韓國創(chuàng)新型相變存儲器結合DRAM和NAND優(yōu)點
近期，韓國科技先進研究院成功研發(fā)出一種新型相變存儲器（PCM），該技術可根據(jù)需求靈活執(zhí)行結晶（低電阻）或非晶體（高電阻）的切換，使其既具備DRAM高速且易丟失數(shù)據(jù)的特點，又具NAND閃存的掉電保護功能，堪稱兩者優(yōu)點集大成者。
然而，盡管PCM技術兼具速度與非易失性兩個優(yōu)點，但由于制造工藝復雜且成本較高，同時還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài)，導致生產過程耗電量巨大。
針對此問題，Shinhyun Choi教授領導的科研團隊創(chuàng)新地提出了另一種解決方案——即僅對直接參與相變過程的組件進行壓縮，以此創(chuàng)造一種名為相變納米絲的全新相變材料。
這種新方法顯著提升了制造成本與降低了能耗，相對于傳統(tǒng)采用高價光刻工具制造的相變存儲器，新式PCM的耗電量僅為原來的1/15。此外，新型相變存儲器仍保留了傳統(tǒng)存儲器的諸多優(yōu)良特性，如速度快、ON/OFF比大、變化小以及多級存儲特性等。
Choi教授表示，他們預期這項研究成果將成為未來電子工程領域的重要基石，有望廣泛應用于高密度3D垂直存儲器、神經(jīng)形態(tài)計算系統(tǒng)、邊緣處理器及內存計算系統(tǒng)等領域。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
PCM
+關注
關注
1文章
213瀏覽量
56034 -
DRAM
+關注
關注
41文章
2403瀏覽量
189661 -
存儲器
+關注
關注
39文章
7761瀏覽量
172311
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
相變存儲器 (PCM) 技術介紹
PCM（Phase-Change Memory 相變存儲器）屬于新型電阻式存儲器，其存儲元件工作原理及對 CMOS 工藝集成度的影響，與浮柵
發(fā)表于 04-29 15:58
低功耗DRAM可靠存儲解決方案
在半導體存儲領域，低功耗DRAM正成為越來越多嵌入式系統(tǒng)和移動終端的首選。本文介紹的EM639325 SDRAM是一款高速CMOS同步動態(tài)隨機存取存儲器，采用128兆位內部架構，專為需要高內存帶寬與低功耗平衡的應用場景打造。
半導體存儲器的發(fā)展過程和主要分類
從打孔卡到納米芯片，存儲技術跨越三個世紀。本文系統(tǒng)回顧存儲器演進史，詳解易失與非易失性存儲的分類邏輯，重點剖析現(xiàn)代科技“心臟”——DRAM。從1T1C單元結構到讀寫刷新的電荷流轉機制，
【案例5.1】存儲器選型的考慮要點
【案例5.1】存儲器選型的考慮要點某設計，用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps，每8個字節(jié)的數(shù)據(jù)對應一次查表需求，數(shù)據(jù)表存儲在由DDR4SDRAM組成的存儲器中。工程師需綜合考慮各方面要求，進行
DRAM動態(tài)隨機存取存儲器DDR2 SDRAM內存解決方案
在半導體存儲領域，DRAM動態(tài)隨機存取存儲器始終是電子設備性能的核心支撐。作為存儲解決方案的重要組成部分，DDR2 SDRAM內存解決方案憑借其高效的數(shù)據(jù)處理能力和穩(wěn)定的運行表現(xiàn)，廣泛
DRAM芯片選型,DRAM工作原理
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片作為計算機系統(tǒng)內存的核心組成部分，承擔著臨時存儲CPU運算所需數(shù)據(jù)和指令的關鍵任務。DRAM芯片憑借高存儲
什么是DRAM存儲芯片
在現(xiàn)代存儲芯片領域中，主要有兩大類型占據(jù)市場主導：DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和NAND閃存。二者合計占據(jù)了全球存儲芯片市場的95%以上份
創(chuàng)新的高帶寬DRAM解決方案
AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網(wǎng)邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價比和低功耗優(yōu)勢，
PSRAM融合SRAM與DRAM優(yōu)勢的存儲解決方案
PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內核架構的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設計
NAND Flash的基本原理和結構
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術，主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，
新型存儲突破，ULTRARAM即將量產
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日Quinas Technology 和 IQE plc 宣布，新型存儲器ULTRARAM 已突破重大制造障礙，即將進入試生產階段。 ? ULTRARAM結合了DRAM
攻克存儲芯片制造瓶頸：高精度晶圓切割機助力DRAM/NAND產能躍升
在存儲芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個芯片（Die）的關鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變薄（尤其對于高容量3DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來
簡單認識高帶寬存儲器
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（
半導體存儲芯片核心解析
，是信息時代的基石。
2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類依據(jù)：
易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點：速度快，通常用作系統(tǒng)運行的“工作臺”。
代表：DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器
發(fā)表于 06-24 09:09
評論