11月5日，英飛凌科技CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK 3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Devices of the Year），再次展現了英飛凌在電力電子領域的技術創(chuàng)新能力和行業(yè)領先地位。英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務產品總監(jiān)張明丹女士出席本次頒獎典禮。

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采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC MOSFET 2000V分立器件，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。基于第一代增強型溝槽柵技術，該產品在電壓等級上實現了向上拓展，成為市面上首款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統。憑借.XT擴散焊技術，這款產品可提供一流的散熱性能，以及高防潮性，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能確保系統的可靠性。

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CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅采用了增強型M1H Trench SiC MOSFET芯片技術，搭載EasyPACK 3B封裝和62mm兩種封裝。其中，DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個采用EasyPACK 3B封裝的2000V CoolSiC MOSFET功率模塊，適用于1500V光伏系統。實際應用中，通過使用該產品，兩電平可以取代三電平的結構，在輕載下，Boost升壓效率提高了1%，而在所有工作條件下，升壓效率平均提高了0.5%。它實現了更簡單的解決方案，減少了器件的數量，同時提高了功率密度，降低了1500 VDC應用的總系統成本。

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62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊，優(yōu)化了VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓范圍等SiC MOS關鍵性能。該產品VGS(th)最大正負柵極源極電壓分別擴展至+23V和-10V，同時增大了推薦柵極驅動電壓的范圍,+15...+18V和0...-5V。過載條件下的Tvjop最高可達175℃，與市場同類產品相比，62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊具備高頻、耐高壓、耐高溫、低損耗、抗輻射能力強等顯著優(yōu)勢。

作為全球功率系統的半導體領導者，英飛凌已在產品布局、產能、應用等方面全面涵蓋第三代半導體關鍵材料。在碳化硅方面，英飛凌擁有優(yōu)異的溝槽柵工藝以及全新的.XT技術，憑借在碳化硅領域長達二十余年的豐富經驗和深厚技術積淀，英飛凌無疑是業(yè)界最有競爭力的技術供應商之一。未來，英飛凌科技將繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新和產品優(yōu)化，為全球客戶提供更多高性能、高可靠性的產品解決方案，繼續(xù)推動碳化硅產品、技術在新應用中的的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新。