近日，美光科技正式宣布已開始向主要服務(wù)器生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴提供其最新的256GB DDR5 RDIMM（寄存式雙列直插式內(nèi)存模塊）樣品。這款內(nèi)存模塊傳輸速率高達(dá)9200MT/s，比目前批量生產(chǎn)的DDR5內(nèi)存模塊快40%以上，是美光首款基于全新1-gamma DRAM工藝打造的服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品，也是業(yè)界首次將極紫外光刻（EUV）技術(shù)引入DRAM制造。

這款256GB RDIMM的核心競爭力在于美光全新的1-gamma（1γ）DRAM工藝。這是美光第六代10nm級制程節(jié)點，代表了當(dāng)前DRAM制造工藝的最前沿水平。

過去幾年，DRAM行業(yè)一直受困于光刻技術(shù)的瓶頸。由于DRAM結(jié)構(gòu)極其復(fù)雜，EUV光刻長期以來難以在DRAM量產(chǎn)中應(yīng)用。美光1-gamma工藝的推出，標(biāo)志著EUV技術(shù)首次在DRAM量產(chǎn)中成功落地，這是整個存儲行業(yè)的一個重要里程碑。

相較上一代1β工藝，1-gamma在多個維度實現(xiàn)了顯著提升。晶圓位密度提升超過30%，芯片速度提升約15%，芯片功耗降低超過20%。美光16Gb DDR5芯片在1-gamma工藝下，工作電壓僅為1.1V，卻能實現(xiàn)9200MT/s的超高傳輸速率。這也是美光繼2025年2月推出1-gamma DDR5芯片之后，首次將該工藝應(yīng)用于256GB大容量RDIMM模組產(chǎn)品。

在封裝層面，這款內(nèi)存模塊采用了3D堆疊技術(shù)和硅穿孔（TSV）封裝工藝。通過硅穿孔互聯(lián)技術(shù)，多顆DRAM芯片被垂直集成于同一塊PCB上，在大幅提升單條模組容量的同時，優(yōu)化了信號完整性與數(shù)據(jù)傳輸效率。

基于單顆32Gb DDR5顆粒的堆疊方案，單條模組即可實現(xiàn)256GB容量。這意味著在下一代AI服務(wù)器上，單個CPU插槽最高可支持2TB內(nèi)存，能夠完美適配大語言模型訓(xùn)練對海量內(nèi)存的強烈需求。

美光在發(fā)布中重點強調(diào)了這款產(chǎn)品的能效表現(xiàn)。根據(jù)官方數(shù)據(jù)，單條256GB模塊滿載運行功耗為11.1瓦，而兩條128GB模塊組合的總功耗為19.4瓦。也就是說，用一條256GB替代兩條128GB，運行功耗直接降低超過40%。

對于擁有成千上萬臺服務(wù)器的AI數(shù)據(jù)中心而言，這種能效差距意味著電費賬單的大幅縮減。與此同時，單條大容量設(shè)計還能減少內(nèi)存插槽占用，提升機架部署密度，降低整機散熱壓力，這些都是AI數(shù)據(jù)中心運營商最為看重的指標(biāo)。

美光明確表示，這款256GB DDR5-9200 RDIMM主要面向大語言模型訓(xùn)練、智能體AI架構(gòu)和低延遲實時推理等高密度計算場景，能夠在現(xiàn)有散熱與供電約束下，最大限度擴展每個CPU插槽可配置的內(nèi)存總量。

目前，美光正與NVIDIA、Intel至強6+、AMD Turin等關(guān)鍵平臺合作伙伴在當(dāng)前和下一代服務(wù)器平臺上進(jìn)行兼容性驗證，確保產(chǎn)品在各類主流服務(wù)器架構(gòu)上均能穩(wěn)定運行。與此同時，JEDEC組織也在同步推進(jìn)DDR5多路寄存式內(nèi)存模塊規(guī)范的更新，目標(biāo)將內(nèi)存帶寬上限提升至12800MT/s，進(jìn)一步適配AI時代對內(nèi)存帶寬的持續(xù)增長需求。

隨著生成式AI需求的持續(xù)爆發(fā)，AI數(shù)據(jù)中心對內(nèi)存的要求正在從單一的"快"轉(zhuǎn)向"又快又大又省"。單純堆砌HBM（高帶寬內(nèi)存）雖然能解決帶寬問題，但成本極高且容量有限。傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存雖然成本更低、容量更大，但速度跟不上AI訓(xùn)練的需求。