Onsemi達林頓功率晶體管TIP10x系列:通用放大與開關(guān)的理想之選
引言
在電子電路設(shè)計中,功率晶體管是實現(xiàn)信號放大和開關(guān)功能的關(guān)鍵元件。Onsemi推出的TIP10x系列互補硅晶體管,包括TIP100、TIP101、TIP102(NPN)和TIP105、TIP106、TIP107(PNP),專為通用放大器和低速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。本文將深入探討該系列晶體管的特性、參數(shù)以及應(yīng)用注意事項,為電子工程師在實際設(shè)計中提供參考。
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產(chǎn)品概述
TIP10x系列晶體管采用TO - 220AB封裝,屬于達林頓結(jié)構(gòu)的8安培互補硅功率晶體管,電壓范圍涵蓋60 - 100V,功率可達80W。這種設(shè)計使其適用于多種通用放大和低速開關(guān)場景,為工程師提供了廣泛的應(yīng)用選擇。
產(chǎn)品特性
高直流電流增益
該系列晶體管具有高直流電流增益($h{FE}$),典型值在$I{C}=4.0A$時可達2500。高電流增益意味著在相同的輸入電流下,可以獲得更大的輸出電流,從而提高電路的放大能力。這對于需要大電流驅(qū)動的負載,如電機、繼電器等,具有重要意義。
集電極 - 發(fā)射極維持電壓
不同型號的TIP10x晶體管具有不同的集電極 - 發(fā)射極維持電壓($V{CEO(sus)}$)。TIP100和TIP105的$V{CEO(sus)}$最小值為60V,TIP101和TIP106為80V,TIP102和TIP107為100V。這使得工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求選擇合適的型號,確保電路在不同的電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。
低集電極 - 發(fā)射極飽和電壓
在$I{C}=3.0A$時,$V{CE(sat)}$最大值為2.0Vdc;在$I{C}=8.0A$時,$V{CE(sat)}$最大值為2.5Vdc。低飽和電壓意味著在晶體管導(dǎo)通時,功率損耗較小,從而提高了電路的效率。這對于需要長時間工作的電路尤為重要,可以減少發(fā)熱,提高系統(tǒng)的可靠性。
單片結(jié)構(gòu)與內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻
采用單片結(jié)構(gòu),內(nèi)置基極 - 發(fā)射極分流電阻,這種設(shè)計可以提高晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。同時,該系列器件為無鉛產(chǎn)品,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
最大額定值
| Symbol | Rating | TIP100, TIP105 | TIP101, TIP106 | TIP102, TIP107 | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| $V_{CEO}$ | 集電極 - 發(fā)射極電壓 | 60 | 80 | 100 | Vdc |
| $V_{CB}$ | 集電極 - 基極電壓 | 60 | 80 | 100 | Vdc |
| $V_{EB}$ | 發(fā)射極 - 基極電壓 | 5.0 | Vdc | ||
| $I_{C}$ | 集電極電流 - 連續(xù) - 峰值 | 8.0 15 | Adc | ||
| $I_{B}$ | 基極電流 | 1.0 | Adc | ||
| $P_{D}$ | 總功率耗散 @ $T_{C}=25^{circ}C$ 高于25°C降額 | 80 0.64 | W W/°C | ||
| $E$ | 無鉗位電感負載能量 (Note 1) | 30 | mJ | ||
| $P_{D}$ | 總功率耗散 @ $T_{A}=25^{circ}C$ 高于25°C降額 | 2.0 0.016 | W W/°C | ||
| $T{J}, T{stg}$ | 工作和存儲結(jié)溫范圍 | –65 to +150 | °C |
需要注意的是,超過最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。在設(shè)計電路時,務(wù)必確保各項參數(shù)在額定范圍內(nèi)。
熱特性
| Symbol | Characteristic | Max | Unit |
|---|---|---|---|
| $R_{BJC}$ | 結(jié)到外殼的熱阻 | 1.56 | °C/W |
