Onsemi高電流互補硅功率晶體管:MJ11028、MJ11030、MJ11032(NPN)與MJ11029、MJ11033(PNP)
在電子電路設(shè)計中,功率晶體管是至關(guān)重要的元件,特別是在互補通用放大器應(yīng)用中,高電流互補硅功率晶體管更是發(fā)揮著關(guān)鍵作用。今天我們就來詳細(xì)了解一下Onsemi公司的MJ11028、MJ11030、MJ11032(NPN)和MJ11029、MJ11033(PNP)這幾款高電流互補硅功率晶體管。
文件下載:MJ11028-D (1).PDF
一、產(chǎn)品概述
這些晶體管主要用于互補通用放大器應(yīng)用中的輸出設(shè)備。它們具有高直流電流增益、曲線可到100A(脈沖)、二極管保護(hù)至額定 $I_{C}$ 、單片結(jié)構(gòu)內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻、結(jié)溫可達(dá) +200°C 等特點,并且還有無鉛封裝可供選擇。
二、產(chǎn)品特性
(一)高直流電流增益
在不同的集電極電流下,晶體管具有不同的最小直流電流增益。當(dāng) $I{C}=25A{dc}$ 時,$h{FE}=1000$(最小值);當(dāng) $I{C}=50A{dc}$ 時,$h{FE}=400$(最小值)。這種高電流增益特性使得晶體管在高電流應(yīng)用中能夠提供穩(wěn)定的放大性能。
(二)脈沖特性
曲線可到100A(脈沖),這表明晶體管在脈沖信號下能夠承受較高的電流,適用于需要處理脈沖信號的電路設(shè)計。
(三)保護(hù)特性
具有二極管保護(hù)至額定 $I_{C}$ ,能夠有效防止晶體管因過流而損壞,提高了晶體管的可靠性和穩(wěn)定性。
(四)結(jié)構(gòu)特點
采用單片結(jié)構(gòu)并內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻,這種設(shè)計簡化了電路設(shè)計,同時也提高了晶體管的性能。
(五)溫度特性
結(jié)溫可達(dá) +200°C,能夠在較高的溫度環(huán)境下正常工作,擴大了晶體管的使用范圍。
(六)環(huán)保特性
提供無鉛封裝,符合環(huán)保要求。
三、最大額定值
| 參數(shù) | 型號 | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | MJ11030 MJ11032/33、MJ11028/29 | $V_{CEO}$ | 60、90、120 | $V_{dc}$ |
| 集電極 - 基極電壓 | MJ11030 MJ11032/33、MJ11028/29 | $V_{CBO}$ | 60、90、120 | $V_{dc}$ |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | - | - | - | $V_{dc}$ |
| 集電極電流 | - | $I_{C}$ | 100 | $A_{dc}$ |
| 基極電流 | - | $I_{B}$ | - | $A_{dc}$ |
| $25^{circ}C$ 以上降額($T_{C}=100^{circ}C$) | - | $P_{D}$ | 300、1.71 | $W/^{circ}C$ |
| 溫度范圍 | - | - | -55 至 +200 | $^{circ}C$ |
使用時需要注意,超過最大額定值可能會損壞設(shè)備,影響設(shè)備的功能和可靠性。
四、熱特性
(一)最大引線溫度
用于焊接目的,10 秒內(nèi)的最大引線溫度為 275°C。
(二)熱阻
結(jié)到外殼的熱阻 $R_{JC}$ 為 0.58 $^{circ}C/W$ 。
五、電氣特性
(一)關(guān)斷特性
- 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓:在不同型號下,當(dāng) $I{C}=100mA{dc}$ ,$I{B}=0$ 時,$V{(BR)CEO}$ 分別為 60、90、120 $V_{dc}$ 。
- 集電極 - 發(fā)射極泄漏電流:在不同的集電極 - 發(fā)射極電壓和溫度條件下,泄漏電流有所不同。
- 發(fā)射極截止電流:當(dāng) $V{BE}=5V{dc}$ ,$I{C}=0$ 時,$I{EBO}$ 最大為 5 $mA_{dc}$ 。
