、送電調(diào)試、電纜施工過(guò)程中必要的輔材。值得一提的是，該樁的充電線(xiàn)達(dá)到7.4米，能夠應(yīng)對(duì)車(chē)位距離充電樁較遠(yuǎn)的環(huán)境。質(zhì)保方面，該充電樁質(zhì)保期為4年，安裝工程的質(zhì)保為2年。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
特斯拉
+關(guān)注
關(guān)注
66文章
6421瀏覽量
131508 -
wi-fi
+關(guān)注
關(guān)注
15文章
2468瀏覽量
130080 -
充電樁
+關(guān)注
關(guān)注
156文章
3117瀏覽量
90165
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
博世第三代碳化硅芯片：性能躍升20%，重構(gòu)電動(dòng)汽車(chē)效率新標(biāo)桿
2026年4月，博世正式推出第三代碳化硅芯片，以“綜合性能提升20%”為核心突破，通過(guò)全球產(chǎn)能布局與技術(shù)革新，為電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)注入高效能量控制新動(dòng)能，標(biāo)志著碳化硅半導(dǎo)體在電動(dòng)出行領(lǐng)域的技術(shù)與產(chǎn)業(yè)雙重突破。
基本半導(dǎo)體推出第三代碳化硅MOSFET頂部散熱封裝系列產(chǎn)品
基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)，基本半導(dǎo)體推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7三款頂部散熱封裝產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品聚焦工業(yè)與車(chē)載功率電子應(yīng)用的實(shí)際痛點(diǎn)，在芯片性能與封裝設(shè)計(jì)上進(jìn)行
第三代特斯拉人形機(jī)器人將亮相，預(yù)計(jì)年產(chǎn)百萬(wàn)臺(tái)
2月2日，特斯拉官方微博發(fā)布消息稱(chēng)，第三代特斯拉人形機(jī)器人，即將正式亮相。據(jù)官方消息，新機(jī)完全跳出現(xiàn)有供應(yīng)鏈體系，從第一性原理出發(fā)重新設(shè)計(jì)，不用復(fù)雜編程，觀察人類(lèi)行為、聽(tīng)口頭指令甚至看段視頻，就能自主執(zhí)行任務(wù)。
瑞可達(dá)推出第三代模塊化交直流一體充電插座
瑞可達(dá)憑借深厚的技術(shù)積累與創(chuàng)新精神，推出第三代模塊化交直流一體充電插座，以全新設(shè)計(jì)突破行業(yè)瓶頸，為新能源汽車(chē)充電系統(tǒng)提供更優(yōu)解決方案。
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線(xiàn)開(kāi)發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道，碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道，碳化硅器件成本有望三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算。
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
：Neway定位中高端市場(chǎng)，通過(guò)技術(shù)差異化（如高頻化、高可靠性）獲取溢價(jià)，部分抵消成本壓力。例如，其第三代模塊價(jià)格較同規(guī)格國(guó)際品牌低40%，但仍高于普通硅基方案。成本傳導(dǎo)機(jī)制：在原材料價(jià)格上漲時(shí)，Neway
發(fā)表于 12-25 09:12
開(kāi)啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線(xiàn)SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無(wú)線(xiàn)SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
）和碳化硅（SiC），它們在電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿(mǎn)足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
，這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲(chǔ)存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋(píng)果和三星是 TDK 的主要客戶(hù)，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽(yáng)極
評(píng)論