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安森美互補(bǔ)硅塑料功率晶體管TIP31/TIP32系列解析

lhl545545 ? 2026-05-17 17:45 ? 次閱讀
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安森美互補(bǔ)硅塑料功率晶體管TIP31/TIP32系列解析

電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,功率晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們來深入了解安森美(onsemi)的TIP31G、TIP31AG、TIP31BG、TIP31CG(NPN)以及TIP32G、TIP32AG、TIP32BG、TIP32CG(PNP)這一系列互補(bǔ)硅塑料功率晶體管,看看它們?cè)?a target="_blank">通用放大器和開關(guān)應(yīng)用中能發(fā)揮怎樣的作用。

文件下載:TIP31A-D.PDF

產(chǎn)品概述

這一系列晶體管采用TO - 220封裝(CASE 221A STYLE 1),專為通用放大器和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其顯著特點(diǎn)包括高電流增益 - 帶寬乘積,并且采用緊湊的TO - 220封裝,耐壓范圍涵蓋40 - 60 - 80 - 100V,功率可達(dá)40W。同時(shí),這些器件為無鉛產(chǎn)品,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品特性

高電流增益 - 帶寬乘積

這一特性使得晶體管在信號(hào)放大和處理方面表現(xiàn)出色,能夠更高效地處理不同頻率的信號(hào),滿足多種應(yīng)用場(chǎng)景下對(duì)信號(hào)質(zhì)量的要求。

緊湊封裝

TO - 220封裝設(shè)計(jì)不僅節(jié)省了電路板空間,還便于安裝和散熱。對(duì)于空間有限的設(shè)計(jì),這種緊湊封裝無疑是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)。

環(huán)保合規(guī)

無鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),響應(yīng)了環(huán)保要求,也為產(chǎn)品在全球市場(chǎng)的推廣提供了便利。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

符號(hào) 額定值描述 單位
(V_{CEO}) 集電極 - 發(fā)射極電壓(不同型號(hào)) 40、60、80、100 (V_{dc})
(V_{CB}) 集電極 - 基極電壓(不同型號(hào)) 40、60、80、100 (V_{dc})
(V_{EB}) 發(fā)射極 - 基極電壓 5.0 (V_{dc})
(I_{C}) 集電極連續(xù)電流 3.0 (A_{dc})
(I_{CM}) 集電極峰值電流 5.0 (A_{dc})
(I_{B}) 基極電流 1.0 (A_{dc})
(P_{D}) 總功率耗散((T_{C}=25^{circ}C))及以上降額 40、0.32 (W)、(W/^{circ}C)
(P_{D}) 總功率耗散((T_{A}=25^{circ}C))及以上降額 2.0、0.016 (W)、(W/^{circ}C)
(E) 無鉗位電感負(fù)載能量 32 (mJ)
(T{J})、(T{stg}) 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 –65 到 +150 (^{circ}C)

這些參數(shù)為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了明確的邊界條件,確保晶體管在安全的工作范圍內(nèi)運(yùn)行。例如,在設(shè)計(jì)電源電路時(shí),需要根據(jù)集電極電流和功率耗散等參數(shù)來選擇合適的散熱方案,以保證晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。

熱特性

符號(hào) 特性 最大值 單位
(R_{θJA}) 結(jié)到環(huán)境的熱阻 62.5 (^{circ}C/W)
(R_{θJC}) 結(jié)到外殼的熱阻 3.125 (^{circ}C/W)

熱阻參數(shù)對(duì)于散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要。較高的熱阻意味著晶體管產(chǎn)生的熱量更難散發(fā)出去,容易導(dǎo)致結(jié)溫升高,影響性能和壽命。因此,在實(shí)際設(shè)計(jì)中,需要根據(jù)熱阻參數(shù)合理選擇散熱片等散熱裝置。

