onsemi FDMC3612和FDMC3612 - L701 MOSFET深度解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）的FDMC3612和FDMC3612 - L701這兩款N溝道MOSFET。

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產(chǎn)品概述

FDMC3612和FDMC3612 - L701采用了安森美先進(jìn)的POWERTRENCH工藝，該工藝經(jīng)過特別優(yōu)化，能夠在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，保持出色的開關(guān)性能。這種特性使得它們?cè)诒姸鄳?yīng)用場(chǎng)景中都能發(fā)揮出色的表現(xiàn)。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

在 $V{GS}=10 V$，$I{D}=3.3 A$ 的條件下，$Max r{DS(on)}=110 mOmega$；在 $V{GS}=6 V$，$I{D}=3.0 A$ 時(shí)，$Max r{DS(on)}=122 mOmega$。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，從而提高了電路的效率。這對(duì)于一些對(duì)功耗敏感的應(yīng)用，如DC - DC轉(zhuǎn)換電路，尤為重要。

低外形封裝

采用Power 33封裝，最大高度僅為1 mm，這種低外形設(shè)計(jì)使得器件在空間受限的應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)，例如一些小型化的電子產(chǎn)品。

100% UIL測(cè)試

經(jīng)過100%的非鉗位感性負(fù)載（UIL）測(cè)試，這保證了器件在感性負(fù)載應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。在實(shí)際應(yīng)用中，感性負(fù)載是比較常見的，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，經(jīng)過UIL測(cè)試的MOSFET能夠更好地應(yīng)對(duì)感性負(fù)載帶來的沖擊。

環(huán)保特性

這些器件為無鉛產(chǎn)品，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，這符合當(dāng)前環(huán)保的要求，也使得產(chǎn)品在市場(chǎng)上更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品應(yīng)用

DC - DC轉(zhuǎn)換

在DC - DC轉(zhuǎn)換電路中，F(xiàn)DMC3612和FDMC3612 - L701的低導(dǎo)通電阻特性可以有效降低電路的功耗，提高轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)，其出色的開關(guān)性能也能夠滿足DC - DC轉(zhuǎn)換電路對(duì)快速開關(guān)的要求。

PSE開關(guān)

在以太網(wǎng)供電（PoE）系統(tǒng)中，PSE（供電設(shè)備）開關(guān)需要具備良好的性能和可靠性。FDMC3612和FDMC3612 - L701能夠很好地滿足PSE開關(guān)的需求，確保PoE系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

電氣參數(shù)

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 $B{V{DSS}}$：在 $I{D}=250 mu A$，$V{GS}=0 V$ 時(shí)，最小值為100 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)：在 $I_{D}=250 mu A$ 時(shí)，參考25°C，為109 mV/°C。
• 零柵壓漏極電流 $I{DSS}$：在 $V{DS}=80 V$，$V_{GS}=0 V$ 時(shí)，最大值為1 μA。
• 柵源泄漏電流 $I{GSS}$：在 $V{GS}=±20 V$，$V_{DS}=0 V$ 時(shí)，最大值為±100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓 $V{GS(th)}$：在 $V{GS}=V{DS}$，$I{D}=250 mu A$ 時(shí)，最小值為2.0 V，典型值為2.5 V，最大值為4.0 V。其溫度系數(shù)在 $I_{D}=250 mu A$ 時(shí)，參考25°C，為 -7 mV/°C。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 $r{DS(on)}$：在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 條件下有不同的值，例如在 $V{GS}=10 V$，$I_{D}=3.3 A$ 時(shí)，典型值為92 mΩ，最大值為110 mΩ。

動(dòng)態(tài)特性

• 反饋電容 $C_{rss}$：典型值為1.3 pF。

開關(guān)特性

• 上升時(shí)間：典型值為19 ns。
• 總柵極電荷 $Q{g(TOT)}$：在 $V{GS}=0 V$ 到 $10 V$，$V{DD}=50 V$，$I{D}=3.3 A$ 時(shí)，典型值為7.9 nC。

漏源二極管特性

• 正向電壓 $V{SD}$：在 $I{F}=3.3 A$，$di / dt = 100 A / mu s$ 時(shí)，典型值為0.77 V。

典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線對(duì)于我們了解器件在不同條件下的性能非常有幫助。例如，導(dǎo)通電阻與漏極電流、柵極電壓以及結(jié)溫的關(guān)系曲線，能夠幫助我們?cè)诓煌墓ぷ鳁l件下選擇合適的參數(shù)，以確保器件的性能和可靠性。

封裝與訂購(gòu)信息

封裝

采用WDFN8 3.3x3.3, 0.65P封裝，這種封裝具有良好的散熱性能和電氣性能，同時(shí)也便于安裝和焊接。

訂購(gòu)信息

總結(jié)

FDMC3612和FDMC3612 - L701是兩款性能出色的N溝道MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻、低外形封裝、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，適用于DC - DC轉(zhuǎn)換、PSE開關(guān)等多種應(yīng)用場(chǎng)景。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，我們可以根據(jù)具體的需求，參考其電氣參數(shù)和典型特性曲線，合理選擇和使用這兩款器件。你在使用MOSFET的過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。