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深入解析Advantech AQD - D31GN16 - HC DDR3內(nèi)存模塊

chencui ? 2026-05-12 16:15 ? 次閱讀
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深入解析Advantech AQD - D31GN16 - HC DDR3內(nèi)存模塊

在當今數(shù)字化的時代,內(nèi)存模塊作為計算機系統(tǒng)中至關重要的組成部分,其性能和特性直接影響著系統(tǒng)的運行效率。今天,我們就來深入探討Advantech的240Pin DDR3 1.5V 1600 UDIMM 1GB內(nèi)存模塊——AQD - D31GN16 - HC。

文件下載:AQD-D31GN16-HC.pdf

一、產(chǎn)品概述

Advantech的這款內(nèi)存模塊采用128Mx16 bits的DDR3 SDRAM,封裝形式為FBGA,并在240 - pin的印刷電路板上配備了一個2048 bits的串行EEPROM。它屬于DDR3無緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊(Unbuffered DIMM),適用于插入240 - pin的邊緣連接器插座。其同步設計能夠利用系統(tǒng)時鐘實現(xiàn)精確的周期控制,數(shù)據(jù)I/O事務可以在DQS的兩個邊沿進行。該模塊的工作頻率范圍和可編程延遲使其適用于各種高帶寬、高性能的內(nèi)存系統(tǒng)應用。

二、產(chǎn)品特性

環(huán)保合規(guī)

該產(chǎn)品符合RoHS標準,體現(xiàn)了環(huán)保理念,滿足現(xiàn)代電子設備對綠色環(huán)保的要求。

電源供應

支持JEDEC標準的1.35V(1.283V - 1.45V)和1.5V(1.425V - 1.575V)電源供應,VDDQ的電壓范圍同樣為1.35V(1.28V - 1.45V)和1.5V(1.425V - 1.575V),為不同的系統(tǒng)需求提供了靈活的電源選擇。

時鐘頻率與延遲

時鐘頻率為800MHz,對應1600Mb/s/Pin的數(shù)據(jù)傳輸速率??删幊痰腃AS延遲包括6、7、8、9、10、11;可編程的附加延遲(Posted / CAS)為0、CL - 2或CL - 1時鐘;可編程的/CAS寫延遲(CWL)在DDR3 - 1600模式下為8。

其他特性

具有8位預取功能,突發(fā)長度支持4和8;采用雙向差分數(shù)據(jù)選通(Bi - directional Differential Data - Strobe);通過ZQ引腳進行內(nèi)部校準;具備ODT引腳實現(xiàn)片上終端;利用EEPROM進行串行存在檢測和異步復位。

三、引腳識別

該模塊的引腳眾多,每個引腳都有其特定的功能,以下是部分關鍵引腳的介紹: 符號 功能
A0~A15, BA0~BA2 地址/存儲體輸入
DQ0~DQ63 雙向數(shù)據(jù)總線
DQS0~DQS7 數(shù)據(jù)選通
/DQS0~/DQS7 差分數(shù)據(jù)選通
CK0, /CK0, CK1, /CK1 時鐘輸入(差分對)
CKE0, CKE1 時鐘使能輸入
ODT0, ODT1 片上終端控制線
/S0, /S1 DIMM等級選擇線
/RAS 行地址選通
/CAS 列地址選通
/WE 寫使能
DM0~DM7 數(shù)據(jù)掩碼/高數(shù)據(jù)選通
VDD 核心電源供應
VDDQ I/O驅(qū)動電源供應
V REF DQ I/O參考電源
V REF CA 命令/地址參考電源
V DD SPD SPD EEPROM電源供應
SA0~SA2 EEPROM的I2C串行總線地址選擇
SCL EEPROM的I2C串行總線時鐘
SDA EEPROM的I2C串行總線數(shù)據(jù)
VSS 接地
/RESET 設置DRAM已知狀態(tài)
VTT SDRAM I/O終端電源
NC 無連接

