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安森美ESD7551和SZESD7551:超高性能ESD保護(hù)二極管的技術(shù)剖析

lhl545545 ? 2026-05-17 14:20 ? 次閱讀
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安森美ESD7551和SZESD7551:超高性能ESD保護(hù)二極管的技術(shù)剖析

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,靜電放電(ESD)保護(hù)是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。安森美(onsemi)推出的ESD7551和SZESD7551系列ESD保護(hù)二極管,為需要超低電容的電壓敏感組件提供了出色的ESD和瞬態(tài)電壓保護(hù)。今天,我們就來(lái)深入剖析這兩款產(chǎn)品的特性、參數(shù)和應(yīng)用。

文件下載:ESD7551-D.PDF

產(chǎn)品概述

ESD7551專(zhuān)為保護(hù)需要超低電容的電壓敏感組件而設(shè)計(jì),能有效應(yīng)對(duì)ESD和瞬態(tài)電壓事件。其具備出色的鉗位能力、低電容、低泄漏和快速響應(yīng)時(shí)間等特性,非常適合在電路板空間有限的設(shè)計(jì)中使用。此外,由于其低電容特性,該產(chǎn)品也適用于高頻設(shè)計(jì),如USB 2.0高速和天線(xiàn)線(xiàn)路應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

超低電容

ESD7551的電容最大值僅為0.35 pF,這一特性使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效減少信號(hào)干擾,確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。

低鉗位電壓

其關(guān)斷電壓為3.3 V,能夠在ESD事件發(fā)生時(shí)迅速將電壓鉗位在較低水平,保護(hù)敏感組件不受高電壓的損害。

低泄漏

低泄漏電流意味著產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下消耗的功率較低,有助于提高系統(tǒng)的能效。

快速響應(yīng)時(shí)間

響應(yīng)時(shí)間小于1 ns,能夠在瞬間對(duì)ESD事件做出反應(yīng),及時(shí)保護(hù)組件。

低動(dòng)態(tài)電阻

動(dòng)態(tài)電阻小于1 Ω,能夠在ESD事件發(fā)生時(shí)提供低阻抗路徑,有效降低電壓峰值。

標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)

該產(chǎn)品符合IEC 61000 - 4 - 2(Level 4)和ISO 10605標(biāo)準(zhǔn),能夠?yàn)樵O(shè)備提供可靠的ESD保護(hù)。

封裝優(yōu)勢(shì)

SZESD7551MXWT5G采用可焊?jìng)?cè)翼封裝,便于自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)(AOI)。此外,帶有SZ前綴的產(chǎn)品適用于汽車(chē)和其他有特殊場(chǎng)地和控制變更要求的應(yīng)用,并且符合AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)能力。

環(huán)保特性

這些設(shè)備無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求。

典型應(yīng)用

RF信號(hào)ESD保護(hù)

射頻信號(hào)傳輸過(guò)程中,ESD事件可能會(huì)對(duì)信號(hào)質(zhì)量產(chǎn)生嚴(yán)重影響。ESD7551和SZESD7551能夠有效保護(hù)RF信號(hào)免受ESD的干擾,確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。

RF開(kāi)關(guān)、功率放大器(PA)和天線(xiàn)ESD保護(hù)

在RF開(kāi)關(guān)、PA和天線(xiàn)等關(guān)鍵組件中,ESD保護(hù)至關(guān)重要。這兩款產(chǎn)品能夠?yàn)檫@些組件提供可靠的ESD保護(hù),提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。

近場(chǎng)通信NFC

在NFC應(yīng)用中,ESD事件可能會(huì)導(dǎo)致通信中斷或數(shù)據(jù)丟失。ESD7551和SZESD7551能夠有效保護(hù)NFC設(shè)備免受ESD的影響,確保通信的正常進(jìn)行。

