安森美1200V碳化硅MOSFET：NVBG070N120M3S的特性與應(yīng)用解析

在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能對整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。今天，我們來深入了解安森美（onsemi）推出的一款碳化硅（SiC）MOSFET——NVBG070N120M3S，看看它有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場景。

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產(chǎn)品概述

NVBG070N120M3S是安森美EliteSiC系列的一員，采用D2PAK - 7L封裝。它具備65mΩ的典型導(dǎo)通電阻（ (R_{DS(on)}) ），耐壓達(dá)1200V，適用于多種高壓應(yīng)用場景。

關(guān)鍵特性

低導(dǎo)通電阻與高速開關(guān)

典型的 (R{DS(on)}) 為65mΩ（ (V{GS}=18V) ），這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗較低，能有效提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，它具有超低的柵極電荷（ (Q{G(tot)} = 57nC) ）和低電容（ (C{oss}=57pF) ），支持高速開關(guān)，可減少開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的工作頻率。

高可靠性

該器件經(jīng)過100%雪崩測試，確保在惡劣的工作條件下也能穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。此外，它還通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力，符合汽車級應(yīng)用的嚴(yán)格要求。同時(shí)，它是無鹵化物的，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（豁免7a），并且在二級互連（2LI）上是無鉛的。

主要參數(shù)

最大額定值

電氣特性

• 關(guān)態(tài)特性：漏源擊穿電壓 (V{(BR)DSS}) 為1200V（ (V{GS}=0V) ， (I{D}=1mA) ），零柵壓漏電流 (I{DSS}) 最大為100μA（ (V{GS}=0V) ， (V{DS}=1200V) ），柵源泄漏電流 (I{GSS}) 最大為±1μA（ (V{GS}= + 22/ - 10V) ， (V_{DS}=0V) ）。
• 開態(tài)特性：閾值電壓 (V{GS(TH)}) 典型值為2.04V（ (V{GS}=V{DS}) ， (I{D}=7mA) ），推薦柵極電壓 (V{GOP}) 為 - 3V到+18V，導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)}) 典型值為65mΩ（ (V{GS}=18V) ），在 (V{GS}=18V) ， (I{D}=15A) ， (T{J}=175^{circ}C) 時(shí)為136mΩ。
• 電荷、電容與柵極電阻：輸入電容 (C{iss}) 為1230pF（ (V{GS}=0V) ， (f = 1MHz) ， (V{DS}=800V) ），輸出電容 (C{oss}) 為57pF，反向傳輸電容為5pF，總柵極電荷 (Q{G(TOT)}) 、閾值柵極電荷 (Q{G(TH)}) 、柵源電荷 (Q{GS}) 、柵漏電荷 (Q{GD}) 分別有相應(yīng)典型值，柵極電阻 (R_{G}) 為2Ω（ (f = 1MHz) ）。
• 開關(guān)特性：開通延遲時(shí)間 (t{d(ON)}) 為11ns，上升時(shí)間 (t{r}) 為12ns，關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{d(OFF)}) 為30ns，下降時(shí)間 (t{f}) 為8.8ns，開通開關(guān)損耗 (E{ON}) 為119μJ，關(guān)斷開關(guān)損耗 (E{OFF}) 為36μJ。
• 源漏二極管特性：連續(xù)源漏二極管正向電流 (I{SD}) 最大為33A（ (V{GS}=-3V) ， (T{C}=25^{circ}C) ），脈沖源漏二極管正向電流 (I{SDM}) 最大為93A，正向二極管電壓 (V{SD}) 典型值為4.7V（ (V{GS}=-3V) ， (I{SD}=15A) ， (T{J}=25^{circ}C) ），反向恢復(fù)時(shí)間 (t{RR}) 為15ns，反向恢復(fù)電荷 (Q{RR}) 為63nC，反向恢復(fù)能量為5.7μJ。

典型應(yīng)用

汽車領(lǐng)域

• 車載充電器：NVBG070N120M3S的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性，使其能夠在車載充電器中高效地進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換，提高充電效率，減少發(fā)熱，延長設(shè)備使用壽命。
• 電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的DC/DC轉(zhuǎn)換器：在DC/DC轉(zhuǎn)換器中，該器件可以實(shí)現(xiàn)高壓到低壓的穩(wěn)定轉(zhuǎn)換，為車輛的電氣系統(tǒng)提供可靠的電源。

總結(jié)

NVBG070N120M3S碳化硅MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)、高可靠性等特性，在汽車等高壓應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以充分利用這些特性，提高系統(tǒng)的性能和可靠性。不過，在實(shí)際應(yīng)用中，還需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)要求和工作條件，對器件的參數(shù)進(jìn)行仔細(xì)評估和驗(yàn)證，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。大家在使用這款器件時(shí)，有沒有遇到過什么特別的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。