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SRAM,存儲(chǔ)器的新未來

旺材芯片 ? 來源:芯榜 ? 2023-11-12 10:05 ? 次閱讀
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為什么 SRAM 被視為新型和傳統(tǒng)計(jì)算架構(gòu)中的關(guān)鍵元素。

近日,半導(dǎo)體工程與Alphawave Semi首席技術(shù)官 Tony Chan Carusone 和Steve Roddy, Quadric首席營(yíng)銷官;Jongsin Yun,西門子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家,坐下來談?wù)摿?a href="http://m.sdkjxy.cn/v/tag/150/" target="_blank">人工智能和 SRAM 的最新問題。

SE:SRAM 有哪些關(guān)鍵特性使其適合 AI 工作負(fù)載?

Yun:SRAM與CMOS邏輯工藝兼容,這使得SRAM在將一種技術(shù)遷移到另一種技術(shù)時(shí)都會(huì)跟蹤邏輯性能的改進(jìn)。SRAM 是芯片內(nèi)本地可用的存儲(chǔ)器。因此,它提供即時(shí)訪問的數(shù)據(jù),這就是它在人工智能應(yīng)用程序中受到青睞的原因。憑借數(shù)十年的制造經(jīng)驗(yàn),我們了解其大部分潛在問題以及如何最大化其效益。在性能方面,SRAM 是迄今為止我們所知道的性能最高的內(nèi)存解決方案,使其成為人工智能的首選。

Roddy:SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素,它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備,或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM,用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。任何類型的處理器都需要某種形式的 SRAM 作為暫存器、本地存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)中間結(jié)果。無論您談?wù)摰?SoC 是否在計(jì)算引擎旁邊的芯片上具有合理數(shù)量的 SRAM,并且您在片外使用 DDR 或HBM之類的東西來保存模型的大部分內(nèi)容,或者是否你說的是一個(gè)巨大的訓(xùn)練芯片,里面有數(shù)百兆字節(jié)的 SRAM。無論哪種情況,您都需要在執(zhí)行實(shí)際計(jì)算的乘法累加單元大陣列旁邊擁有良好、快速的 SRAM。這只是生活中的一個(gè)事實(shí),剩下的問題就是一個(gè)平衡的問題。將運(yùn)行什么樣的模型?模型是大還是?。窟@是高性能機(jī)器學(xué)習(xí)還是低性能、始終在線的機(jī)器學(xué)習(xí)?那么這就變成了一個(gè)問題:模型中的大部分激活位于推理期間還是訓(xùn)練期間?某處總有 SRAM。它只是一個(gè)基于細(xì)節(jié)的架構(gòu)權(quán)衡問題。

Chan Carusone:SRAM 對(duì)于 AI 至關(guān)重要,尤其是嵌入式 SRAM。它具有最高的性能,您可以將其直接與高密度邏輯集成。僅出于這些原因,它就很重要。邏輯的擴(kuò)展性比 SRAM 更好。因此,SRAM 變得更加重要,并且占用了更大的芯片面積。一些處理器上有大量的 SRAM,這種趨勢(shì)可能會(huì)持續(xù)下去,這開始成為整個(gè)處理器的重要成本驅(qū)動(dòng)因素。我們希望將盡可能多的計(jì)算集成到這些高性能訓(xùn)練引擎上。隨著我們的進(jìn)展,看看如何處理這個(gè)問題將會(huì)很有趣。您看到的一件事是,這些達(dá)到標(biāo)線極限的大型芯片被分解為多個(gè)小芯片,并通過適當(dāng)?shù)幕ミB使它們能夠充當(dāng)一個(gè)大型芯片,從而集成更多的計(jì)算和更多的 SRAM。反過來,大量的 SRAM 進(jìn)一步推動(dòng)了向基于小芯片的實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)變。

