近期，芯塔電子宣布推出適用于電動(dòng)汽車主驅(qū)功率模塊的1200V/14mΩ SiC MOSFET新品，這意味著其成為國(guó)內(nèi)能夠批量供應(yīng)大電流低阻（Rst）SiC MOSFET產(chǎn)品的稀有碳化硅器件供應(yīng)商之一。

芯塔團(tuán)隊(duì)?wèi){借出色的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得新品各項(xiàng)參數(shù)表現(xiàn)卓越：在擊穿電壓與閾值電壓方面保持高度一致且穩(wěn)定；Rsp達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水準(zhǔn)，整體優(yōu)勢(shì)顯著。

此外，得益于國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈支持，該產(chǎn)品的襯底、外延采用國(guó)產(chǎn)材料，晶圓流片及芯片封裝均在國(guó)內(nèi)完成，為實(shí)現(xiàn)車用功率芯片的優(yōu)質(zhì)國(guó)產(chǎn)替代提供有力支撐。

為了確?？蛻臬@得高效可靠的SiC MOSFET產(chǎn)品，芯塔電子對(duì)整個(gè)項(xiàng)目周期實(shí)施嚴(yán)格的質(zhì)量管控。1200V/14mΩ SiC MOSFET需經(jīng)過(guò)比AEC-Q101更為嚴(yán)格的測(cè)試條件，并按VDS=960V進(jìn)行HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證。

產(chǎn)品重要特性參數(shù)具備極高一致性：Vth參數(shù)漂移量不超過(guò)1.5%，BVDS參數(shù)漂移量不超過(guò)1.0%，RDs（on）參數(shù)漂移量不超過(guò)1.5%。

截至目前，芯塔電子已推出涵蓋650V/1200V/1700V多個(gè)電壓平臺(tái)的近40款SiC MOSFET系列產(chǎn)品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具備更小尺寸、更低寄生干擾、優(yōu)秀散熱性能及高可靠性的封裝形態(tài)，部分產(chǎn)品已獲車規(guī)AEC-Q101及加嚴(yán)H3TRB雙重認(rèn)證。

基于1200V/14mΩ SiC MOSFET芯片的優(yōu)良性能，芯塔電子陸續(xù)推出了包括單管及HPD模塊在內(nèi)的多種封裝形式。

隨著新產(chǎn)品的加入，芯塔電子的碳化硅產(chǎn)品線得以進(jìn)一步完善，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車（EV）主驅(qū)逆變器、OBC/DC-DC、充電樁、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）以及工業(yè)電源等領(lǐng)域，以滿足客戶多元化的應(yīng)用需求。