FDMS8018 N - Channel PowerTrench? MOSFET：高性能開關(guān)的理想之選

引言

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 作為重要的開關(guān)元件，其性能對于電路的高效運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天我們要介紹的是 ON Semiconductor 的 FDMS8018 N - Channel PowerTrench? MOSFET，它具備諸多出色特性，能滿足多種應(yīng)用場景的需求。

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產(chǎn)品背景與名稱變更

Fairchild 已成為 ON Semiconductor 的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分 Fairchild 可訂購的零件編號需要更改，原編號中的下劃線 (_) 將改為破折號 (-)。大家可訪問 ON Semiconductor 網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的設(shè)備編號，若有系統(tǒng)集成相關(guān)問題，可發(fā)郵件至 Fairchild_questions@onsemi.com。

產(chǎn)品特性

電氣特性卓越

• 低導(dǎo)通電阻：在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，展現(xiàn)出極低的導(dǎo)通電阻。例如，在 (V{GS}=10V)，(I{D}=30A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)} = 1.8mΩ)；在 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=26A) 時(shí)，最大 (r{DS(on)} = 2.4mΩ)。這有助于降低功耗，提高電路效率。
• 低閾值電壓：柵源閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (1.0 - 3.0V) 之間（(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250μA)），使得 MOSFET 能夠在較低的柵源電壓下導(dǎo)通，降低了驅(qū)動難度。
• 快速開關(guān)速度：開關(guān)特性方面，如開啟延遲時(shí)間 (t{d(on)}) 為 15 - 27ns，上升時(shí)間 (t{r}) 為 7.3 - 15ns，關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{d(off)}) 為 38 - 62ns，下降時(shí)間 (t{f}) 為 4.8 - 10ns，能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)動作，減少開關(guān)損耗。

先進(jìn)的技術(shù)與設(shè)計(jì)

• 先進(jìn)的封裝與硅片組合：采用先進(jìn)的封裝和硅片組合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了低 (r_{DS(on)}) 和高效率，有助于提高整個(gè)電路的性能。
• 下一代增強(qiáng)體二極管技術(shù)：經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了軟恢復(fù)特性，減少了開關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴現(xiàn)象，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
• MSL1 穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)：具有良好的可靠性，能夠適應(yīng)不同的工作環(huán)境。
• 100% UIL 測試：經(jīng)過全面的單脈沖雪崩能量測試，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。
• RoHS 合規(guī)：符合環(huán)保要求，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對綠色環(huán)保的需求。

應(yīng)用領(lǐng)域

電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）

在桌面和服務(wù)器的 VRM Vcore 開關(guān)應(yīng)用中，F(xiàn)DMS8018 能夠提高整體效率，降低開關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴，確保電源的穩(wěn)定輸出。

開關(guān)應(yīng)用

可用于 OringFET / 負(fù)載開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的靈活控制；在 DC - DC 轉(zhuǎn)換中，其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度有助于提高轉(zhuǎn)換效率；還可作為電機(jī)橋開關(guān)，驅(qū)動電機(jī)的正常運(yùn)行。

電氣參數(shù)詳解

最大額定值

熱特性

電氣特性表

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)以及單脈沖最大功率耗散等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解 FDMS8018 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)。

封裝與訂購信息

FDMS8018 采用 Power 56 封裝，盤徑為 13 英寸，膠帶寬度為 12mm，每盤數(shù)量為 3000 個(gè)。其封裝尺寸和引腳布局在文檔中有詳細(xì)的圖示和說明，方便工程師進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)。

注意事項(xiàng)

ON Semiconductor 對產(chǎn)品的使用有一些明確的說明。產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3 醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。用戶在使用產(chǎn)品時(shí)，需自行負(fù)責(zé)產(chǎn)品和應(yīng)用的合規(guī)性，包括遵守所有法律法規(guī)和安全要求。同時(shí)，“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，實(shí)際性能也會隨時(shí)間改變，用戶需由技術(shù)專家對每個(gè)應(yīng)用的工作參數(shù)進(jìn)行驗(yàn)證。

總結(jié)

FDMS8018 N - Channel PowerTrench? MOSFET 憑借其卓越的電氣特性、先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，在眾多應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。電子工程師在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)，可以根據(jù)其特性和參數(shù)，合理選擇該 MOSFET，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中，是否遇到過類似 MOSFET 的選型難題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。