Onsemi TIP11x系列晶體管:通用放大與開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想之選
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天我們就來(lái)深入了解一下Onsemi的TIP11x系列晶體管,包括TIP110、TIP111、TIP112(NPN)和TIP115、TIP116、TIP117(PNP),它們專(zhuān)為通用放大器和低速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
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產(chǎn)品特性
高直流電流增益
這個(gè)系列的晶體管具有高直流電流增益,以TIP11x為例,在集電極電流 (I{C}=1.0A) 時(shí),典型的 (h{FE}) 值可達(dá)2500。高電流增益意味著在放大電路中,能夠以較小的基極電流控制較大的集電極電流,這對(duì)于信號(hào)放大非常有用。工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)放大器電路時(shí),高電流增益可以減少對(duì)前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的要求,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
集電極 - 發(fā)射極維持電壓
不同型號(hào)的TIP11x晶體管具有不同的集電極 - 發(fā)射極維持電壓。TIP110和TIP115的 (V_{CEO(sus)}) 最小值為60Vdc,TIP111和TIP116為80Vdc,TIP112和TIP117為100Vdc。這種不同的電壓等級(jí)為工程師提供了更多的選擇,可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求來(lái)挑選合適的晶體管。比如在一些需要較高電壓的電路中,就可以選擇TIP112或TIP117。
低集電極 - 發(fā)射極飽和電壓
當(dāng)集電極電流 (I{C}=2.0A) 時(shí),集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V{CE(sat)}) 最大值為2.5Vdc。低飽和電壓意味著在晶體管導(dǎo)通時(shí),功率損耗較小,能夠提高電路的效率。在設(shè)計(jì)功率電路時(shí),這一特性可以減少發(fā)熱,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
單片結(jié)構(gòu)與內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻
這種設(shè)計(jì)使得晶體管的性能更加穩(wěn)定,同時(shí)也簡(jiǎn)化了外部電路的設(shè)計(jì)。內(nèi)置的分流電阻可以起到保護(hù)作用,防止晶體管因過(guò)流等情況而損壞。
無(wú)鉛封裝可選
隨著環(huán)保要求的提高,無(wú)鉛封裝越來(lái)越受到關(guān)注。Onsemi的TIP11x系列提供無(wú)鉛封裝選項(xiàng),符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),也滿足了一些對(duì)環(huán)保有要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
產(chǎn)品參數(shù)
最大額定值
| 符號(hào) | 額定值 | TIP110, TIP115 | TIP111, TIP116 | TIP112, TIP117 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (V_{CEO}) | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | 60 | 80 | 100 | Vdc |
| (V_{CB}) | 集電極 - 基極電壓 | 60 | 80 | 100 | Vdc |
| (V_{EB}) | 發(fā)射極 - 基極電壓 | 5.0 | Vdc | ||
| (I_{C}) | 集電極電流 - 連續(xù) - 峰值 | 2.0 | Adc | ||
| (I_{B}) | 基極電流 | 50 | mAdc | ||
| (P_{D}) | 總功率耗散 @ (T_{C}=25^{circ}C) ,25°C以上降額 | 50 0.4 | W W/°C | ||
| (P_{D}) | 總功率耗散 @ (T_{A}=25^{circ}C) ,25°C以上降額 | 2.0 0.016 | W W/°C | ||
| (E) | 無(wú)鉗位電感負(fù)載能量 - 圖13 | 25 | mJ | ||
| (T{J}, T{stg}) | 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫 | -65 至 +150 | °C |
這些最大額定值為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考,確保晶體管在安全的范圍內(nèi)工作。如果超過(guò)這些額定值,可能會(huì)損壞晶體管,影響設(shè)備的可靠性。
熱特性
| 符號(hào) | 特性 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結(jié)到外殼的熱阻 | 2.5 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | °C/W |
熱特性對(duì)于晶體管的性能和可靠性非常重要。較低的熱阻意味著晶體管能夠更好地散熱,減少因過(guò)熱而導(dǎo)致的性能下降和損壞的風(fēng)險(xiǎn)。
電氣特性
關(guān)斷特性
在不同的集電極 - 發(fā)射極電壓和基極電流為0的條件下,集電極截止電流 (I{CEO}) 有不同的最大值。例如,在 (V{CE}=30Vdc) , (I{B}=0) 時(shí),TIP110和TIP115的 (I{CEO}) 最大值為2.0mAdc。集電極 - 基極截止電流 (I{CBO}) 和發(fā)射極截止電流 (I{EBO}) 也有相應(yīng)的規(guī)定。這些關(guān)斷特性反映了晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下的漏電情況,對(duì)于低功耗電路的設(shè)計(jì)非常重要。
導(dǎo)通特性
直流電流增益 (h{FE}) 在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下有不同的值。例如,在 (I{C}=1.0A) , (V{CE}=4.0Vdc) 時(shí), (h{FE}) 最小值為1000。集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V{CE(sat)}) 和基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓 (V{BE(on)}) 也有明確的范圍。這些導(dǎo)通特性對(duì)于放大器和開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)至關(guān)重要,工程師可以根據(jù)這些參數(shù)來(lái)計(jì)算電路的增益和功耗。
動(dòng)態(tài)特性
小信號(hào)電流增益 (h{fe}) 和輸出電容 (C{ob}) 也是重要的電氣特性。小信號(hào)電流增益反映了晶體管在小信號(hào)輸入時(shí)的放大能力,輸出電容則會(huì)影響晶體管的高頻性能。
安全工作區(qū)
晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿的限制。安全工作區(qū)曲線顯示了 (I{C}-V{CE}) 的限制,晶體管在使用時(shí)必須遵守這些限制,以確??煽窟\(yùn)行。在設(shè)計(jì)電路時(shí),工程師需要根據(jù)安全工作區(qū)曲線來(lái)選擇合適的工作點(diǎn),避免晶體管因過(guò)功率而損壞。
訂購(gòu)信息
部分型號(hào)的TIP11x晶體管已經(jīng)停產(chǎn),如TIP110、TIP111等。在訂購(gòu)時(shí),需要注意選擇可用的型號(hào),如TIP110G、TIP111G等,它們以50個(gè)單位/導(dǎo)軌的方式發(fā)貨。
Onsemi的TIP11x系列晶體管具有多種優(yōu)良特性和明確的參數(shù)指標(biāo),為電子工程師在通用放大器和低速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供了可靠的選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮晶體管的各項(xiàng)特性和參數(shù),以確保電路的性能和可靠性。大家在使用這些晶體管時(shí),有沒(méi)有遇到過(guò)什么問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)??歡迎在評(píng)論區(qū)分享。
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