需要注意的是,CS1、ODT1、CKE1用于雙列UDIMMs,單列式UDIMMs上為NC;CK1在雙列UDIMMs中使用,單列式UDIMMs中不使用但需進行終端處理。

四、尺寸規(guī)格

該內(nèi)存模塊的尺寸單位為毫米,所有尺寸公差為±0.15mm(除非另有說明),具體尺寸文檔中雖未詳細給出圖形,但明確了各部分的尺寸要求,這對于在設計主板時的空間布局和兼容性至關重要。

五、工作條件

溫度條件

工作溫度范圍為0°C至85°C,這里的工作溫度是指DRAM中心/頂部的表面溫度,測量條件需參考JESD51 - 2標準。在這個溫度范圍內(nèi),所有DRAM規(guī)格都能得到支持。

絕對最大直流額定值

參數(shù) 符號 單位 備注
V DD相對于Vss的電壓 VDD - 0.4 ~ 1.975 V 1
V DDQ引腳相對于Vss的電壓 VDDQ - 0.4 ~ 1.975 V 1
任何引腳相對于Vss的電壓 VIN, VOUT - 0.4 ~ 1.975 V 1
存儲溫度 T STG - 55 ~ + 100 °C 1,2

需要注意的是,超過“絕對最大額定值”的應力可能會對設備造成永久性損壞,且在這些條件下的功能操作并不被保證。存儲溫度同樣是指DRAM中心/頂部的表面溫度,測量條件參考JESD51 - 2標準。

交流和直流工作條件

推薦的直流工作條件包括不同電源電壓的范圍,如VDD和VDDQ在1.35V和1.5V時的具體電壓范圍,以及I/O參考電壓(DQ和CMD/ADD)、交流和直流輸入邏輯高/低電平的要求等。同時,VDDQ必須小于或等于VDD,VDDQ跟隨VDD變化,交流參數(shù)在VDD和VDDQ連接在一起時測量,VREF上的峰 - 峰交流噪聲偏差不得超過±1% VDD。

六、IDD規(guī)格參數(shù)

IDD值是在電壓和溫度的全工作范圍內(nèi)定義的,不同的工作模式下有不同的電流值,例如: 參數(shù) 符號 DDR3 1600 CL11 單位
操作單存儲體激活 - 預充電電流 IDD0 168 mA
操作單存儲體激活 - 讀取 - 預充電電流 IDD1 220 mA
預充電掉電電流 IDD2P - 0 48 mA
預充電安靜待機電流 IDD2Q 72 mA
預充電待機電流 IDD2N 64 mA
激活掉電電流 IDD3P 72 mA
激活待機電流 IDD3N 128 mA
操作突發(fā)讀取電流 IDD4R 520 mA
操作突發(fā)寫入電流 IDD4W 520 mA
突發(fā)刷新電流 IDD5B 688 mA
自刷新電流 IDD6 48 mA
自刷新溫度電流(SRT - 啟用) IDD6ET 56 mA
操作存儲體交錯讀取電流 IDD7 860 mA

