FDMS6673BZ P - Channel PowerTrench? MOSFET深度解析

一、引言

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討一下Fairchild（現(xiàn)已并入ON Semiconductor）的FDMS6673BZ P - Channel PowerTrench? MOSFET。

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二、產(chǎn)品背景與整合說(shuō)明

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改，原編號(hào)中的下劃線（_）將改為破折號(hào)（ - ）。大家可通過(guò)ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的器件編號(hào)。

三、FDMS6673BZ MOSFET的特點(diǎn)

3.1 低導(dǎo)通電阻

• 在(V{GS}=-10 V)，(I{D}=-15.2 A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 6.8 mΩ)；在(V{GS}=-4.5 V)，(I{D}=-11.2 A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 12.5 mΩ)。先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)結(jié)合，有效降低了導(dǎo)通電阻，減少了負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中的損耗。

  3.2 ESD保護(hù)

  HBM ESD保護(hù)等級(jí)典型值為8 kV，能有效防止靜電對(duì)器件造成損害，提高了器件的可靠性。

  3.3 穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)

  MSL1級(jí)封裝設(shè)計(jì)，具有良好的防潮性能，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保又可靠。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

4.1 筆記本和服務(wù)器的負(fù)載開關(guān)

可用于控制筆記本和服務(wù)器中的電源通斷，低導(dǎo)通電阻能減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。

4.2 筆記本電池組電源管理

在電池組的充放電管理中發(fā)揮重要作用，確保電池的安全和穩(wěn)定供電。

五、電氣特性

5.1 最大額定值

5.2 電氣參數(shù)

• 截止特性：如(BVDSS)（漏源擊穿電壓）在(I{D}=-250 A)，(V{GS}=0 V)時(shí)為 - 30 V ，其溫度系數(shù)為 - 18 mV/°C 。
• 導(dǎo)通特性：(V{GS(th)})（柵源閾值電壓）在不同條件下有不同取值，靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(r{DS(on)})也隨(V{GS})和(I{D})變化。
• 動(dòng)態(tài)特性：包括輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)、反向傳輸電容(Crss)等。
• 開關(guān)特性：如開通延遲時(shí)間(td(on))、上升時(shí)間(tr)、關(guān)斷延遲時(shí)間(td(off))和下降時(shí)間(tf)等。
• 漏源二極管特性：源漏二極管正向電壓(VSD)在不同電流下有不同表現(xiàn)，反向恢復(fù)時(shí)間(trr)和反向恢復(fù)電荷(Qrr)也是重要參數(shù)。

六、典型特性曲線分析

6.1 導(dǎo)通區(qū)域特性

從“On Region Characteristics”曲線可以看出，不同(V_{GS})下，漏極電流(-ID)隨漏源電壓(-VDS)的變化情況，有助于我們了解器件在不同工作條件下的導(dǎo)通性能。

6.2 歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系

“Normalized On - Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage”曲線直觀地展示了導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化規(guī)律，為工程師在設(shè)計(jì)中選擇合適的工作點(diǎn)提供了參考。

6.3 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系

“Normalized On Resistance vs. Junction Temperature”曲線表明了導(dǎo)通電阻隨結(jié)溫的變化情況，在高溫環(huán)境下，導(dǎo)通電阻會(huì)有所增加，這在實(shí)際應(yīng)用中需要考慮。

七、封裝與訂購(gòu)信息

FDMS6673BZ采用Power 56封裝，卷盤尺寸為13英寸，膠帶寬度為12 mm，每卷數(shù)量為3000個(gè)。器件標(biāo)記為FDMS6673BZ 。

八、注意事項(xiàng)

• ON Semiconductor保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改而不另行通知的權(quán)利。
• 產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。
• 買家需對(duì)使用ON Semiconductor產(chǎn)品的自身產(chǎn)品和應(yīng)用負(fù)責(zé)，包括遵守所有法律法規(guī)和安全要求。

作為電子工程師，在使用FDMS6673BZ MOSFET時(shí)，我們需要充分了解其各項(xiàng)特性和參數(shù)，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行合理設(shè)計(jì)，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在實(shí)際應(yīng)用中遇到過(guò)哪些關(guān)于MOSFET的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。