探索Onsemi TIP33C NPN高功率晶體管:特性、參數(shù)與應(yīng)用
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,選擇合適的晶體管是至關(guān)重要的。Onsemi的TIP33C NPN高功率晶體管,專為通用功率放大器和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有一系列引人注目的特性。下面,我們將深入了解TIP33C的相關(guān)技術(shù)信息。
文件下載:TIP33C-D.PDF
特性亮點(diǎn)
ESD防護(hù)與環(huán)保設(shè)計(jì)
TIP33C具有出色的靜電放電(ESD)防護(hù)能力,其機(jī)器模型ESD評級大于400V,人體模型ESD評級大于8000V,能有效抵抗靜電干擾,保障設(shè)備的穩(wěn)定性。此外,該晶體管的環(huán)氧樹脂符合UL 94 V - 0標(biāo)準(zhǔn),并且是無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。
高功率與寬溫度范圍
它能夠承受高達(dá)80瓦的功率耗散(在25°C時(shí)),并具有-65°C至+150°C的寬工作和存儲結(jié)溫范圍,這使得TIP33C在各種惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定工作。
關(guān)鍵參數(shù)
最大額定值
| 額定參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | VCEO | 100 | Vdc |
| 集電極 - 基極電壓 | VCBO | 100 | Vdc |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 | VEBO | 5.0 | Vdc |
| 集電極電流(連續(xù)/峰值) | IC | 10/15 | Adc/Apk |
| 基極電流(連續(xù)) | IB | 3.0 | Adc |
| 總器件耗散(25°C時(shí)/25°C以上降額) | PD | 80/0.64 | Watts/W/°C |
| 工作和存儲結(jié)溫范圍 | TJ, Tstg | –65 to +150 | °C |
熱特性
| 特性 | 符號 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 結(jié)到外殼的熱阻 | RBC | 1.56 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | RBA | 35.7 | °C/W |
電氣特性
截止特性
- 集電極 - 發(fā)射極維持電壓(IC = 30 mA, IB = 0):VCEO(sus) 為100 Vdc。
- 集電極 - 發(fā)射極截止電流在不同條件下有不同的值,如VCE = 30 V, IB = 0時(shí),ICEO最大為0.7 mA;VCE = 額定VCEO, VEB = 0時(shí),ICES最大為0.4 mA。
- 發(fā)射極 - 基極截止電流(VEB = 5.0 V, IC = 0):IEBO最大為1.0 mA。
導(dǎo)通特性
- 直流電流增益(hFE):在不同的集電極電流和集電極 - 發(fā)射極電壓條件下有所不同,如IC = 1.0 A, VCE = 4.0 V時(shí),hFE為40 - 100;IC = 3.0 A, VCE = 4.0 V時(shí),hFE為20 - 100。
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)):IC = 3.0 A, IB = 0.3 A時(shí),VCE(sat)最大為1.0 Vdc;IC = 10 A, IB = 2.5 A時(shí),VCE(sat)最大為4.0 Vdc。
- 基極 - 發(fā)射極導(dǎo)通電壓(VBE(on)):IC = 3.0 A, VCE = 4.0 V時(shí),VBE(on)最大為1.6 Vdc;IC = 10 A, VCE = 4.0 V時(shí),VBE(on)最大為3.0 Vdc。
動態(tài)特性
- 小信號電流增益(hfe):在IC = 0.5 A, VCE = 10 V, f = 1.0 kHz時(shí),hfe為20。
- 電流增益 - 帶寬乘積(fT):在IC = 0.5 A, VCE = 10 V, f = 1.0 MHz時(shí),fT為3.0 MHz。
安全工作區(qū)
正向偏置
正向偏置安全工作區(qū)表示這些器件在正向偏置期間能夠承受的電壓和電流條件。數(shù)據(jù)基于25°C的殼溫,結(jié)溫峰值(TJ(pk))隨功率水平而變化。二次擊穿脈沖限制在占空比為10%時(shí)有效,并且當(dāng)殼溫高于25°C時(shí)需要進(jìn)行熱降額。
反向偏置
反向偏置安全工作區(qū)表示這些器件在反向偏置關(guān)斷期間能夠承受的電壓和電流條件。該評級在鉗位條件下得到驗(yàn)證,因此器件不會受到雪崩模式的影響。
封裝與訂購信息
TIP33C采用TO - 247封裝,并且有無鉛版本(TIP33CG)。每導(dǎo)軌可裝30個器件。對于卷帶包裝規(guī)格的詳細(xì)信息,可參考BRD8011/D手冊。
應(yīng)用思考
在實(shí)際設(shè)計(jì)中,電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景來評估TIP33C是否合適。例如,在功率放大器設(shè)計(jì)中,需要考慮其功率耗散、電流增益等參數(shù)是否滿足設(shè)計(jì)要求;在開關(guān)應(yīng)用中,要關(guān)注其開關(guān)速度和安全工作區(qū)等特性。大家在使用TIP33C進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),有沒有遇到過一些特殊的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
總之,Onsemi的TIP33C NPN高功率晶體管以其豐富的特性和明確的參數(shù),為電子工程師在功率放大器和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)中提供了一個可靠的選擇。但在實(shí)際應(yīng)用中,還需要根據(jù)具體需求進(jìn)行全面的評估和驗(yàn)證。
-
電子應(yīng)用
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
349瀏覽量
6822
發(fā)布評論請先 登錄
常用元器件參數(shù)說明晶體管相關(guān)資料分享
基于功率晶體管TIP33C和TIP34C的40W功率放大器電路圖
探索Onsemi TIP33C NPN高功率晶體管:特性、參數(shù)與應(yīng)用
評論