onsemi ESD7351、SZESD7351系列ESD保護(hù)二極管：高性能靜電防護(hù)解決方案

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，靜電放電（ESD）是一個(gè)常見且具有潛在危害的問題，它可能會(huì)對(duì)電壓敏感的電子元件造成損害，影響設(shè)備的性能和可靠性。onsemi的ESD7351、SZESD7351系列ESD保護(hù)二極管為解決這一問題提供了出色的解決方案。下面我們就來詳細(xì)了解一下這款產(chǎn)品。

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產(chǎn)品概述

ESD7351系列旨在保護(hù)那些需要超低電容的電壓敏感元件，使其免受ESD和瞬態(tài)電壓事件的影響。它具有出色的鉗位能力、低電容、低泄漏和快速響應(yīng)時(shí)間等優(yōu)點(diǎn)，非常適合在電路板空間有限的設(shè)計(jì)中用于ESD保護(hù)。由于其低電容特性，該系列產(chǎn)品也適用于高頻設(shè)計(jì)，如USB 2.0高速和天線線路應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

1. 低電容

I/O到地的最大電容僅為0.6 pF，這種低電容特性使得它在高頻信號(hào)傳輸中能夠減少信號(hào)的衰減和失真，確保信號(hào)的完整性。

2. 低鉗位電壓

該系列產(chǎn)品的鉗位電壓較低，能夠在ESD事件發(fā)生時(shí)迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi)，有效保護(hù)敏感元件。其工作峰值反向電壓（VRWM）為3.3 V，在不同的測(cè)試電流下，鉗位電壓也有明確的參數(shù)，如在Ipp = 1 A時(shí)，鉗位電壓（VC）最大為8.0 V；在Ipp = 3 A時(shí)，鉗位電壓最大為10 V。

3. 低泄漏

反向泄漏電流（IR）在VRWM = 3.3 V時(shí)，典型值小于1.0 nA，最大值為50 nA。低泄漏特性意味著在正常工作狀態(tài)下，該二極管消耗的電流非常小，不會(huì)對(duì)電路的功耗產(chǎn)生明顯影響。

4. 快速響應(yīng)時(shí)間

響應(yīng)時(shí)間小于1 ns，能夠在ESD事件發(fā)生的瞬間迅速做出響應(yīng)，保護(hù)元件免受損害。

5. 低動(dòng)態(tài)電阻

動(dòng)態(tài)電阻（RDYN）小于1 Ω，典型值為0.35 Ω。低動(dòng)態(tài)電阻有助于在ESD事件時(shí)快速泄放電流，降低電壓尖峰。

6. 高ESD保護(hù)等級(jí)

符合IEC61000 - 4 - 2 Level 4 ESD保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，能夠承受高達(dá)±20 kV的接觸和空氣ESD沖擊。

7. 汽車級(jí)應(yīng)用

帶有SZ前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他需要獨(dú)特場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序（PPAP）能力。

8. 環(huán)保特性

這些器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑（BFR），符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

典型應(yīng)用

1. RF信號(hào)ESD保護(hù)

在射頻信號(hào)傳輸中，ESD事件可能會(huì)干擾信號(hào)的正常傳輸，甚至損壞射頻元件。ESD7351系列的低電容和快速響應(yīng)特性使其能夠有效地保護(hù)RF信號(hào)線路，確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。

2. RF開關(guān)、功率放大器（PA）和天線ESD保護(hù)

RF開關(guān)、PA和天線等元件在工作過程中容易受到ESD的影響，該系列產(chǎn)品可以為這些元件提供可靠的ESD保護(hù)，提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。

3. 近場(chǎng)通信（NFC）

在NFC應(yīng)用中，ESD保護(hù)同樣重要。ESD7351系列能夠保護(hù)NFC模塊免受ESD的損害，確保NFC通信的正常進(jìn)行。

電氣特性

1. 反向工作電壓（VRWM）

VRWM為3.3 V，這是該二極管正常工作時(shí)的反向峰值電壓。

2. 擊穿電壓（VBR）

在測(cè)試電流（IT）為1 mA時(shí)，擊穿電壓的最小值為5.0 V。

3. 反向泄漏電流（IR）

在VRWM = 3.3 V時(shí)，IR的典型值小于1.0 nA，最大值為50 nA。

4. 鉗位電壓（VC）

在不同的脈沖電流下，鉗位電壓有不同的值。如Ipp = 1 A時(shí)，VC最大為8.0 V；Ipp = 3 A時(shí)，VC最大為10 V。

5. 結(jié)電容（CJ）

在VR = 0 V，f = 1 MHz或f < 1 GHz時(shí)，CJ的典型值為0.43 pF，最大值為0.6 pF。

6. 動(dòng)態(tài)電阻（RDYN）

通過TLP脈沖測(cè)試，RDYN的典型值為0.35 Ω，最大值為2 Ω。

測(cè)試方法

1. ESD電壓鉗位測(cè)試

對(duì)于敏感電路元件，在ESD事件期間將IC暴露的電壓限制在盡可能低的水平非常重要。ESD鉗位電壓是指在ESD事件期間，ESD保護(hù)二極管兩端的電壓降，符合IEC61000 - 4 - 2波形。onsemi通過示波器截圖的方式來觀察ESD保護(hù)二極管在ESD脈沖時(shí)域內(nèi)的整個(gè)電壓波形，具體信息可參考應(yīng)用筆記AND8307/D。

2. 傳輸線脈沖（TLP）測(cè)量

TLP提供電流與電壓（I - V）曲線，每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)是通過從充電傳輸線發(fā)出的100 ns長(zhǎng)矩形脈沖獲得的。TLP I - V曲線能夠準(zhǔn)確地展示ESD保護(hù)器件的ESD能力，因?yàn)槠鋽?shù)十安培的電流水平和小于100 ns的時(shí)間尺度與ESD事件相匹配。通過TLP I - V曲線可以看到器件的導(dǎo)通電壓以及在不同電流水平下的電壓鉗位能力。

訂購(gòu)信息

該系列產(chǎn)品提供多種封裝形式，包括SOD - 323、SOD - 523和SOD - 923等，每種封裝都有不同的包裝數(shù)量，如ESD7351HT1G、SZESD7351HT1G采用SOD - 323封裝，每卷3000個(gè)；ESD7351XV2T1G、SZESD7351XV2T1G采用SOD - 523封裝，每卷3000個(gè)等。

機(jī)械尺寸

文檔中還提供了SOD - 323、SOD - 523和SOD - 923三種封裝的機(jī)械尺寸和推薦安裝尺寸，工程師在設(shè)計(jì)電路板時(shí)可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇。

總的來說，onsemi的ESD7351、SZESD7351系列ESD保護(hù)二極管以其出色的性能和豐富的特性，為電子工程師在設(shè)計(jì)中提供了可靠的ESD保護(hù)解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中，工程師可以根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求和應(yīng)用場(chǎng)景，合理選擇合適的封裝和型號(hào)，確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。大家在使用過程中有沒有遇到過ESD保護(hù)相關(guān)的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。