在工業(yè)控制、汽車電子和智能計量等場景中，存儲芯片既要保證數(shù)據(jù)掉電不丟失，又需具備快速讀寫與高可靠性。MRAM存儲芯片作為一種新型非易失性存儲器，正逐步替代傳統(tǒng)閃存、SRAM和EEPROM。其中，Everspin推出的MR0A08BYS35并行接口MRAM存儲芯片，憑借其35ns讀寫速度和無限次擦寫壽命，成為關(guān)鍵業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)持久存儲的理想選擇。

MRAM存儲芯片采用3.3V工作電壓，44-TSOP2封裝，符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。相比傳統(tǒng)電池供電的SRAM方案，MRAM無需備用電池即可在斷電后保留數(shù)據(jù)長達20年，大幅降低系統(tǒng)維護成本并提升整體可靠性。同時，MRAM存儲芯片無限耐久性意味著在頻繁讀寫的工業(yè)自動化或物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，不會出現(xiàn)閃存常見的擦寫磨損問題。

MRAM存儲芯片MR0A08BYS35提供商用（0至+70℃）和工業(yè)（-40至+85℃）兩種溫度等級，可適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運行。芯片內(nèi)部集成了防靜電高壓保護電路，并對外部磁場干擾具備一定抵御能力。不過，MRAM存儲芯片在實際應(yīng)用中仍需注意避免超過額定最大磁場強度，以及防止輸入電壓超出高阻接口的耐受范圍，從而確保長期使用壽命。英尚微電子作為Everspin授權(quán)代理，長期提供Everspin及全系列MRAM存儲芯片產(chǎn)品現(xiàn)貨與技術(shù)支持。

審核編輯 黃宇