長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法
在近日，中國(guó)企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司展示了其專利——“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法”。此項(xiàng)專利已于申請(qǐng)公布日2024年3月12日正式公開(kāi)，公開(kāi)編號(hào)為CN117693193A。
這個(gè)新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個(gè)部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)，它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)之間；隔離結(jié)構(gòu)頂部高度低于電容接觸結(jié)構(gòu)；隔離凹槽，從隔離結(jié)構(gòu)頂部延伸到內(nèi)部空間，且與電容接觸結(jié)構(gòu)保持距離。
通過(guò)在隔離結(jié)構(gòu)頂部設(shè)計(jì)隔離凹槽，可以有效地防止由于電容接觸材料氧化所引起的相鄰電容接觸結(jié)構(gòu)的互相干擾，從而防止短路現(xiàn)象的發(fā)生。這樣一來(lái)，后續(xù)的電容生成過(guò)程就不會(huì)受到干擾，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和使用可靠性，進(jìn)而提升了整體半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的質(zhì)量水平和電子性能。
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現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
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評(píng)論