Onsemi FDBL86561-F085 N溝道MOSFET：高性能與可靠性的完美結(jié)合

在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和可靠性直接影響著整個電路的表現(xiàn)。今天，我們就來深入了解一下Onsemi推出的FDBL86561-F085 N溝道MOSFET，看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。

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一、產(chǎn)品概述

Onsemi的FDBL86561-F085是一款基于POWERTRENCH技術(shù)的N溝道MOSFET，主要面向汽車和工業(yè)應(yīng)用。它具有60V的耐壓能力和300A的連續(xù)漏極電流，能夠滿足多種高功率應(yīng)用的需求。同時，該產(chǎn)品還具備出色的UIS（非鉗位電感開關(guān)）能力，能夠在復(fù)雜的電路環(huán)境中穩(wěn)定工作。

二、產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

在 (V{GS}=10V)、(I{D}=80A) 的典型條件下，(R_{DS(on)}) 僅為 (0.85mOmega)，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗非常低，能夠有效提高電路的效率。較低的導(dǎo)通電阻還可以減少發(fā)熱，提高系統(tǒng)的可靠性。

低柵極電荷

典型的 (Q{g(tot)}) 在 (V{GS}=10V)、(I_{D}=80A) 時為 (170nC)。低柵極電荷使得MOSFET的開關(guān)速度更快，能夠減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的開關(guān)頻率，適用于對效率和速度要求較高的應(yīng)用。

汽車級認(rèn)證

該產(chǎn)品通過了AEC-Q101認(rèn)證，并具備PPAP（生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序）能力，這表明它符合汽車行業(yè)的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，能夠在汽車發(fā)動機控制、動力總成管理等汽車應(yīng)用中可靠工作。

環(huán)保設(shè)計

FDBL86561-F085是無鉛產(chǎn)品，并且符合RoHS（有害物質(zhì)限制指令）標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

汽車領(lǐng)域

• 發(fā)動機控制：在汽車發(fā)動機控制系統(tǒng)中，需要精確控制各種電磁閥和電機，F(xiàn)DBL86561-F085的高性能和可靠性能夠確保發(fā)動機的穩(wěn)定運行。
• 動力總成管理：用于管理汽車的動力傳輸系統(tǒng)，如變速器控制等，幫助提高汽車的動力性能和燃油經(jīng)濟性。
• 集成式起動機/發(fā)電機：在這種應(yīng)用中，MOSFET需要承受高電流和高電壓的沖擊，F(xiàn)DBL86561-F085的高耐壓和大電流能力能夠滿足其需求。

工業(yè)領(lǐng)域

• 電磁閥和電機驅(qū)動：在工業(yè)自動化系統(tǒng)中，電磁閥和電機的驅(qū)動需要精確控制，該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的驅(qū)動能力。
• 12V系統(tǒng)的主開關(guān)：在12V電源系統(tǒng)中，作為主開關(guān)使用，能夠有效控制電源的通斷。

四、電氣特性

最大額定值

電氣參數(shù)

關(guān)斷特性

• (B_{V DSS})：漏源擊穿電壓，在 (I{D}=250A)、(V{GS}=0V) 時為60V。
• (I_{DSS})：漏源泄漏電流，在 (V{DS}=60V)、(V{GS}=0V) 時，(T{J}=25^{circ}C) 為 (1A)，(T{J}=175^{circ}C) 為 (3mA)。
• (I_{GSS})：柵源泄漏電流，在 (V_{GS}=pm20V) 時為 (pm100nA)。

導(dǎo)通特性

• (V_{GS(th)})：柵源閾值電壓，在 (V{GS}=V{DS})、(I_{D}=250mu A) 時，典型值為 (2.0 - 3.0V)，最大值為 (4.0V)。
• (R_{DS(on)})：漏源導(dǎo)通電阻，在 (I{D}=80A)、(V{GS}=10V) 時，(T{J}=25^{circ}C) 典型值為 (0.85mOmega)，最大值為 (1.1mOmega)；(T{J}=175^{circ}C) 時，典型值為 (1.5mOmega)，最大值為 (2.2mOmega)。

