深入解析ADVANTECH AQD - D3L2GN16 - SQ 240Pin DDR3L 1600 UDIMM 2GB內存模塊
在當今的電子設備中,內存模塊的性能和穩(wěn)定性至關重要。ADVANTECH的AQD - D3L2GN16 - SQ 240Pin DDR3L 1600 UDIMM 2GB內存模塊,憑借其出色的性能和廣泛的應用場景,成為了眾多電子工程師的首選。今天,我們就來深入解析這款內存模塊。
文件下載:AQD-D3L2GN16-SQ.pdf
一、產(chǎn)品概述
基本信息
這款內存模塊采用256Mx8bits DDR3L SDRAM的FBGA封裝,搭配2048位串行EEPROM,安裝在240針印刷電路板上。它屬于無緩沖雙列直插式內存模塊(Unbuffered DIMM),可安裝到240針邊緣連接器插座中。
設計特點
其同步設計能利用系統(tǒng)時鐘實現(xiàn)精確的周期控制,數(shù)據(jù)I/O事務可在DQS的兩個邊緣進行。工作頻率范圍和可編程延遲,使其適用于各種高帶寬、高性能的內存系統(tǒng)應用。
二、產(chǎn)品特性
環(huán)保與標準
該產(chǎn)品符合RoHS標準,支持JEDEC標準的1.35V(1.28V - 1.45V)和1.5V(1.425V - 1.575V)電源供應,VDDQ也支持這兩個電壓范圍。
性能參數(shù)
- 時鐘頻率:時鐘頻率為800MHZ,數(shù)據(jù)傳輸速率可達1600Mb/s/Pin。
- 可編程延遲:可編程CAS延遲為6、7、8、9、10、11;可編程附加延遲(Posted /CAS)為0、CL - 2或CL - 1時鐘;可編程/CAS寫延遲(CWL)在DDR3 - 1600模式下為8。
- 預取與突發(fā)長度:具備8位預取功能,突發(fā)長度為4或8。
- 數(shù)據(jù)傳輸:采用雙向差分數(shù)據(jù)選通,通過ZQ引腳進行內部校準,ODT引腳實現(xiàn)片內終結。
- 檢測與復位:通過EEPROM實現(xiàn)串行存在檢測,支持異步復位。
三、引腳信息
引腳功能
| 符號 | 功能 |
|---|---|
| A0~A14, BA0~BA2 | 地址/銀行輸入 |
| DQ0~DQ63 | 雙向數(shù)據(jù)總線 |
| DQS0~DQS7 | 數(shù)據(jù)選通 |
| /DQS0~/DQS7 | 差分數(shù)據(jù)選通 |
| CK0, /CK0,CK1, /CK1 | 時鐘輸入(差分對) |
| CKE0, CKE1 | 時鐘使能輸入 |
| ODT0, ODT1 | 片內終結控制線 |
| /S0, /S1 | DIMM等級選擇線 |
| /RAS | 行地址選通 |
| /CAS | 列地址選通 |
| /WE | 寫使能 |
| DM0~DM7 | 數(shù)據(jù)掩碼/高數(shù)據(jù)選通 |
| VDD | 核心電源供應 |
| VDDQ | I/O驅動電源供應 |
| V REF DQ | I/O參考電源 |
| V REF CA | 命令/地址參考電源 |
| V DD SPD | SPD EEPROM電源供應 |
| SA0~SA2 | I2C串行總線地址選擇(EEPROM) |
| SCL | I2C串行總線時鐘(EEPROM) |
| SDA | I2C串行總線數(shù)據(jù)(EEPROM) |
| VSS | 接地 |
| /RESET | 設置DRAM已知狀態(tài) |
| VTT | SDRAM I/O終結電源 |
| NC | 無連接 |
引腳分配
詳細的引腳分配表給出了240個引腳的具體名稱和功能,例如01引腳為VREFDQ,41引腳為VSS等。需要注意的是,/S1、ODT1、CKE1用于雙列UDIMMs,單排UDIMMs上為NC;CK1和/CK1用于雙列UDIMMs,單排UDIMMs上不使用但需終結。
四、尺寸規(guī)格
該內存模塊的尺寸單位為毫米,所有尺寸公差為+/-0.15mm(除非另有規(guī)定)。
五、工作條件
溫度條件
- 工作溫度:TOPER為0 - 85°C,此溫度是DRAM中心/頂部的表面溫度,測量條件需參考JESD51 - 2標準。在0 - 85°C范圍內,所有DRAM規(guī)格都能得到支持。
- 存儲溫度:T STG為 - 55 - +100°C,同樣是DRAM中心/頂部的表面溫度,測量條件參考JESD51 - 2標準。
絕對最大直流額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 | 注意事項 |
|---|---|---|---|---|
| V DD相對Vss的電壓 | VDD | -0.4 - 1.975 | V | 應力超過此范圍可能導致設備永久損壞 |
| V DDQ引腳相對Vss的電壓 | VDDQ | -0.4 - 1.975 | V | |
| 任何引腳相對Vss的電壓 | VIN, VOUT | -0.4 - 1.975 | V | |
| 存儲溫度 | T STG | -55 - +100 | °C |
交流和直流工作條件
推薦的直流工作條件涵蓋了電源電壓、輸出電源電壓、I/O參考電壓、交流和直流輸入邏輯高低電平等參數(shù),并且有相應的最小值、典型值和最大值。同時,VDDQ必須小于或等于VDD,VDDQ隨VDD變化,AC參數(shù)測量時VDD和VDDQ需連接在一起,VREF上的峰 - 峰交流噪聲偏差不得超過VREF(DC)的+/-1% VDD。
六、IDD規(guī)格參數(shù)
IDD值是在電壓和溫度的全工作范圍內計算得出的,不同的工作模式下有不同的電流值,例如IDD0(一個銀行激活 - 預充電電流)為480mA,IDD1(一個銀行激活 - 讀取 - 預充電電流)為600mA等。
七、時序參數(shù)與規(guī)格
基本時序
給出了DDR3 1600的各種時序參數(shù),如平均時鐘周期tCK為1.25 - <1.5ns,CK高電平寬度tCH為0.47 - 0.53 tCK等。
數(shù)據(jù)相關時序
包括DQS、/DQS與DQ的偏移、DQ輸出保持時間、DQ低阻抗和高阻抗時間等。
讀寫相關時序
涵蓋了讀寫前導碼、后導碼、寫恢復時間、模式寄存器設置命令周期時間等。
八、串行存在檢測規(guī)范
詳細列出了每個字節(jié)的功能描述、標準規(guī)格和廠商部分信息,例如字節(jié)0表示SPD字節(jié)寫入數(shù)量/SPD設備大小/模塊生產(chǎn)期間的CRC覆蓋范圍,標準規(guī)格為CRC:0 - 116Byte,SPD字節(jié)使用176Byte,總字節(jié)數(shù)為256Byte,廠商部分為92。
九、修訂歷史
| 版本 | 日期 | 修改內容 |
|---|---|---|
| 1.0 | 2013/6/17 | 初始發(fā)布 |
| 2.0 | 2014/10/20 | 更改尺寸 |
綜上所述,ADVANTECH的AQD - D3L2GN16 - SQ內存模塊在性能、功能和兼容性方面都有出色的表現(xiàn)。電子工程師在設計相關電子設備時,可根據(jù)這些詳細的參數(shù)和規(guī)格,合理選擇和使用該內存模塊,以確保設備的穩(wěn)定運行和高性能表現(xiàn)。大家在實際應用中是否遇到過類似內存模塊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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