Roddy:無論是數(shù)據(jù)中心還是兩美元的邊緣設(shè)備,機(jī)器學(xué)習(xí)都是一個(gè)內(nèi)存管理問題。這不是一個(gè)計(jì)算問題。歸根結(jié)底,你要么擁有大量的訓(xùn)練集,并且整天試圖在片外和片內(nèi)來回洗牌,要么你正在迭代推理,你已經(jīng)得到了一堆權(quán)重,你就會(huì)得到激活。不同風(fēng)格的計(jì)算實(shí)現(xiàn)之間的所有架構(gòu)差異都可以歸結(jié)為管理內(nèi)存以及管理權(quán)重和激活流的不同策略,這在很大程度上取決于可用和選擇的內(nèi)存類型。任何芯片架構(gòu)師都在有效地規(guī)劃出適合其部署場(chǎng)景的內(nèi)存層次結(jié)構(gòu),但在任何場(chǎng)景中,您都必須擁有 SRAM。

SE:內(nèi)存架構(gòu)會(huì)隨著 CXL 采用的擴(kuò)大而發(fā)展嗎?

Chan Carusone:一系列新技術(shù)可能為計(jì)算機(jī)架構(gòu)師提供新的優(yōu)化機(jī)會(huì)。CXL 可能就是其中之一。另一個(gè)是 HBM,它可以實(shí)現(xiàn)密集的集成 DRAM 堆棧。隨著 EDA 工具和 IP 變得更容易實(shí)現(xiàn)這些類型的解決方案,可能會(huì)有一些實(shí)現(xiàn),包括基于小芯片的架構(gòu)。架構(gòu)師必須使用各種新的旋鈕,這些旋鈕可能允許針對(duì)不同級(jí)別的緩存混合使用不同的內(nèi)存技術(shù)。這為針對(duì)特定工作負(fù)載定制硬件解決方案創(chuàng)造了良好的機(jī)會(huì),而無需從頭開始進(jìn)行完整的新設(shè)計(jì)。

Yun:CXL就像是PCI Express的進(jìn)化版。它提供 CPU、GPU 和其他存儲(chǔ)器等設(shè)備之間的高速通信。它們提供一些緩存共享,因此允許設(shè)備之間進(jìn)行一些通信和共享內(nèi)存。使用這種解決方案,三星最近建議在 DRAM 內(nèi)進(jìn)行近內(nèi)存計(jì)算,這可能會(huì)填充 L3 級(jí)別之后和主內(nèi)存級(jí)別之后的一些內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)。

Roddy:與四年前相比,我們現(xiàn)在獲得了更廣泛的模型尺寸動(dòng)態(tài)范圍。大型語言模型 (LLM) 已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心存在了幾年,現(xiàn)在開始遷移到邊緣。您會(huì)看到人們談?wù)撛诠P記本電腦上運(yùn)行 70 億個(gè)參數(shù)的模型。在這種情況下,您希望將生成能力融入到您的 Microsoft 產(chǎn)品中。例如,當(dāng)你被困在飛機(jī)上時(shí),你無法訪問云端,但你希望能夠運(yùn)行一個(gè)大模型。兩四年前還不是這樣,甚至人們?cè)谠贫诉\(yùn)行的模型也沒有這些700億到1000億參數(shù)的模型那么大。

SE:這有什么影響?

Roddy:它對(duì)系統(tǒng)中的內(nèi)存總量以及在處理元素的“前門”暫存權(quán)重和激活的策略都有著巨大的影響。例如,在我們工作的設(shè)備領(lǐng)域,設(shè)備上或片上更大的 SRAM 的集成度要高得多。

然后是接口,無論是 DDR、HBM 還是 CXL 之類的東西,人們?cè)噲D弄清楚,“好吧,我有冷存儲(chǔ),因?yàn)槲乙呀?jīng)將 100 億個(gè)參數(shù)模型存儲(chǔ)在某個(gè)地方了” ,以及我的高端手機(jī)中的所有其他元素?!蔽冶仨殞⑵鋸睦浯鎯?chǔ)中取出,放入片外“溫存儲(chǔ)”、DDR、HBM,然后我必須快速將片上和片外的數(shù)據(jù)移至 SRAM(靠近我的計(jì)算元件) ,無論是我們的芯片,還是 NVIDIA 的芯片,等等。同樣的層次結(jié)構(gòu)也必須存在。因此,這些接口的速度和功率對(duì)于系統(tǒng)的整體功率性能至關(guān)重要,而信號(hào)策略現(xiàn)在也將成為整體系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素。幾年前,人們將機(jī)器學(xué)習(xí)的效率視為硬件問題。如今,它更多地是一個(gè)離線提前編譯軟件的問題。我如何看待這個(gè)龐大的模型,我將對(duì)其進(jìn)行多次排序(無論是訓(xùn)練還是推理),以及如何以最智能的方式對(duì)數(shù)據(jù)中的張量進(jìn)行排序以最小化接口?它已成為編譯器挑戰(zhàn)、MAC 效率挑戰(zhàn)。所有利用模擬計(jì)算或內(nèi)存計(jì)算構(gòu)建系統(tǒng)的早期嘗試,以及所有其他深?yuàn)W的執(zhí)行,都半途而廢了。人們現(xiàn)在意識(shí)到,如果我一遍又一遍地來回移動(dòng) 1000 億字節(jié)的數(shù)據(jù),那就是我需要解決的問題。不是,“我是否使用某種不消耗電力的奇怪預(yù)期邏輯來進(jìn)行 8 x 8 乘法運(yùn)算?”歸根結(jié)底,這只是整個(gè)問題的一小部分。