動態(tài)特性

• (C_{iss})：輸入電容，在 (V{DS}=30V)、(V{GS}=0V)、(f = 1MHz) 時為 (13650pF)。
• (C_{oss})：輸出電容為 (3375pF)。
• (C_{rss})：反向傳輸電容為 (255pF)。
• (R_{g})：柵極電阻，在 (f = 1MHz) 時為 (2.3Omega)。
• (Q_{g(tot)})：10V時的總柵極電荷，在 (V{GS}=0) 至 (10V)、(V{DD}=48V) 時，典型值為 (170nC)，最大值為 (220nC)。

開關(guān)特性

• (t_{on})：導(dǎo)通時間，在 (V{DD}=30V)、(I{D}=80A) 時為 (137ns)。
• (t_{d(on)})：導(dǎo)通延遲時間為 (45ns)。
• (t_{r})：上升時間為 (61ns)。
• (t_{d(off)})：關(guān)斷延遲時間為 (80ns)。
• (t_{f})：下降時間為 (41ns)。
• (t_{off})：關(guān)斷時間為 (156ns)。

漏源二極管特性

• (V_{SD})：源漏二極管電壓，在 (I{SD}=80A)、(V{GS}=0V) 時為 (1.25V)；在 (I{SD}=40A)、(V{GS}=0V) 時為 (1.2V)。
• (t_{rr})：反向恢復(fù)時間，在 (I{F}=80A)、(dI{SD}/dt = 100A/mu s)、(V_{DD}=48V) 時，典型值為 (107ns)，最大值為 (139ns)。
• (Q_{rr})：反向恢復(fù)電荷，典型值為 (183nC)，最大值為 (265nC)。

五、典型特性曲線

功率耗散與溫度關(guān)系

從圖1可以看出，隨著殼溫的升高，功率耗散乘數(shù)逐漸降低。這意味著在高溫環(huán)境下，MOSFET的功率耗散能力會下降，因此在設(shè)計散熱系統(tǒng)時需要考慮這一因素。

最大連續(xù)漏極電流與溫度關(guān)系

圖2顯示了最大連續(xù)漏極電流隨殼溫的變化情況。在高溫環(huán)境下，由于散熱條件的限制，漏極電流會受到一定的限制。工程師在設(shè)計電路時，需要根據(jù)實際的工作溫度來確定合適的電流值。

熱阻抗與脈沖持續(xù)時間關(guān)系

圖3展示了歸一化最大瞬態(tài)熱阻抗與脈沖持續(xù)時間的關(guān)系。不同的占空比下，熱阻抗會有所不同。在設(shè)計脈沖電路時，需要考慮熱阻抗對MOSFET溫度的影響，以確保其工作在安全溫度范圍內(nèi)。

峰值電流能力

圖4給出了峰值電流能力與脈沖持續(xù)時間的關(guān)系。在短脈沖情況下，MOSFET能夠承受較高的峰值電流，但隨著脈沖持續(xù)時間的增加，峰值電流會逐漸降低。這對于需要承受高脈沖電流的應(yīng)用非常重要。

六、封裝與訂購信息

封裝形式

FDBL86561-F085采用H-PSOF8L封裝，這種封裝具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性，能夠滿足不同應(yīng)用的需求。

訂購信息

七、總結(jié)

Onsemi的FDBL86561-F085 N溝道MOSFET以其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、高耐壓和大電流能力等特性，成為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的理想選擇。它的汽車級認(rèn)證和環(huán)保設(shè)計也使其更符合現(xiàn)代電子設(shè)備的要求。在實際設(shè)計中，工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景，結(jié)合其電氣特性和典型特性曲線，合理選擇和使用該MOSFET，以確保電路的性能和可靠性。

你在設(shè)計中是否使用過類似的MOSFET呢？你對它的性能有什么看法？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。