Custom MMIC公司推出多款超低噪聲放大器

美國Custom MMIC公司在賓夕法尼亞州費(fèi)城舉行的2018年國際微波研討會(huì)（IMS）上討論了幾項(xiàng)新的GaN和GaAs單片微博集成電路（MMIC）技術(shù)突破。公司表示采用業(yè)界首款超低噪聲放大器（ULNA）MMIC打破了MMIC形式的噪聲障礙。

Custom MMIC公司表示，他們推出了業(yè)界首款超低噪聲放大器（ULNA）MMIC，打破了MMIC內(nèi)的噪音障礙。CMD283C3型號(hào)MMIC提供0.6 dB的噪聲系數(shù)，優(yōu)于所有其他LNA MMIC，并能與分立元件相媲美。它工作頻率范圍為2 GHz至6 GHz（S＆C頻段），輸出IP3為+26 dBm。

新型GaAs MMIC數(shù)字衰減器系列的也有四款產(chǎn)品。CMD279和CMD280為5位衰減器運(yùn)行頻率高達(dá)30 GHz，衰減范圍高達(dá)15.5 dB。另兩個(gè)為2位衰減器，即DC-35 GHz CMD281和DC-40 GHz CMD282，分別以2dB和4 dB步長提供較粗略的控制。所有四款器件都提供+ 42 dBm的輸入IP3。

最新的分布式放大器DC-20 GHz CMD249P5提供正增益斜率，標(biāo)稱12 dB增益。GaAs器件具有+ 30 dBm的輸出Psat和+38 dBm的輸出IP3。

Custom MMIC也在增強(qiáng)其低相位噪聲放大器（LPNA）系列。響應(yīng)客戶的要求以協(xié)助減少不需要的相位噪聲并提高軍用雷達(dá)系統(tǒng)中的信號(hào)完整性和目標(biāo)采集能力，這些LPNA工作頻率高達(dá)40 GHz，在10 kHz偏移時(shí)提供低至-165 dBc / Hz的低相位噪聲性能。它們用作各種相控陣?yán)走_(dá)、電子戰(zhàn)、軍事無線電、儀器儀表和航空航天通信設(shè)計(jì)中的本地振蕩器（LO）驅(qū)動(dòng)器或接收機(jī)放大器。

來自Custom MMIC公司的MMIC包括更多的超低噪聲放大器和數(shù)字衰減器，以及寬帶分布式功率放大器和GaN混頻器。

日本Integra公司在IMS 2018上展示新型GaN/SiC器件

日本Integra Technologies公司在賓夕法尼亞州費(fèi)城舉辦的今年國際微波研討會(huì)上展示幾種新型GaN / SiC射頻功率器件，瞄準(zhǔn)C波段和L波段系統(tǒng)

IGNP0912L1KW是一款用于L波段航空電子系統(tǒng)的50ΩGaN / SiC射頻功率模塊，可在0.960 - 1.215 GHz的瞬時(shí)帶寬內(nèi)工作。該集成放大器模塊在2.5ms脈沖寬度和20％占空比的條件下提供至少1000 W的峰值脈沖功率，同時(shí)提供高熱穩(wěn)定性。

IGT5259L50是一款50歐姆的GaN / SiC晶體管，在脈沖C波段雷達(dá)應(yīng)用中提供5W至5GHz的50W功率。

IGN1214L500B是一款高功率GaN / SiC HEMT晶體管，在1.2 - 1.4 GHz時(shí)提供500 W功率，并提供50 V漏極偏壓，15.5 dB增益和65％效率。該晶體管專為長脈沖L波段雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。