日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計算的前沿

jf_pJlTbmA9 ? 2023-11-23 09:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富,提供優(yōu)異的散熱,極大簡化了熱管理。

近些年來,人工智能AI)的蓬勃發(fā)展推動了芯片組技術(shù)的新進步。與傳統(tǒng) CPU 相比,現(xiàn)在的芯片組功能更強大,運行更高效,但功率消耗也更高。功率消耗的急劇攀升為系統(tǒng)設(shè)計人員帶來了難題,他們正在努力設(shè)計既能在更小的空間內(nèi)提供更大功率,又能保證效率和可靠性的電源。

Wolfspeed 的新型 C3M0025065L 25 mΩ 碳化硅 MOSFET(圖 1)為現(xiàn)代服務(wù)器電源面臨的功率消耗難題提供了理想的解決方案。

圖 1:C3M0025065L 的封裝背面有一塊很大的金屬片,并設(shè)計有單獨的驅(qū)動器源極引腳(來源:Wolfspeed)。

C3M0025065L 采用符合 JEDEC 標準的 TO 無引線(TOLL)封裝,與采用諸如 D2PAK 等封裝的同類表面貼裝器件(SMD)相比,其尺寸小 25%,高度低 50%。更小的尺寸可以使熱阻最多降低 20%,從而為整個系統(tǒng)帶來成本、空間和重量優(yōu)勢。此外,TOLL 封裝的電感比諸如 D2PAK 等其他 SMD 更低,如圖 2 所示,該封裝的背面有一塊更大的金屬片,因此焊接到 PCB 上可以更好地散熱。

圖 2:TOLL 與 D2PAK 的金屬片面積尺寸對比(來源:Wolfspeed)。

表 1 展示了人工智能芯片組如何會產(chǎn)生數(shù)百瓦的功率消耗,以及如何將功率提供要求提高到超過 3.5 kW。此外,這些電源需要符合 Titanium 80+ 標準,該標準要求電源使用的輸入不論是 230 VAC 還是 115 VAC,在負載為 50% 和 100% 時的最低效率分別應(yīng)達到 92% 和 90%。

使用 C3M0025065L,設(shè)計人員可以運用圖騰柱 PFC 實現(xiàn) 0.95 的最低功率因數(shù),并符合 Titanium 80+ 標準。該拓撲結(jié)構(gòu)在推挽配置中使用兩個開關(guān),憑借零反向恢復電流、低封裝電感以及更寬的輸入電壓范圍能提供高效率和低 EMI。

表 1:頂尖人工智能 GPU 的功率消耗不斷攀升。

Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富,能提供優(yōu)異的散熱,極大簡化了熱管理,即便在嚴苛的條件下也是如此。節(jié)省空間的 TOLL 封裝可實現(xiàn)更為緊湊和精簡的設(shè)計,是 Wolfspeed 繼續(xù)突破碳化硅器件現(xiàn)場工作超 10 萬億小時(并在不斷增加)記錄的最新器件之一。

您可在 Wolfspeed.com 上或通過您當?shù)氐氖跈?quán)經(jīng)銷商獲取新型 C3M0025065L 的樣品。如需了解 Wolfspeed 如何與遍布全球的電源設(shè)計人員開展合作的更多信息

關(guān)于 Wolfspeed, Inc.
Wolfspeed(美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF)引領(lǐng)碳化硅(SiC)技術(shù)在全球市場的采用。我們?yōu)楦咝茉垂?jié)約和可持續(xù)未來提供業(yè)界領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 產(chǎn)品家族包括了 SiC 材料、功率器件,針對電動汽車、快速充電、可再生能源和儲能等多種應(yīng)用。我們通過勤勉工作、合作以及對于創(chuàng)新的熱情,開啟更多可能。

審核編輯 黃宇


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9339

    瀏覽量

    149085
  • 人工智能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1821

    文章

    50367

    瀏覽量

    267060
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3557

    瀏覽量

    52676
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    《氧化鋁、碳化硅、氮化硅,誰才是工業(yè)陶瓷老大?》