(二)導(dǎo)通特性
- 直流電流增益:當(dāng) $I{C}=25A{dc}$ ,$V{CE}=5V{dc}$ 時,$h{FE}$ 最小為 400;當(dāng) $I{C}=50A{dc}$ ,$V{CE}=5V{dc}$ 時,$h{FE}$ 最小也為 400。
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓:當(dāng) $I{C}=25A{dc}$ ,$I{B}=250mA{dc}$ 時,$V{CE(sat)}$ 最大為 2.5 $V{dc}$ ;當(dāng) $I{C}=50A{dc}$ ,$I{B}=300mA{dc}$ 時,$V{BE(sat)}$ 最大為 3.0 - 4.5 $V{dc}$ 。
六、訂購信息
(一)現(xiàn)有產(chǎn)品
| 設(shè)備型號 | 封裝 | 包裝方式 |
|---|---|---|
| MJ11028G | TO - 204(無鉛) | 100 個/托盤 |
| MJ11032G | TO - 204(無鉛) | 100 個/托盤 |
| MJ11033G | TO - 204(無鉛) | 100 個/托盤 |
(二)已停產(chǎn)產(chǎn)品
| 設(shè)備型號 | 封裝 | 包裝方式 |
|---|---|---|
| MJ11028 | TO - 204 | 100 個/托盤 |
| MJ11029 | TO - 204 | 100 個/托盤 |
| MJ11029G | TO - 204(無鉛) | 100 個/托盤 |
| MJ11030 | TO - 204 | 100 個/托盤 |
| MJ11030G | TO - 204(無鉛) | 100 個/托盤 |
| MJ11032 | TO - 204(無鉛) | 100 個/托盤 |
| MJ11033 | TO - 204 | 100 個/托盤 |
七、安全工作區(qū)
晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿兩個因素的限制。安全工作區(qū)曲線表明了晶體管的 $I{C}-V{CE}$ 限制,為了可靠運行,晶體管的功耗不能超過曲線所示的值。圖 2 的數(shù)據(jù)基于 $T{J(pk)}=200^{circ}C$ ,$T{C}$ 根據(jù)條件而變化。在高外殼溫度下,熱限制會使可處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。
八、機械尺寸
| TO - 204(TO - 3)封裝的機械尺寸詳細(xì)信息如下: | 尺寸 | 英寸(最小值 - 最大值) | 毫米(最小值 - 最大值) |
|---|---|---|---|
| A | 1.530 REF | 38.86 REF | |
| B | 0.990 - 1.050 | 25.15 - 26.67 | |
| C | 0.250 - 0.335 | 6.35 - 8.51 | |
| D | 0.057 - 0.063 | 1.45 - 1.60 | |
| E | 0.060 - 0.070 | 1.53 - 1.77 | |
| G | 0.430 BSC | 10.92 BSC | |
| H | 0.215 BSC | 5.46 BSC | |
| K | 0.440 - 0.480 | 11.18 - 12.19 | |
| L | 0.665 BSC | 16.89 BSC | |
| N | 0.760 - 0.830 | 19.31 - 21.08 | |
| Q | 0.151 - 0.165 | 3.84 - 4.19 | |
| U | 1.187 BSC | 30.15 BSC | |
| V | 0.131 - 0.188 | 3.33 - 4.77 |
在進(jìn)行電路設(shè)計時,我們需要綜合考慮這些參數(shù)和特性,以確保晶體管能夠在合適的條件下正常工作。同時,也要注意產(chǎn)品的訂購信息和停產(chǎn)情況,避免使用已停產(chǎn)的產(chǎn)品。大家在實際應(yīng)用中有沒有遇到過類似晶體管的使用問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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