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深入解析ADVANTECH AQD - D3L2GN16 - SQ 240Pin DDR3L 1600 UDIMM 2GB內存模塊

chencui ? 2026-05-12 16:30 ? 次閱讀
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深入解析ADVANTECH AQD - D3L2GN16 - SQ 240Pin DDR3L 1600 UDIMM 2GB內存模塊

在當今的電子設備中,內存模塊的性能和穩(wěn)定性至關重要。ADVANTECH的AQD - D3L2GN16 - SQ 240Pin DDR3L 1600 UDIMM 2GB內存模塊,憑借其出色的性能和廣泛的應用場景,成為了眾多電子工程師的首選。今天,我們就來深入解析這款內存模塊。

文件下載:AQD-D3L2GN16-SQ.pdf

一、產(chǎn)品概述

基本信息

這款內存模塊采用256Mx8bits DDR3L SDRAM的FBGA封裝,搭配2048位串行EEPROM,安裝在240針印刷電路板上。它屬于無緩沖雙列直插式內存模塊(Unbuffered DIMM),可安裝到240針邊緣連接器插座中。

設計特點

其同步設計能利用系統(tǒng)時鐘實現(xiàn)精確的周期控制,數(shù)據(jù)I/O事務可在DQS的兩個邊緣進行。工作頻率范圍和可編程延遲,使其適用于各種高帶寬、高性能的內存系統(tǒng)應用。

二、產(chǎn)品特性

環(huán)保與標準

該產(chǎn)品符合RoHS標準,支持JEDEC標準的1.35V(1.28V - 1.45V)和1.5V(1.425V - 1.575V)電源供應,VDDQ也支持這兩個電壓范圍。

性能參數(shù)

  • 時鐘頻率:時鐘頻率為800MHZ,數(shù)據(jù)傳輸速率可達1600Mb/s/Pin。
  • 可編程延遲:可編程CAS延遲為6、7、8、9、10、11;可編程附加延遲(Posted /CAS)為0、CL - 2或CL - 1時鐘;可編程/CAS寫延遲(CWL)在DDR3 - 1600模式下為8。
  • 預取與突發(fā)長度:具備8位預取功能,突發(fā)長度為4或8。
  • 數(shù)據(jù)傳輸:采用雙向差分數(shù)據(jù)選通,通過ZQ引腳進行內部校準,ODT引腳實現(xiàn)片內終結。
  • 檢測與復位:通過EEPROM實現(xiàn)串行存在檢測,支持異步復位。

三、引腳信息

引腳功能

符號 功能
A0~A14, BA0~BA2 地址/銀行輸入
DQ0~DQ63 雙向數(shù)據(jù)總線
DQS0~DQS7 數(shù)據(jù)選通
/DQS0~/DQS7 差分數(shù)據(jù)選通
CK0, /CK0,CK1, /CK1 時鐘輸入(差分對)
CKE0, CKE1 時鐘使能輸入
ODT0, ODT1 片內終結控制線
/S0, /S1 DIMM等級選擇線
/RAS 行地址選通
/CAS 列地址選通
/WE 寫使能
DM0~DM7 數(shù)據(jù)掩碼/高數(shù)據(jù)選通
VDD 核心電源供應
VDDQ I/O驅動電源供應
V REF DQ I/O參考電源
V REF CA 命令/地址參考電源
V DD SPD SPD EEPROM電源供應
SA0~SA2 I2C串行總線地址選擇(EEPROM)
SCL I2C串行總線時鐘(EEPROM)
SDA I2C串行總線數(shù)據(jù)(EEPROM)
VSS 接地
/RESET 設置DRAM已知狀態(tài)
VTT SDRAM I/O終結電源
NC 無連接

引腳分配

詳細的引腳分配表給出了240個引腳的具體名稱和功能,例如01引腳為VREFDQ,41引腳為VSS等。需要注意的是,/S1、ODT1、CKE1用于雙列UDIMMs,單排UDIMMs上為NC;CK1和/CK1用于雙列UDIMMs,單排UDIMMs上不使用但需終結。

四、尺寸規(guī)格

該內存模塊的尺寸單位為毫米,所有尺寸公差為+/-0.15mm(除非另有規(guī)定)。

五、工作條件

溫度條件

  • 工作溫度:TOPER為0 - 85°C,此溫度是DRAM中心/頂部的表面溫度,測量條件需參考JESD51 - 2標準。在0 - 85°C范圍內,所有DRAM規(guī)格都能得到支持。
  • 存儲溫度:T STG為 - 55 - +100°C,同樣是DRAM中心/頂部的表面溫度,測量條件參考JESD51 - 2標準。

絕對最大直流額定值

參數(shù) 符號 單位 注意事項
V DD相對Vss的電壓 VDD -0.4 - 1.975 V 應力超過此范圍可能導致設備永久損壞
V DDQ引腳相對Vss的電壓 VDDQ -0.4 - 1.975 V
任何引腳相對Vss的電壓 VIN, VOUT -0.4 - 1.975 V
存儲溫度 T STG -55 - +100 °C

交流和直流工作條件

推薦的直流工作條件涵蓋了電源電壓、輸出電源電壓、I/O參考電壓、交流和直流輸入邏輯高低電平等參數(shù),并且有相應的最小值、典型值和最大值。同時,VDDQ必須小于或等于VDD,VDDQ隨VDD變化,AC參數(shù)測量時VDD和VDDQ需連接在一起,VREF上的峰 - 峰交流噪聲偏差不得超過VREF(DC)的+/-1% VDD。

六、IDD規(guī)格參數(shù)

IDD值是在電壓和溫度的全工作范圍內計算得出的,不同的工作模式下有不同的電流值,例如IDD0(一個銀行激活 - 預充電電流)為480mA,IDD1(一個銀行激活 - 讀取 - 預充電電流)為600mA等。

七、時序參數(shù)與規(guī)格

基本時序

給出了DDR3 1600的各種時序參數(shù),如平均時鐘周期tCK為1.25 - <1.5ns,CK高電平寬度tCH為0.47 - 0.53 tCK等。

數(shù)據(jù)相關時序

包括DQS、/DQS與DQ的偏移、DQ輸出保持時間、DQ低阻抗和高阻抗時間等。

讀寫相關時序

涵蓋了讀寫前導碼、后導碼、寫恢復時間、模式寄存器設置命令周期時間等。

八、串行存在檢測規(guī)范

詳細列出了每個字節(jié)的功能描述、標準規(guī)格和廠商部分信息,例如字節(jié)0表示SPD字節(jié)寫入數(shù)量/SPD設備大小/模塊生產(chǎn)期間的CRC覆蓋范圍,標準規(guī)格為CRC:0 - 116Byte,SPD字節(jié)使用176Byte,總字節(jié)數(shù)為256Byte,廠商部分為92。

九、修訂歷史

版本 日期 修改內容
1.0 2013/6/17 初始發(fā)布
2.0 2014/10/20 更改尺寸

綜上所述,ADVANTECH的AQD - D3L2GN16 - SQ內存模塊在性能、功能和兼容性方面都有出色的表現(xiàn)。電子工程師在設計相關電子設備時,可根據(jù)這些詳細的參數(shù)和規(guī)格,合理選擇和使用該內存模塊,以確保設備的穩(wěn)定運行和高性能表現(xiàn)。大家在實際應用中是否遇到過類似內存模塊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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