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三星擴(kuò)大與Arm合作,優(yōu)化下一代GAA片上系統(tǒng)IP

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-02-21 16:35 ? 次閱讀
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三星電子宣布,其與英國(guó)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司安謀(ARM)的合作將得到加強(qiáng),旨在提升其代工業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力。此次合作中,三星電子意圖借助世界領(lǐng)先的GAA(環(huán)柵場(chǎng)效晶體管)技術(shù),升級(jí)自家的片上系統(tǒng)(SoC) IP。合作焦點(diǎn)在于,優(yōu)化ARM在Cortex-A、Cortex-X通用CPU核心上的下一代芯片,進(jìn)一步迎接其即將到來(lái)的2nm制程。然而具體細(xì)節(jié)暫未公布,例如是否將對(duì)三星在2025年推出的SF2制程或2026年推出的SF2P制程進(jìn)行專門設(shè)計(jì)。

三星方面確認(rèn),此舉目的在于提升無(wú)晶圓廠商使用尖端GAA工藝的可能性,并縮減新品開(kāi)發(fā)周期及費(fèi)用。GAA被譽(yù)為下一代半導(dǎo)體核心技術(shù),使晶體管性能得以提升,被譽(yù)為代工產(chǎn)業(yè)“變革者”。早在2022年6月,三星已經(jīng)成為全球首家應(yīng)用GAA技術(shù)于3nm制程的公司,現(xiàn)正逐步推廣第一代3納米GAA工藝。

三星電子與ARM的合作歷程長(zhǎng)達(dá)逾十年,早在2018年7月就擴(kuò)大至7納米、5nm FinFET工藝技術(shù)。雙方共同追求優(yōu)秀的功耗性能比(PPA),并致力于為眾多初創(chuàng)企業(yè)及時(shí)提供產(chǎn)品。展望未來(lái),目標(biāo)更是包括陸續(xù)推出適用于數(shù)據(jù)中心的2nm GAA技術(shù),以面向AI移動(dòng)計(jì)算市場(chǎng)的定制半導(dǎo)體和AI小芯片解決方案等多領(lǐng)域。

可以預(yù)見(jiàn),此次合作能否給三星電子代工業(yè)務(wù)注入新動(dòng)力,備受關(guān)注。盡管三星電子去年四季度業(yè)績(jī)因?yàn)槭袌?chǎng)需求不振而略顯低迷,但訂單數(shù)卻創(chuàng)造了年內(nèi)新紀(jì)錄。韓國(guó)KB證券分析師金東元表示,去年三星代工廠訂單額高達(dá)160億美元,預(yù)計(jì)將由2022年的100家客戶增至2023年的120家,直到2028年達(dá)到210家,增幅超過(guò)一倍。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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