電氣特性

截止特性

  • (V_{CEO(sus)}):集電極 - 發(fā)射極維持電壓,不同型號(hào)對(duì)應(yīng)不同的電壓值(40、60、80、100V),這反映了晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受的最大電壓。
  • (I{CEO}):集電極截止電流,在不同的集電極 - 發(fā)射極電壓下有不同的規(guī)定值,一般不超過0.3 (m{A_{dc}}),體現(xiàn)了晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下的漏電流情況。
  • (I{CES}):在不同的集電極 - 發(fā)射極電壓和發(fā)射極 - 基極電壓條件下,集電極截止電流不超過200 (μA{dc})。
  • (I{BO}):發(fā)射極截止電流,在發(fā)射極 - 基極電壓為5.0 (V{dc})且集電極電流為0時(shí),不超過1.0 (m{A{dc}})。

導(dǎo)通特性

  • (h{FE}):直流電流增益,在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下,有不同的取值范圍(如(I{C}= 1.0 A{dc}),(V{CE} = 4.0V{dc})時(shí)為25 - 50;(I{C}= 3.0 A{dc}),(V{CE} = 4.0V_{dc})時(shí)為10 - 50),反映了晶體管對(duì)電流的放大能力。
  • (V{CE(sat)}):集電極 - 發(fā)射極飽和電壓,在(I{C}=3.0 A{dc}),(I{B}=375 m{A{dc}})時(shí),不超過1.2 (V_{dc})。
  • (V{BE(on)}):基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓,在(I{C}=3.0 A{dc}),(V{CE}=4.0 V{dc})時(shí),不超過1.8 (V{dc})。

動(dòng)態(tài)特性

  • (f{T}):電流增益 - 帶寬乘積,在(I{C}=500 m{A{dc}}),(V{CE}=10 V{dc}),(f_{test }=1.0 MHz)時(shí),最小值為3.0 (MHz),體現(xiàn)了晶體管在高頻信號(hào)處理方面的能力。
  • (h{fe}):小信號(hào)電流增益,在(I{C}=0.5 A{dc}),(V{CE}=10 V_{dc}),(f = 1.0 kHz)時(shí),最小值為20。

安全工作區(qū)域

晶體管的功率處理能力受到平均結(jié)溫和二次擊穿兩個(gè)因素的限制。安全工作區(qū)域曲線(SOA)給出了晶體管在可靠工作時(shí)(I{C}-V{CE})的限制范圍。設(shè)計(jì)時(shí)必須確保晶體管的工作狀態(tài)不超過這些曲線所規(guī)定的范圍,否則可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞或可靠性下降。例如,在高結(jié)溫情況下,熱限制會(huì)使晶體管能夠處理的功率低于二次擊穿所施加的限制。

訂購(gòu)信息

器件 封裝 包裝
TIP31AG TO - 220(無鉛) 50 個(gè)/導(dǎo)軌
TIP31BG TO - 220(無鉛) 50 個(gè)/導(dǎo)軌
TIP31CG TO - 220(無鉛) 50 個(gè)/導(dǎo)軌
TIP32G TO - 220(無鉛) 50 個(gè)/導(dǎo)軌
TIP32AG TO - 220(無鉛) 50 個(gè)/導(dǎo)軌
TIP32BG TO - 220(無鉛) 50 個(gè)/導(dǎo)軌
TIP32CG TO - 220(無鉛) 50 個(gè)/導(dǎo)軌

需要注意的是,TIP31G已停產(chǎn),不建議用于新設(shè)計(jì)。

機(jī)械尺寸

文檔中詳細(xì)給出了TO - 220 - 3封裝的機(jī)械尺寸,包括各個(gè)維度的最小值、標(biāo)稱值和最大值。這些尺寸信息對(duì)于電路板布局和機(jī)械設(shè)計(jì)非常重要,確保晶體管能夠正確安裝和與其他元件配合。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,電子工程師需要綜合考慮上述各項(xiàng)參數(shù)和特性,根據(jù)具體的應(yīng)用需求來選擇合適的晶體管型號(hào),并進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì)。大家在使用這些晶體管時(shí),有沒有遇到過什么特別的問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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