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近日，SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出，由于內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇以及對(duì)高效能運(yùn)算和汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球用于前端設(shè)施的300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)估在2025年首次突破1000億美元，到2027年將達(dá)到1370億美元的歷史新高。

全球300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將在2025年成長20%至1165億美元，2026年將成長12%至1305億美元，將在2027年創(chuàng)下歷史新高。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“未來幾年內(nèi)300mm晶圓廠設(shè)備支出預(yù)估將呈現(xiàn)大幅成長，反映出市場(chǎng)確實(shí)需要這樣的生產(chǎn)能力，以滿足不同市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的成長需求，以及人工智能創(chuàng)新帶來的新一波應(yīng)用浪潮。最新的SEMI報(bào)告也特別指出，政府增加半導(dǎo)體制造投資對(duì)于促進(jìn)全球經(jīng)濟(jì)和安全的重要性。這股趨勢(shì)預(yù)計(jì)將有助于縮小各個(gè)地區(qū)間的設(shè)備支出差距。”

Regional Growth 區(qū)域展望

SEMI《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告》顯示，在政府激勵(lì)措施和芯片國產(chǎn)化政策的推動(dòng)下，中國未來四年將保持每年300億美元以上的投資規(guī)模，繼續(xù)引領(lǐng)全球晶圓廠設(shè)備支出。

受惠于高效能運(yùn)算 (HPC) 應(yīng)用帶動(dòng)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)擴(kuò)張和內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇，中國臺(tái)灣地區(qū)和韓國的芯片供貨商預(yù)期將提高相對(duì)應(yīng)的設(shè)備投資。中國臺(tái)灣地區(qū)的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將從2024年的203億美元增加到2027年的280億美元，排名第二；而韓國則將從今年的195億美元增加到2027年的263億美元，排名第三。

美洲地區(qū)的300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將成長一倍，從2024年的120億美元提高到2027年的247億美元；而日本、歐洲和中東以及東南亞的支出預(yù)計(jì)將在2027年分別達(dá)到114億美元、112億美元和53億美元。

領(lǐng)域展望

晶圓代工領(lǐng)域支出預(yù)計(jì)今年將下降4%來到566億美元，部分原因是成熟節(jié)點(diǎn)（>10nm）投資預(yù)估將會(huì)放緩，為滿足市場(chǎng)對(duì)生成式AI、汽車和智能邊緣裝置的需求，此領(lǐng)域在所有領(lǐng)域中仍保持最高的成長率，設(shè)備支出從2023年到2027年預(yù)計(jì)將帶來7.6%年復(fù)合成長率 (CAGR) 達(dá)到791億美元。

數(shù)據(jù)傳輸帶寬對(duì)于AI服務(wù)器的運(yùn)算效能至關(guān)重要，帶動(dòng)高帶寬內(nèi)存 (HBM) 強(qiáng)勁需求，導(dǎo)致memory技術(shù)的投資增加。memory在所有領(lǐng)域中排名第二，2023年到2027年的年復(fù)合成長率將達(dá)到20%。DRAM設(shè)備支出預(yù)計(jì)將在2027年提高到252億美元，年復(fù)合成長率為17.4%；而3D NAND的投資預(yù)計(jì)將在2027年達(dá)到168億美元，年復(fù)合成長率為29%。

預(yù)計(jì)到2027年，模擬 (Analog)、微型 (Micro)、光電 (Opto) 和分離 (Discrete) 器件領(lǐng)域的300mm晶圓廠設(shè)備投資將分別增加至55億美元、43億美元、23億美元和16億美元。

SEMI《300mm晶圓廠2027年展望報(bào)告》列出全球405座設(shè)施和生產(chǎn)線，包括預(yù)計(jì)將在未來四年內(nèi)開始營運(yùn)的75座設(shè)施。上一期報(bào)告的發(fā)布日期為2023年12月，本期刊載358項(xiàng)更新和26個(gè)新晶圓廠/生產(chǎn)線項(xiàng)目。

審核編輯 黃宇