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如何使用轉(zhuǎn)換器而非控制器

電子設(shè)計 ? 來源:電子設(shè)計 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2022-01-21 16:38 ? 次閱讀
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一般來講,尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便,并能享受城市服務(wù),但他們更愿意搬到郊區(qū),因為那里房子更大,院子更寬敞。同樣,當(dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(POL)設(shè)計時,他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利性,取而代之使用一個涉及控制器(帶外部MOSFET)的更復(fù)雜的解決方案??刂破?,與郊區(qū)環(huán)境相類似,具有相對的靈活性和經(jīng)濟(jì)性,但會占據(jù)更多不動產(chǎn),更多的電路板空間。

直到最近,需要電流超過10-15A的應(yīng)用一般會依賴帶外部MOSFET的控制器。轉(zhuǎn)換器盡管設(shè)計簡易,布局簡單,物料清單(BOM)中部件更少,具有高可靠性的更高密度解決方案,但通常只能提供有限的電量。

諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、開關(guān)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來越高,需要20A、30A、40A或更多電量,以用于它們的POL設(shè)計。然而,這些應(yīng)用對空間要求極為嚴(yán)格,很難兼容采用控制器和外部MOSFET的解決方案。問題在于,在一個需要大電流的應(yīng)用中,您如何使用轉(zhuǎn)換器而非控制器呢?

答案首先考慮最近在MOSFET和封裝技術(shù)方面取得的進(jìn)展。在一個特定的硅面積內(nèi),新一代MOSFET(諸如德州儀器的NexFET? 電源MOSFET)具有較低的電阻率(Rdson),可提高電流能力。PowerStack?封裝技術(shù)可堆疊集成電路和MOSFET,多層疊加,類似于一個市區(qū)建筑,可在特點的空間內(nèi)放入更多東西。

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圖1:控制器集成電路和MOSFET垂直堆疊在PowerStack封裝中

PowerStack封裝中芯片堆疊和封裝黏著的獨特組合與其它并列安放 MOSFET 的解決方案相比,可實現(xiàn)一個尺寸更小、熱性能更佳、電流能力更強(qiáng)、集成度更高的四方扁平無引線封裝解決方案。

隨著MOSFET和封裝技術(shù)的最新發(fā)展,德州儀器現(xiàn)在可提供帶集成FET轉(zhuǎn)換器的產(chǎn)品,用于高功率、高密度POL應(yīng)用。TPS548D22屬于德州儀器高電流同步SWIFT? DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器系列,可提供高達(dá)40A的連續(xù)電流,并采用40管腳、5mm×7mm×1.5mm stack-clipped的QFN PowerStack封裝。訪問DC/DC端口可了解更多德州儀器產(chǎn)品。那些不得不搬到郊區(qū)的人現(xiàn)在可考慮搬回市區(qū)了!

審核編輯:何安

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