Chan Carusone:如果 SRAM 密度成為一個(gè)問題并限制芯片尺寸,那么可能會(huì)在內(nèi)存應(yīng)駐留的位置方面做出不同的權(quán)衡。CXL 等新技術(shù)工具的可用性可能會(huì)滲透并影響軟件的架構(gòu)和構(gòu)思方式,以及對(duì)于特定應(yīng)用程序可能最有效的算法。這種相互作用將變得更加有趣,因?yàn)檫@些模型是如此巨大,以至于像這樣的正確決策可以對(duì)總功耗或模型實(shí)施成本產(chǎn)生巨大影響。

SE:SRAM 如何幫助平衡AI和其他系統(tǒng)的低功耗和高性能?

Chan Carusone:簡(jiǎn)單的答案是,嵌入 SRAM 可以實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)檢索并減少計(jì)算所需的延遲。它減少了芯片外的需要,芯片通常更耗電。每一筆片外交易的成本都更高。這是在用 SRAM 填充芯片和沒有任何剩余空間來執(zhí)行邏輯之間的權(quán)衡。

Roddy:當(dāng)你沿著邏輯和 SRAM 之間的技術(shù)曲線向下移動(dòng)時(shí),擴(kuò)展差異與有關(guān)管理、功耗和可制造性的其他問題相互作用。例如,有很多人工智能推理或訓(xùn)練架構(gòu)都依賴于處理元素陣列。你會(huì)看到很多數(shù)據(jù)流類型的架構(gòu),很多矩陣計(jì)算引擎的數(shù)組。

我們?cè)?Quadric 的架構(gòu)有一個(gè)處理元素的二維矩陣,我們將 8 個(gè) MAC、一些 ALU 和內(nèi)存分塊,然后將其平鋪和擴(kuò)展——與人們?cè)诰哂写罅恐饕婊蚋鞣N其他引擎的 GPU 中所做的事情沒有太大不同。數(shù)據(jù)流架構(gòu)。當(dāng)我們第一次實(shí)現(xiàn)我們的架構(gòu)時(shí),我們做了一個(gè) 16 納米的概念驗(yàn)證芯片。我們選擇在每個(gè)計(jì)算元素旁邊放置多少內(nèi)存是相當(dāng)簡(jiǎn)單的。我們?cè)诿恳粋€(gè) MAC 和 ALU 的小引擎旁邊都有一個(gè) 4k 字節(jié)的 SRAM,具有相同的邏輯塊,組織為 512 x 32 位。當(dāng)你縮小規(guī)模時(shí),突然你會(huì)看到 4nm,你會(huì)想,讓我們用觸發(fā)器來構(gòu)建它,因?yàn)閾碛兴?SRAM 結(jié)構(gòu)的開銷并沒有像邏輯那樣擴(kuò)展。在 4 納米,處理器設(shè)計(jì)人員是否需要思考:“我是否需要在本地計(jì)算引擎級(jí)別更改整個(gè)系統(tǒng)中的資源量?我是否應(yīng)該增加內(nèi)存大小以使其成為 SRAM 的有用大小?或者我是否需要從 SRAM 轉(zhuǎn)換為傳統(tǒng)的基于觸發(fā)器的設(shè)計(jì)?”但是,如果您談?wù)摰氖瞧嚱鉀Q方案,那么這會(huì)改變可測(cè)試性和適合率方面的方程式。所以這里有很多事情在起作用,這些都是這個(gè)能力層次結(jié)構(gòu)的一部分。

