FDMS86550 N-Channel PowerTrench? MOSFET：高性能功率器件的詳細(xì)解析
FDMS86550 N-Channel PowerTrench? MOSFET：高性能功率器件的詳細(xì)解析
在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換電路中。今天我們要深入探討的是Fairchild（現(xiàn)為ON Semiconductor）的FDMS86550 N - Channel PowerTrench? MOSFET，它具備諸多出色特性，能滿足多種應(yīng)用需求。
文件下載：FDMS86550-D.pdf
產(chǎn)品背景與更名信息
Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)集成需求，部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改，原編號(hào)中的下劃線（_）將改為破折號(hào)（-）。大家可通過(guò)ON Semiconductor網(wǎng)站查詢更新后的器件編號(hào)，最新的訂購(gòu)信息也可在www.onsemi.com獲取。若有關(guān)于系統(tǒng)集成的問(wèn)題，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。
產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻與高效率
FDMS86550采用先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)組合，能有效降低導(dǎo)通電阻（rDS(on)），實(shí)現(xiàn)高效率。在VGS = 10 V、ID = 32 A時(shí)，最大rDS(on)僅為1.65 mΩ，這使得在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中能減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率。
穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)
該器件采用MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)，具備良好的可靠性和穩(wěn)定性，能適應(yīng)不同的工作環(huán)境。
全面測(cè)試
經(jīng)過(guò)100% UIL（非鉗位電感負(fù)載）測(cè)試，確保了產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。
環(huán)保合規(guī)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求，有助于工程師設(shè)計(jì)出符合環(huán)保法規(guī)的產(chǎn)品。
產(chǎn)品應(yīng)用
初級(jí)DC - DC MOSFET
在DC - DC電源轉(zhuǎn)換電路中，F(xiàn)DMS86550可作為初級(jí)MOSFET，憑借其低導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)性能，能有效提高電源轉(zhuǎn)換效率，減少發(fā)熱。
次級(jí)同步整流器
作為次級(jí)同步整流器使用時(shí)，能降低整流損耗，提高電源的整體效率，尤其適用于對(duì)效率要求較高的電源系統(tǒng)。
負(fù)載開(kāi)關(guān)
可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的靈活控制，其快速的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻能確保負(fù)載的穩(wěn)定供電。
電氣特性
最大額定值
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | - | 60 | V |
| VGS | 柵源電壓 | - | ±20 | V |
| ID | 漏極連續(xù)電流 | TC = 25 °C（注5） | 234 | A |
| TC = 100 °C（注5） | 148 | A | ||
| TA = 25 °C（注1a） | 32 | A | ||
| 脈沖電流（注4） | - | 1021 | A | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量（注3） | - | 937 | mJ |
| PD | 功率耗散 | TC = 25 °C | 156 | W |
| TA = 25 °C（注1a） | 2.7 | W | ||
| TJ, TSTG | 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 | - | -55 to +150 | °C |
熱特性
| 符號(hào) | 參數(shù) | 條件 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| RθJC | 結(jié)到殼熱阻 | - | 0.8 | °C/W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境熱阻 | （注1a） | 45 | °C/W |
電氣參數(shù)
| 特性分類(lèi) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關(guān)斷特性 | BVDSS | ID = 250 μA, VGS = 0 V | 60 | - | - | V |
| ΔBVDSS/ΔTJ | ID = 250 μA, 參考25 °C | - | 31 | - | mV/°C | |
| IDSS | VDS = 48 V, VGS = 0 V | - | - | 1 | μA | |
| IGSS | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | - | - | ±100 | nA | |
| 導(dǎo)通特性 | VGS(th) | VGS = VDS, ID = 250 μA | 2.5 | 3.3 | 4.5 | V |
| ΔVGS(th)/ΔTJ | ID = 250 μA, 參考25 °C | - | -12 | - | mV/°C | |
| rDS(on) | VGS = 10 V, ID = 32 A | - | 1.4 | 1.65 | mΩ | |
| VGS = 8 V, ID = 27 A | - | 1.7 | 2.2 | mΩ | ||
| VGS = 10 V, ID = 32 A, TJ = 125 °C | - | 2.2 | 2.6 | mΩ | ||
| gFS | VDS = 5 V, ID = 32 A | - | 96 | - | S | |
| 動(dòng)態(tài)特性 | Ciss | VDS = 30 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | - | 8235 | 11530 | pF |
| Coss | - | - | 2140 | 3000 | pF | |
| Crss | - | - | 70 | 120 | pF | |
| Rg | - | 0.1 | 0.9 | 2.7 | Ω | |
| 開(kāi)關(guān)特性 | td(on) | VDD = 30 V, ID = 32 A, VGS = 10 V, RGEN = 6 Ω | 27 | - | 43 | ns |
| tr | - | 42 | - | 67 | ns | |
| td(off) | - | 11 | - | 20 | ns | |
| tf | - | 43 | - | 69 | ns | |
| Qg | - | 110 | - | 154 | nC | |
| Qg | VGS = 0 V to 8 V, VDD = 30 V, ID = 32 A | 90 | - | 126 | nC | |
| Qgs | - | 40 | - | - | nC | |
| Qgd | - | 20 | - | - | nC | |
| 漏源二極管特性 | VSD | VGS = 0 V, IS = 2.1 A（注2） | 0.7 | - | 1.2 | V |
| VGS = 0 V, IS = 32 A（注2） | 0.8 | - | 1.3 | V | ||
| trr | IF = 32 A, di/dt = 100 A/μs | 68 | - | 109 | ns | |
| Qrr | - | 62 | - | 99 | nC |
典型特性曲線
文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系、導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關(guān)系、非鉗位電感開(kāi)關(guān)能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線能幫助工程師更好地理解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)。
封裝與訂購(gòu)信息
| 器件標(biāo)記 | 器件 | 封裝 | 卷盤(pán)尺寸 | 膠帶寬度 | 數(shù)量 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86550 | FDMS86550 | Power 56 | 13 ’’ | 12 mm | 3000 units |
注意事項(xiàng)
- RθJA是在器件安裝在1 in2、2 oz銅焊盤(pán)的1.5 x 1.5 in. FR - 4材料電路板上確定的，RθCA由用戶的電路板設(shè)計(jì)決定。
- 脈沖測(cè)試條件為：脈沖寬度 < 300 μs，占空比 < 2.0%。
- EAS為937 mJ是基于起始TJ = 25 °C、L = 3 mH、IAS = 25 A、VDO = 60 V、VGS = 10 V，在L = 0.1 mH、IAS = 79 A時(shí)進(jìn)行100%測(cè)試。
- 脈沖漏極電流詳情請(qǐng)參考圖11的SOA圖。
- 計(jì)算的連續(xù)電流僅受最大結(jié)溫限制，實(shí)際連續(xù)電流將受熱和機(jī)電應(yīng)用電路板設(shè)計(jì)的限制。
ON Semiconductor的FDMS86550 N - Channel PowerTrench? MOSFET憑借其出色的性能和特性，為電子工程師在電源管理和功率轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路需求和工作條件，合理選擇和使用該器件，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在使用過(guò)程中遇到問(wèn)題，歡迎一起交流探討。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10834瀏覽量
235088 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2225瀏覽量
95507
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
評(píng)論