Onsemi FDMC86160 MOSFET：高效小空間解決方案

作為電子工程師，在設計中，我們經(jīng)常會遇到需要在小空間內(nèi)實現(xiàn)超低導通電阻的需求。Onsemi的FDMC86160 N 溝道MOSFET就能很好地解決這類問題，下面就來詳細了解它。

文件下載：FDMC86160-D.pdf

一、器件概述

FDMC86160采用了Onsemi先進的PowerTrench工藝，并結(jié)合了屏蔽柵技術。這種工藝在導通電阻方面進行了優(yōu)化，使得該器件非常適合在小空間內(nèi)對超低(R_{DS (on) })有要求的應用，如高性能VRM（電壓調(diào)節(jié)模塊）、POL（負載點電源）和或門功能等。

二、產(chǎn)品特性

（一）屏蔽柵MOSFET技術

這一技術帶來了出色的性能。在(V{GS}=10 V)，(I{D}=9 A)的條件下，最大(r{DS(on)})為(14 mOmega)；在(V{GS}=6 V)，(I{D}=7 A)時，最大(r{DS(on)})為(23 mOmega)，能有效降低導通損耗。

（二）高性能低導通電阻

它采用的高性能技術實現(xiàn)了極低的(r_{DS}(on))，有助于提高電路效率。同時，該器件符合無鉛和RoHS標準，符合環(huán)保要求。

三、電氣參數(shù)

（一）絕對最大額定值

在(T{A}=25^{circ} C)的條件下，其漏源電壓(V{DSS})最大為(100 V)，連續(xù)漏極電流(I{D})在(T{A}=25^{circ} C)時為(43 A) ，還有其他如柵源電壓、單脈沖雪崩能量等參數(shù)也都有明確的限制。需要注意的是，超過這些額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

（二）熱特性

熱阻參數(shù)對于器件的散熱設計很關鍵。(T{A}=25^{circ} C)時，結(jié)到環(huán)境的熱阻(R{θJC})為(2.3 °C/W)，結(jié)到外殼的熱阻(R_{θJA})為(53 °C/W)。不同的安裝條件下，熱阻可能會有所不同，例如安裝在不同規(guī)格的銅墊上，熱阻會發(fā)生變化，這些在實際設計中都要考慮進去。

（三）電氣特性

包括擊穿電壓、柵極泄漏電流、導通電阻、跨導等。例如，在(I{D}=250 mu A)，(V{GS}=0 V)的條件下，可以得到擊穿電壓相關參數(shù)；在不同的測試條件下，導通電阻等參數(shù)也會有相應的取值。大家在實際應用時，一定要關注測試條件，不同條件下產(chǎn)品性能可能會有差異。

（四）動態(tài)和開關特性

動態(tài)特性如輸入電容(Ciss)，開關特性包括開通延遲時間(td(on))、總柵極電荷(Qg(TOT))、柵漏電荷(Qgd)等，這些參數(shù)對于電路的開關速度和性能有著直接影響。

（五）漏源二極管特性

源到漏二極管的正向電壓等參數(shù)也在文檔中有給出，這些參數(shù)對于分析二極管在電路中的工作情況很重要。

四、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，這對于我們理解器件的性能非常有幫助。

• 導通區(qū)域特性曲線：展示了不同柵源電壓下，漏極電流隨漏源電壓的變化情況。
• 歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系曲線：可以讓我們直觀地看到導通電阻在不同條件下的變化趨勢。
• 歸一化導通電阻與結(jié)溫的關系曲線：有助于我們了解溫度對導通電阻的影響，從而在散熱設計時做出合理的決策。

還有其他如轉(zhuǎn)移特性曲線、柵極電荷特性曲線、電容與漏源電壓的關系曲線等，這些曲線都是我們在實際設計中進行參數(shù)選擇和性能評估的重要依據(jù)。大家在使用時，要仔細分析這些曲線，結(jié)合具體的應用場景做出合理的設計。

五、封裝信息

FDMC86160采用WDFN8 3.3X3.3, 0.65P封裝（CASE 483AW），并且文檔中給出了詳細的封裝尺寸圖和引腳分配圖。引腳分配圖明確標注了每個引腳的功能，方便我們在PCB設計時進行布局。同時，對于封裝尺寸的標注和公差要求等都有說明，在進行PCB焊盤設計時要嚴格按照這些要求來，確保器件能夠正確安裝和焊接。此外，對于編帶和卷帶的規(guī)格信息，可以參考相關的手冊BRD8011/D。

Onsemi的FDMC86160 MOSFET是一款在小空間應用中具有出色性能的器件，它的各項特性和參數(shù)為我們的設計提供了很大的便利。但在實際應用中，我們還是要根據(jù)具體的需求和設計要求，仔細分析和選擇合適的工作條件和電路參數(shù)，以確保整個系統(tǒng)的性能和可靠性。大家在使用過程中遇到過哪些關于MOSFET的設計問題呢？歡迎一起討論。