NP3401VR 30V p通道增強模式MOSFET
描述
NP3401VR采用了先進的塹壕技術
提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和
工作電壓低至2.5V。這
該器件適用于作為負載開關或PWM
應用程序。
一般特征
?VDS = -30v, id = -4a
RDS(上)(Typ) = 53米Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 68Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?SOT-23
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
注:
a. TC = 25℃。c.t = 5秒。
b.表面安裝在1“x 1”FR4單板上。d.穩(wěn)態(tài)條件下的最大值為175°C/W
審核編輯 黃昊宇
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