需要注意的是,模塊的IDD是根據(jù)特定品牌DRAM(4xnm)組件的IDD計算得出的,實際測量值可能會因DQ負載電容而有所不同。

七、時序參數(shù)與規(guī)格

不同速度下有一系列的時序參數(shù)要求,以DDR3 1600為例: 參數(shù) 符號 最小值 最大值 單位
平均時鐘周期 tCK 1.25 < 1.5 ns
CK高電平寬度 tCH 0.47 0.53 tCK
CK低電平寬度 tCL 0.47 0.53 tCK
DQS, /DQS到DQ的偏移 tDQSQ - 100 ps
DQ從DQS, /DQS的輸出保持時間 tQH 0.38 - tCK
DQ從CK, /CK的低阻抗時間 tLZ(DQ) - 450 225 ps
數(shù)據(jù)到DQS, /DQS的建立時間 tDS 10 - ps
數(shù)據(jù)到DQS, /DQS的保持時間 tDH 45 ps
DQ和DM每個輸入的脈沖寬度 tDIPW 360 - ps
DQS, /DQS讀取前導碼 tRPRE 0.9 - tCK
DQS, /DQS差分讀取后導碼 tRPST 0.3 - tCK
DQS, /DQS寫入前導碼 tWPRE 0.9 - tCK
DQS, /DQS寫入后導碼 tWPST 0.3 - tCK
DQS, /DQS低阻抗時間 tLZ(DQS) - 450 225 ps
DQS, /DQS高阻抗時間 tHZ(DQS) - 225 ps
DQS, /DQS差分輸入低脈沖寬度 tDQSL 0.45 0.55 tCK
DQS, /DQS差分輸入高脈沖寬度 tDQSH 0.45 0.55 tCK
DQS, /DQS上升沿到CK, /CK上升沿 tDQSS - 0.27 + 0.27 tCK
DQS, /DQS下降沿到CK, /CK上升沿的建立時間 tDSS 0.18 - tCK
DQS, /DQS下降沿到CK, /CK上升沿的保持時間 tDSH 0.18 - tCK
內(nèi)部寫入事務開始到內(nèi)部讀取命令的延遲 tWTR Max (4tck, 7.5ns) -
寫入恢復時間 tWR 15 - ns
模式寄存器設置命令周期時間 tMRD 4 - tCK
/CAS到/CAS命令延遲 tCCD 4 - nCK
自動預充電寫入恢復 + 預充電時間 tDAL tWR + tRP/tck nCK
1KB頁面大小的激活到激活命令周期 tRRD Max (4tck, 6ns) - ns
2KB頁面大小的激活到激活命令周期 tRRD Max (4tck, 7.5ns) -
1KB頁面大小的四個激活窗口 tFAW 30 - ns
2KB頁面大小產(chǎn)品的四個激活窗口 tFAW 40 - ns
上電和復位校準時間 tZQinitl 512 - tCK
正常操作全校準時間 tZQoper 256 - tCK
正常操作短校準時間 tZQcs 64 - tCK
退出自刷新到不需要鎖定DLL的命令 tXS Max (5tCK, tRFC + 10ns) -
退出自刷新到需要鎖定DLL的命令 tXSDLL tDLL(min) - tCK
內(nèi)部讀取到預充電命令延遲 tRTP Max (4tck, 7.5ns) -
自刷新進入到退出時序的最小CKE低寬度 tCKESR tCK(min) + 1tCK -
帶DLL退出掉電到任何有效命令 tXP Max (3tCK, 6ns) -
CKE最小脈沖寬度(高和低脈沖寬度) tCKE Max (3tCK, 5ns)
異步RTT開啟延遲(掉電模式) tAONPD 2 8.5 ns
異步RTT關閉延遲(掉電模式) tAOFPD 2 8.5 ns
ODT開啟 tAON - 225 225 ps
ODT關閉 tAOF 0.3 0.7 tCK

這些時序參數(shù)對于確保內(nèi)存模塊與系統(tǒng)的正常通信和數(shù)據(jù)傳輸至關重要,電子工程師在設計時需要嚴格遵循這些參數(shù)要求。

八、串行存在檢測規(guī)格

串行存在檢測(SPD)提供了內(nèi)存模塊的詳細信息,包括模塊的容量、電壓、延遲等參數(shù)。例如,字節(jié)0表示串行PD字節(jié)數(shù)/SPD設備大小/CRC覆蓋范圍;字節(jié)2表示DRAM設備類型為DDR3 SDRAM;字節(jié)6表示模塊標稱電壓為1.5V等。通過讀取SPD信息,系統(tǒng)可以自動配置內(nèi)存模塊的工作參數(shù),實現(xiàn)最佳性能。

總結

Advantech的AQD - D31GN16 - HC DDR3內(nèi)存模塊具有豐富的特性和嚴格的規(guī)格要求,適用于各種高帶寬、高性能的內(nèi)存系統(tǒng)應用。電子工程師在設計和使用該模塊時,需要充分了解其引腳功能、工作條件、時序參數(shù)等信息,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在實際應用中遇到過哪些與內(nèi)存模塊相關的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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