泰科天潤 硬核發(fā)布

今年以來，泰科天潤成功研制并全面推出高電壓碳化硅（SiC）MOSFET全系列器件，實現(xiàn)高壓碳化硅高性能、矩陣化布局的全面拓展。電壓平臺全面覆蓋2000V、3300V、4500V、6500V，關鍵電性能指標達到國際先進、國內領先水平，其中4500V低阻系列更是填補了國內外高端超高壓SiC器件的市場空白，為我國高端電力電子裝備提供核心支撐。

隨著碳化硅技術向高壓領域全面突破發(fā)展，碳化硅產業(yè)將為中壓配網、高壓網側的電力電子裝置，提供堅實的國產化支撐。但是必將面對此類產品，對碳化硅器件魯棒性、可靠性提出更為嚴苛的高求和標準。

各類電網裝置的電力電子化，可靠性和高成本一直是兩個攔路虎。比如近年來固態(tài)變壓器的發(fā)展，給碳化硅提供了獨特的產業(yè)發(fā)展機會，但是圍繞10KV的電網應用，固態(tài)變壓器在拓撲方案、架構優(yōu)化、冗余策略、器件選型和性能都有著超高而獨特的要求。2000V~4500V的國產碳化硅產品，將大幅降低固態(tài)變壓器在系統(tǒng)的串聯(lián)、冗余上的安全壓力，充分提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性，同步降低系統(tǒng)復雜性和批量成本。隨著國產碳化硅的發(fā)展，將有可能支撐固態(tài)變壓器的兆瓦成本，推進到適合于大規(guī)模應用推廣的20萬上下。

同時在可靠性上，泰科天潤在碳化硅器件上一直秉承高閾值、高浪涌、扛短路、耐雪崩的開發(fā)思路，為電力電子裝置的穩(wěn)定性提供高標準的性能保障。

高壓MOSFET產品矩陣

2000V系列構建了完整的規(guī)格矩陣，導通電阻涵蓋24mΩ、50mΩ、75mΩ、100mΩ四款核心型號，低比導通電阻，實測雪崩擊穿電壓高達2700V，安全裕量較標稱值提升35%，運行可靠性大幅提升。該系列器件專為固態(tài)變壓器（SST）、中壓光伏逆變、高壓直掛充電樁、智能電網能量路由器等場景優(yōu)化設計，適配高頻隔離DC/DC、三電平拓撲結構，可有效縮小磁性元件體積、提升系統(tǒng)功率密度，降低運行損耗，完美契合固態(tài)變壓器輕量化、高效化、模塊化的發(fā)展需求，助力電力電子化電網裝備升級。

2000V 24mΩ 晶圓產品

3300V系列核心型號30mΩ器件實現(xiàn)重大技術突破，在與國際標桿同芯片面積的前提下，導通電阻較其同規(guī)格產品大幅降低，同時相較國內主流的40mΩ、80mΩ規(guī)格，導通電阻更優(yōu)、電流密度更高，可顯著減少器件并聯(lián)數量、提升系統(tǒng)效率，綜合性能領先優(yōu)勢突出，打破了國內高壓SiC器件性能瓶頸。

3300V 30mΩ 晶圓產品

超高壓領域，公司成功攻克核心技術難關，推出4500V系列低阻SiC MOSFET，涵蓋40mΩ、50mΩ、60mΩ三款核心規(guī)格，該系列器件憑借低導通損耗、高耐壓穩(wěn)定性的優(yōu)勢，填補了國內外4500V低阻等級SiC MOSFET的高端市場空白，可廣泛適配特高壓電網、兆瓦級儲能與充電 、SVG和特高功率固態(tài)變壓器、特種電源等超高壓場景。

4500V 55mΩ 晶圓產品

6500V系列產品是公司當前前瞻性技術儲備的重點領域，綜合3300V以及4500V低導通損耗及高耐壓穩(wěn)定性優(yōu)勢的技術基礎，通過優(yōu)化了高壓及超高壓領域的終端工藝，使得器件擁有更好的耐壓裕量，將為10KV~35KV的超高壓運用，打下堅實的工藝、測試、量產、封裝的技術基礎。

6500V 晶圓產品