摘要

微流控封裝貼合平面度直接影響器件密封性能與工作穩(wěn)定性，優(yōu)化平面度并采用精準(zhǔn)檢測技術(shù)，是提升微流控芯片質(zhì)量的關(guān)鍵。白光干涉測量技術(shù)憑借非接觸、納米級精度的優(yōu)勢，可高效實(shí)現(xiàn)平面度檢測與優(yōu)化效果驗(yàn)證。本文針對微流控封裝貼合平面度存在的偏差問題，提出優(yōu)化方案，結(jié)合白光干涉測量技術(shù)開展檢測實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證優(yōu)化效果，為微流控封裝工藝升級提供技術(shù)支撐。

關(guān)鍵詞

微流控封裝；貼合平面度；優(yōu)化方案；白光干涉測量；檢測技術(shù)

引言

微流控芯片封裝過程中，貼合平面度易受工藝參數(shù)影響出現(xiàn)偏差，引發(fā)基底縫隙、流體泄漏等問題，限制器件應(yīng)用。傳統(tǒng)平面度檢測方法精度不足，難以滿足優(yōu)化后平面度的檢測需求。白光干涉測量可精準(zhǔn)表征貼合面微觀形貌，快速捕捉平面度缺陷，為平面度優(yōu)化方案的制定與效果驗(yàn)證提供可靠技術(shù)手段，助力提升封裝質(zhì)量。

實(shí)驗(yàn)方案

實(shí)驗(yàn)選用硅基微流控封裝件，封裝面尺寸20mm×20mm，針對熱鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化，調(diào)整鍵合壓力與溫度以改善平面度。搭建白光干涉測量檢測平臺，調(diào)試光路確保檢測精度，分別對優(yōu)化前后的封裝件進(jìn)行全域掃描，采集平面度數(shù)據(jù)，對比分析優(yōu)化效果，結(jié)合密封測試驗(yàn)證平面度優(yōu)化對器件性能的提升作用。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

實(shí)驗(yàn)表明，通過優(yōu)化鍵合工藝參數(shù)，微流控封裝貼合平面度偏差由優(yōu)化前的0.01mm降至±0.004mm以內(nèi)。白光干涉測量檢測精度達(dá)±2nm，可清晰呈現(xiàn)優(yōu)化前后平面度缺陷的變化，優(yōu)化后平面度缺陷發(fā)生率下降80%，器件密封性能顯著提升。分析可知，工藝參數(shù)優(yōu)化可有效改善平面度，白光干涉測量技術(shù)能精準(zhǔn)檢測優(yōu)化效果，為封裝工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。

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審核編輯 黃宇