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NP4407SR - j30v p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-19 13:50 ? 次閱讀
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描述

NP4407SR-J采用先進(jìn)塹壕

技術(shù)和設(shè)計(jì),提供卓越的RDS(ON)

低柵極電荷。它可用于負(fù)載開關(guān)

電池保護(hù)的應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -30v, id = -12a

RDS(上)(Typ) = 10.8Ω@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 16 mΩ@VGS = -4.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?電池保護(hù)

?負(fù)荷開關(guān)

?SOP-8

poYBAGLWRU-AcspMAADWqam3ODs132.png

訂購信息

pYYBAGLWRWeAd-tCAAA1eSCz4pw169.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLWRYSAeFjEAACqpCbyv6M729.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLWRaGAGS59AAIYi8IteHE827.png

熱特性

pYYBAGLWRgOAeqakAABnUjzXoSw449.png

答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅,在靜止的空氣環(huán)境中

T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。目前的評(píng)級(jí)是基于

t≤10s熱阻額定值。

B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和。

審核編輯 黃昊宇

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