onsemi FDMC86244與FDMC86244 - L701 MOSFET深度解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵元件，其性能對(duì)電路的穩(wěn)定性和效率起著至關(guān)重要的作用。今天，我們將深入探討 onsemi 公司的 FDMC86244 和 FDMC86244 - L701 這兩款 N 溝道 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

FDMC86244 和 FDMC86244 - L701 采用了 onsemi 先進(jìn)的 POWERTRENCH 工藝，并融入了屏蔽柵技術(shù)。這種工藝在優(yōu)化導(dǎo)通電阻的同時(shí)，還能保持出色的開(kāi)關(guān)性能。這兩款 MOSFET 適用于 DC - DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

• 在 $V{GS}=10 V$，$I{D}=2.8 A$ 時(shí)，最大 $r_{DS(on)} = 134 mOmega$；
• 在 $V{GS}=6 V$，$I{D}=2.4 A$ 時(shí)，最大 $r_{DS(on)} = 186 mOmega$。 低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET 的功耗更低，能有效提高電路的效率。這對(duì)于追求節(jié)能和高效的電子設(shè)備來(lái)說(shuō)，是非常重要的特性。

低外形封裝

采用 Power 33 封裝，最大高度僅為 1 mm。這種低外形封裝使得 MOSFET 在空間受限的電路板上也能輕松布局，為設(shè)計(jì)人員提供了更多的靈活性。

可靠性測(cè)試

經(jīng)過(guò) 100% UIL（非鉗位感性負(fù)載）測(cè)試，確保了產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。同時(shí)，這兩款產(chǎn)品為無(wú)鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足環(huán)保要求。

電氣特性

最大額定值

電氣特性細(xì)節(jié)

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓 $B{V{DSS}}$ 在 $I{D}=250 mu A$，$V{GS}=0 V$ 時(shí)為 150 V；擊穿電壓溫度系數(shù) $B{V{DSS}}/T{J}$ 為 106 mV/$^{circ}C$；零柵壓漏極電流 $I{DSS}$ 在 $V{DS}=120 V$，$V{GS}=0 V$ 時(shí)為 1 $mu A$；柵源泄漏電流 $I{GSS}$ 在 $V{GS}=±20 V$，$V_{DS}=0 V$ 時(shí)為 ±100 nA。
• 導(dǎo)通特性：開(kāi)啟閾值電壓 $V{GS(th)}$ 在 $V{GS}=V{DS}$，$I{D}=250 mu A$ 時(shí)為 4 V；靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 條件下有不同的值，例如在 $V{GS}=6 V$，$I{D}=2.4 A$ 時(shí)為 120 m$Omega$ 至 254 m$Omega$。
• 動(dòng)態(tài)特性：輸入電容 $C{iss}$ 在 $V{DS}=75 V$，$V{GS}=0 V$，$f = 1 MHz$ 時(shí)為 257 pF 至 345 pF；輸出電容 $C{oss}$ 為 32 pF 至 45 pF；反向傳輸電容 $C_{rss}$ 為 1.8 pF 至 5 pF。
• 開(kāi)關(guān)特性：包括導(dǎo)通延遲時(shí)間 $t{d(on)}$、上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間 $t{d(off)}$、下降時(shí)間 $t{f}$ 以及總柵極電荷 $Q{g}$ 等參數(shù)，這些參數(shù)對(duì)于評(píng)估 MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度和性能至關(guān)重要。

熱特性

熱阻是衡量 MOSFET 散熱性能的重要指標(biāo)。$R{theta JA}$（結(jié)到環(huán)境的熱阻）在特定條件下為 125 $^{circ}C$/W，$R{theta JC}$（結(jié)到外殼的熱阻）在不同的安裝條件下有所不同，例如在 1 in2 的 2 oz 銅焊盤(pán)上為 53 $^{circ}C$/W，在最小的 2 oz 銅焊盤(pán)上為 125 $^{circ}C$/W。了解這些熱阻參數(shù)，有助于設(shè)計(jì)人員合理設(shè)計(jì)散熱方案，確保 MOSFET 在工作過(guò)程中不會(huì)因過(guò)熱而損壞。

封裝與標(biāo)識(shí)

封裝形式

兩款產(chǎn)品均采用 WDFN8 3.3x3.3，0.65P 封裝。這種封裝具有良好的電氣性能和機(jī)械穩(wěn)定性，適合表面貼裝工藝。

標(biāo)識(shí)說(shuō)明

標(biāo)識(shí)包含了特定設(shè)備代碼、組裝地點(diǎn)、日期代碼、批次追溯代碼等信息。例如，F(xiàn)DMC86244 的標(biāo)識(shí)為 “FDMC86244”，其中 “FDMC86244” 為特定設(shè)備代碼，“A” 表示組裝地點(diǎn)，“XY” 為 2 位日期代碼等。

訂購(gòu)信息

需要注意的是，F(xiàn)DMC86244 - L701 已停產(chǎn)。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體需求和供應(yīng)情況選擇合適的產(chǎn)品。

總結(jié)

onsemi 的 FDMC86244 和 FDMC86244 - L701 MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、低外形封裝、高可靠性等特性，在 DC - DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，工程師需要充分考慮其電氣特性、熱特性等參數(shù)，合理選擇和使用這些 MOSFET，以確保電路的性能和穩(wěn)定性。同時(shí)，由于 FDMC86244 - L701 已停產(chǎn)，在選擇產(chǎn)品時(shí)要注意供應(yīng)情況。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類(lèi)似 MOSFET 的選型和使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。