最大額定值

額定值 符號(hào) 單位
FR - 5板上的總功耗(注1)@ $T_{A}=25^{circ} C$ $P_{D}$ 250 mW
熱阻,結(jié)到環(huán)境 $R_{UA}$ 400 °C/W
結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍 $T{J}$,$T{stg}$ -55 至 +150 °C
引腳焊接溫度 - 最大(10秒持續(xù)時(shí)間) $T_{L}$ 260 °C
ESD ±25 kV
IEC 61000 - 4 - 2接觸、IEC 61000 - 4 - 2空氣、ISO 10605 150 pF/2 kΩ、ISO 10605 330 pF/2 kΩ、ISO 10605 330 pF/330Ω +25、±30、±30、±20 kV

需要注意的是,超過(guò)最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會(huì)損壞設(shè)備。如果超過(guò)這些限制,設(shè)備的功能可能無(wú)法保證,可能會(huì)發(fā)生損壞并影響可靠性。

電氣特性

參數(shù) 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
反向工作電壓 $V_{RWM}$ 3.3 V
擊穿電壓(注2) $V_{BR}$ $I_{T} = 1 mA$ 5.0 6.0 7.5 V
反向泄漏電流 $I_{R}$ $V_{RWM} = 3.3 V$ <1.0 50 nA
鉗位電壓(注3) $V_{c}$ $I_{PP} = 1 A$ 10 V
鉗位電壓(注3) $V_{c}$ $I_{PP} = 3 A$ 13 V
ESD鉗位電壓 $V_{C}$ 符合IEC61000 - 4 - 2
結(jié)電容 $C_{J}$ $V{R} = 0 V$,$f = 1 MHz$;$V{R} = 0 V$,$f = 1 GHz$ 0.25、0.22 0.35、0.35 pF
動(dòng)態(tài)電阻 $R_{DYN}$ TLP脈沖 0.55 2

注2:擊穿電壓從引腳1到2和引腳2到1進(jìn)行測(cè)試。注3:在$T_{A}=25^{circ} C$時(shí),非重復(fù)電流脈沖,符合IEC61000 - 4 - 5波形。

ESD電壓鉗位

對(duì)于敏感電路元件,在ESD事件期間將IC暴露的電壓限制在盡可能低的水平非常重要。ESD鉗位電壓是ESD保護(hù)二極管在ESD事件期間根據(jù)IEC61000 - 4 - 2波形的電壓降。安森美開(kāi)發(fā)了一種方法,通過(guò)示波器截圖的形式在ESD脈沖的時(shí)域內(nèi)檢查ESD保護(hù)二極管上的整個(gè)電壓波形,相關(guān)信息可在所有ESD保護(hù)二極管的數(shù)據(jù)表中找到。如需了解安森美如何創(chuàng)建這些截圖以及如何解釋它們,請(qǐng)參考AND8307/D。

機(jī)械封裝和推薦安裝

產(chǎn)品提供X2DFNW - 2和X2DFN2兩種封裝,尺寸分別為1.00x0.60x0.37,引腳間距為0.65P。詳細(xì)的封裝尺寸和公差信息可參考文檔。同時(shí),文檔還提供了推薦的安裝腳印,如需了解更多關(guān)于無(wú)鉛策略和焊接細(xì)節(jié)的信息,請(qǐng)下載安森美焊接和安裝技術(shù)參考手冊(cè)(SOLDERRM/D)。

總結(jié)

安森美ESD7551和SZESD7551系列ESD保護(hù)二極管以其出色的性能和豐富的特性,為電子設(shè)備的ESD保護(hù)提供了可靠的解決方案。無(wú)論是在高頻應(yīng)用還是對(duì)電路板空間有嚴(yán)格要求的設(shè)計(jì)中,這兩款產(chǎn)品都能發(fā)揮重要作用。電子工程師在設(shè)計(jì)過(guò)程中,可以根據(jù)具體需求選擇合適的產(chǎn)品,確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。

你在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否遇到過(guò)ESD保護(hù)方面的挑戰(zhàn)?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。

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