近日，臺積電宣布，位于美國亞利桑那州鳳凰城的第三座晶圓廠(Fab21 P3)順利封頂。這座于2025年4月動工的工廠，主體結(jié)構(gòu)已完工，標(biāo)志著臺積電北美擴產(chǎn)計劃邁入新階段。

劍指2nm及更先進(jìn)制程

根據(jù)規(guī)劃，F(xiàn)ab21 P3將引入2nm等級的制程工藝，具備N2和A16(1.6納米級)芯片制造能力。其中A16制程還將結(jié)合臺積電最新的“超級電軌”背面供電技術(shù)，進(jìn)一步提升能效和晶體管密度。該工廠計劃于2030年前實現(xiàn)量產(chǎn)，屆時將為AI基礎(chǔ)設(shè)施、高性能計算、5G/6G智能手機及自動駕駛汽車等提供核心算力支撐。

投資加碼至1650億美元

臺積電在美國的投資已從最初的650億美元、三座工廠，擴大至1650億美元，未來將建設(shè)六座晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝廠及一個研發(fā)中心。目前各項目有序推進(jìn)：

首座晶圓廠：2024年Q4以4nm制程投入量產(chǎn)，良率與臺灣本土相當(dāng)。

第二座晶圓廠：建設(shè)中，預(yù)計2027年下半年量產(chǎn)3nm。

第三座晶圓廠：剛封頂，瞄準(zhǔn)2nm及A16。

后續(xù)P4、P5、P6工廠也已納入長遠(yuǎn)規(guī)劃。

多方見證里程碑時刻

封頂儀式上，鳳凰城市長Kate Gallego與臺積電亞利桑那管理層共同出席，向數(shù)千名建筑工人致謝。市長在社交平臺稱贊臺積電的投資“使鳳凰城成為全球最關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)之一的核心”。臺積電表示：“這個儀式不僅是一根梁的放置，更是我們對美國先進(jìn)半導(dǎo)體制造承諾的深化。”

隨著第三廠封頂，臺積電在美國打造先進(jìn)制程集群的藍(lán)圖正加速落地。未來幾年，亞利桑那沙漠上有望崛起全球最尖端的芯片制造基地。

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