    如果非要在氧化鋁、碳化硅和氮化硅這三大工業(yè)陶瓷中選出一個“老大”,我們不妨借用一個形象的比喻來理解它們各自的“江湖地位”:坐鎮(zhèn)中樞的氧化鋁是“丞相”,攻城拔寨的碳化硅是“征北大將軍”,而銳不可當
    發(fā)表于 04-29 07:23

    以可靠的碳化硅基固態(tài)變壓器為AI人工智能賦能

    英偉達在 2025 年 Computex 上宣布的 800 V 高電壓直流架構(gòu) — 從根本上改變了人工智能工廠的電力傳輸方式,直接提升了 GPU 密度和效率 [1]。通過以更高電壓分配電力,顯著減少
    的頭像 發(fā)表于 03-31 09:59 ?425次閱讀
    以可靠的<b class='flag-5'>碳化硅</b>基固態(tài)變壓器為AI<b class='flag-5'>人工智能</b>賦能

    技術(shù)突圍與市場破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑

    ,市場對高性能內(nèi)膽的需求缺口正在放大。國內(nèi)部分技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)已開始布局,例如海合精密陶瓷有限公司等具備先進陶瓷制備能力的廠商,正通過優(yōu)化氮化硅-碳化硅復合材料的配方與燒結(jié)工藝,力圖在保證性能的前提下
    發(fā)表于 03-20 11:23

    Wolfspeed發(fā)布300mm碳化硅AI數(shù)據(jù)中心先進封裝平臺

    全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)于近日宣布,Wolfspeed 300mm 碳化硅 (SiC) 技術(shù)平臺可在這十年內(nèi)成為支撐先進人工智能 (AI) 和高性能
    的頭像 發(fā)表于 03-13 13:47 ?1280次閱讀
    Wolfspeed發(fā)布300mm<b class='flag-5'>碳化硅</b>AI數(shù)據(jù)中心先進<b class='flag-5'>封裝</b>平臺

    QDPAK封裝SiC碳化硅MOSFET安裝指南

    基本半導體(BASiC Semiconductor)碳化硅(SiC)MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V 的 AB3M040120CQ),這兩款器件均
    的頭像 發(fā)表于 02-26 09:46 ?523次閱讀
    QDPAK<b class='flag-5'>封裝</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET安裝指南

    簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應(yīng)商以及
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?1057次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球?qū)稍偕茉础㈦妱悠?(EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?2009次閱讀

    基本半導體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?1470次閱讀
    基本半導體1200V工業(yè)級<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    碳化硅在電機驅(qū)動中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7406次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機驅(qū)動中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?2038次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?1708次閱讀
    基本半導體推出34mm<b class='flag-5'>封裝</b>的全<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋模塊

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1452次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

    碳化硅技術(shù)進行商業(yè)化應(yīng)用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導體行業(yè)實現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 06-13 09:34 ?1665次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在多種應(yīng)用場景中的影響

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級路徑。國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)創(chuàng)立初期采用Fabless模式,專注于 芯片設(shè)計與市場開拓 ,但很快意識到IDM(集成設(shè)計制造)模式
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1508次閱讀
    拜城县| 正定县| 清镇市| 滦南县| 新龙县| 利辛县| 三江| 浮梁县| 康平县| 乌审旗| 城市| 灵丘县| 灵山县| 长治县| 突泉县| 博野县| 佛坪县| 梅河口市| 涿州市| 鄄城县| 永善县| 祥云县| 芜湖市| 伊吾县| 宜阳县| 长汀县| 朝阳市| 淮滨县| 方正县| 涪陵区| 报价| 乐亭县| 海阳市| 河西区| 沧州市| 工布江达县| 沈阳市| 凭祥市| 邵东县| 朝阳区| 旌德县|