| $R_{UA}$ | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 62.5 | °C/W |
熱特性對于功率晶體管的性能和可靠性至關(guān)重要。較低的熱阻意味著可以更有效地將熱量散發(fā)出去,從而降低結(jié)溫,提高晶體管的穩(wěn)定性。在實際應(yīng)用中,需要根據(jù)熱特性合理設(shè)計散熱方案,確保晶體管在安全的溫度范圍內(nèi)工作。
電氣特性
關(guān)斷特性
包括集電極 - 發(fā)射極維持電壓($V{CEO(sus)}$)、集電極截止電流($I{CEO}$)、集電極基極截止電流($I{CBO}$)和發(fā)射極截止電流($I{BO}$)等參數(shù)。這些參數(shù)反映了晶體管在關(guān)斷狀態(tài)下的性能,對于電路的靜態(tài)功耗和穩(wěn)定性有重要影響。
導(dǎo)通特性
主要有直流電流增益($h{FE}$)、集電極 - 發(fā)射極飽和電壓($V{CE(sat)}$)和基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓($V_{BE(on)}$)。這些參數(shù)決定了晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下的放大能力和功耗,是設(shè)計放大電路和開關(guān)電路的關(guān)鍵依據(jù)。
動態(tài)特性
如小信號電流增益($h{fe}$)和輸出電容($C{ob}$)。小信號電流增益反映了晶體管對小信號的放大能力,而輸出電容則影響電路的高頻性能。在高頻應(yīng)用中,需要關(guān)注這些動態(tài)特性,以確保電路的性能符合要求。
安全工作區(qū)
晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿的限制。安全工作區(qū)曲線(SOA)給出了$I{C}-V{CE}$的限制范圍,為了保證可靠運行,晶體管的工作點必須在曲線范圍內(nèi)。圖6所示的安全工作區(qū)數(shù)據(jù)基于$T{J(pk)} = 150^{circ}C$,$T{C}$根據(jù)具體條件可變。二次擊穿脈沖限制在占空比為10%且$T{J(pk)} < 150^{circ}C$時有效,$T{J(pk)}$可根據(jù)圖5的數(shù)據(jù)計算得出。在高外殼溫度下,熱限制會使可處理的功率低于二次擊穿的限制值。
訂購信息
| Device | Package | Shipping |
|---|---|---|
| TIP100 | TO - 220 | 50 Units / Rail |
| TIP100G | TO - 220 (Pb - Free) | 50 Units / Rail |
| TIP101 | TO - 220 | 50 Units / Rail |
| TIP101G | TO - 220 (Pb - Free) | 50 Units / Rail |
| TIP102 | TO - 220 | 50 Units / Rail |
| TIP102G | TO - 220 (Pb - Free) | 50 Units / Rail |
| TIP105 | TO - 220 | 50 Units / Rail |
| TIP105G | TO - 220 (Pb - Free) | 50 Units / Rail |
| TIP106 | TO - 220 | 50 Units / Rail |
| TIP106G | TO - 220 (Pb - Free) | 50 Units / Rail |
| TIP107 | TO - 220 | 50 Units / Rail |
| TIP107G | TO - 220 (Pb - Free) | 50 Units / Rail |
工程師可以根據(jù)實際需求選擇合適的器件和封裝,并注意無鉛產(chǎn)品的標(biāo)識(G后綴)。
總結(jié)
Onsemi的TIP10x系列互補硅晶體管以其高電流增益、合適的電壓范圍、低飽和電壓等特性,為通用放大和低速開關(guān)應(yīng)用提供了可靠的解決方案。在設(shè)計電路時,工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮晶體管的各項參數(shù)和特性,確保電路的性能和可靠性。同時,要注意遵守最大額定值和安全工作區(qū)的限制,合理設(shè)計散熱方案,以充分發(fā)揮晶體管的性能。你在實際應(yīng)用中是否遇到過類似晶體管的選型和設(shè)計問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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