解決方案架構(gòu)師需要了解的整個(gè)情況需要大量技能,例如流程技術(shù)、效率、內(nèi)存和編譯器。這是一個(gè)不平凡的世界,這就是為什么有如此多的投資涌入這一領(lǐng)域。我們都希望這些聊天機(jī)器人能夠做出奇妙的事情,但目前還不清楚什么是正確的方法。這不是一個(gè)成熟的行業(yè),你需要年復(fù)一年地進(jìn)行增量設(shè)計(jì)。這些系統(tǒng)會(huì)在兩三年內(nèi)發(fā)生根本性的變化。這就是它令人興奮的原因——但也很危險(xiǎn)。

Chan Carusone:臺(tái)積電廣為人知的 FinFlex 技術(shù)可以提供另一種在功率與性能泄漏與面積之間進(jìn)行權(quán)衡的途徑。另一個(gè)跡象是人們現(xiàn)在談?wù)摰氖?8T 細(xì)胞而不是 6T 細(xì)胞。每個(gè)人都在推動(dòng)這些設(shè)計(jì),為不同的應(yīng)用探索設(shè)計(jì)空間的不同部分。所有研發(fā)投資都說明了這一點(diǎn)的重要性。

Yun:使用觸發(fā)器作為存儲(chǔ)器是個(gè)好主意。我們可以更快地讀/寫,因?yàn)?a href="http://m.sdkjxy.cn/tags/寄存器/" target="_blank">寄存器文件的翻轉(zhuǎn)速度比 L1 高速緩存快得多。如果我們使用它,這將是提高性能的最終解決方案。根據(jù)我的經(jīng)驗(yàn),寄存器文件在處理瞬態(tài)缺陷方面比 SRAM 更穩(wěn)健,因?yàn)樗哂懈鼜?qiáng)的下拉和上拉性能。如果我們有大量帶有微小存儲(chǔ)器的內(nèi)核,并且內(nèi)核中的這些存儲(chǔ)器由寄存器文件組成,那么這是一個(gè)非常好的解決方案。我唯一擔(dān)心的是寄存器文件使用比SRAM更大的晶體管,因此待機(jī)泄漏和動(dòng)態(tài)功耗比SRAM高得多。當(dāng)我們使用寄存器文件時(shí),是否有解決方案來解決額外的功耗?

Roddy:然后你就會(huì)遇到寄存器文件分區(qū)、時(shí)鐘門控和斷電的問題。這是編譯器的挑戰(zhàn),離線提前編譯,因此您將知道在任何給定時(shí)間點(diǎn)正在使用多少 reg 文件或內(nèi)存。如果您在銀行中構(gòu)建它,并且可以將其關(guān)閉,則可以減輕此類問題,因?yàn)閷?duì)于在機(jī)器學(xué)習(xí)中運(yùn)行的圖表的某些部分,您不需要所有內(nèi)存。對(duì)于其他部分,您確實(shí)需要所有內(nèi)存來啟動(dòng)和關(guān)閉電源。我們正在對(duì)張量的形狀和大小以及張量的局部性進(jìn)行大量復(fù)雜的分析。張量的移動(dòng)成為一個(gè)大型的提前圖編譯問題,而不是 8 x 8 乘法或浮點(diǎn)乘法的優(yōu)化。仍然重要的是,上面還有一個(gè)更高的杠桿點(diǎn)。通過優(yōu)化操作順序,您可以盡早獲得更多的優(yōu)勢(shì),而不是在已經(jīng)安排好之后再優(yōu)化能效延遲。

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原文標(biāo)題:SRAM,存儲(chǔ)器的新未來

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    spi psram偽靜態(tài)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么

    PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器,主要是因?yàn)槠洳捎妙?b class='flag-5'>SRAM的接口協(xié)議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制定期刷新數(shù)據(jù)單元。
    的頭像 發(fā)表于 10-23 14:29 ?529次閱讀

    MCU存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)解析

    ? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,直接參與運(yùn)算
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:21 ?938次閱讀
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