全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時(shí)代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI）浪潮帶來(lái)的存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)快速增長(zhǎng)機(jī)遇。

三星電子的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門——設(shè)備解決方案部門（DS）已制定明確規(guī)劃，目標(biāo)是在2026年或之前成功研發(fā)出至少擁有400層單元垂直堆疊的V-NAND，以期在提升存儲(chǔ)容量與性能方面達(dá)到新高度。

目前，三星正批量生產(chǎn)286層大容量V9 NAND閃存芯片。然而，在現(xiàn)有的NAND芯片設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)單元堆疊在外圍設(shè)備之上，而堆疊超過(guò)300層往往會(huì)對(duì)外圍設(shè)備造成損害。為了突破這一技術(shù)瓶頸，三星計(jì)劃在尖端的V10 NAND中引入創(chuàng)新的鍵合技術(shù)。該技術(shù)將分別在不同的晶圓上制造存儲(chǔ)單元和外圍設(shè)備，隨后再進(jìn)行鍵合，從而實(shí)現(xiàn)“超高”NAND堆疊。

三星表示，這種被稱為鍵合垂直NAND閃存（BV NAND）的新技術(shù)，不僅具備大存儲(chǔ)容量，還擁有卓越的散熱性能，是AI數(shù)據(jù)中心所需超大容量固態(tài)硬盤（SSD）的理想選擇。三星自豪地宣稱，BV NAND是“AI的理想NAND”。

回顧歷史，三星于2013年率先在業(yè)內(nèi)推出垂直堆疊存儲(chǔ)單元，開(kāi)創(chuàng)了V NAND芯片的新紀(jì)元，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)容量的最大化。據(jù)三星透露，BV NAND技術(shù)可將單位面積的比特密度提升1.6倍。

展望未來(lái)，三星計(jì)劃在2027年推出V11 NAND，進(jìn)一步推動(dòng)堆疊技術(shù)的發(fā)展，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)輸入和輸出速度將提高50%。此外，三星還計(jì)劃推出SSD訂購(gòu)服務(wù)，以滿足科技公司管理AI半導(dǎo)體投資高成本的需求。

三星更是雄心勃勃地提出，到2030年，將開(kāi)發(fā)出超過(guò)1000層的NAND芯片，以持續(xù)提升存儲(chǔ)密度和能力，鞏固其在大容量、高性能NAND閃存市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

NAND閃存作為非易失性存儲(chǔ)芯片，能夠在電源關(guān)閉時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、U盤和服務(wù)器等設(shè)備。根據(jù)市場(chǎng)追蹤機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)，截至第二季度，三星在NAND領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，擁有全球36.9%的市場(chǎng)份額。

在DRAM領(lǐng)域，三星同樣不甘落后，計(jì)劃最早于2024年底推出第六代和第七代10nm DRAM（分別稱為1c DRAM和1d DRAM），以滿足HBM4等先進(jìn)AI芯片的需求。此外，三星還計(jì)劃在2027年推出采用垂直溝道晶體管（VCT）三維結(jié)構(gòu)的0a DRAM，以提高性能和穩(wěn)定性。

在推廣NAND的同時(shí)，三星公司副董事長(zhǎng)、DS部門主管Jun Young-hyun表示將對(duì)公司進(jìn)行重大改革。盡管三星在DRAM市場(chǎng)上占據(jù)領(lǐng)先地位，但在HBM市場(chǎng)上卻面臨來(lái)自競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士的激烈競(jìng)爭(zhēng)。SK海力士是全球第二大存儲(chǔ)制造商，也是英偉達(dá)高端HBM芯片的主要供應(yīng)商。

據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner預(yù)測(cè)，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)將從2024年的920億美元增長(zhǎng)至2026年的2270億美元。三星預(yù)計(jì)，在2024年至2029年期間，服務(wù)器DRAM和企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）市場(chǎng)的年增長(zhǎng)率將分別達(dá)到27%和35%。