73S8009R 演示板用戶(hù)手冊(cè)：開(kāi)啟智能卡接口評(píng)估新體驗(yàn)

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)中，智能卡接口的評(píng)估是至關(guān)重要的一環(huán)。Teridian Semiconductor Corporation 的 73S8009R 演示板，為我們提供了一個(gè)便捷、高效的評(píng)估平臺(tái)。今天，我們就來(lái)深入了解一下這款演示板的相關(guān)信息。

文件下載：73S8009R-DB.pdf

一、引言

73S8009R 演示板是用于評(píng)估 Teridian 73S8009R 智能卡接口 IC 的平臺(tái)。它集成了 73S8009R 集成電路，既可以作為獨(dú)立平臺(tái)與外部微控制器配合使用，也可以作為子卡與 73S12xxF 評(píng)估平臺(tái)搭配。

1.1 套件內(nèi)容

• 一塊 73S8009R 演示板（版本 1）。
• 相關(guān)文檔，包括 73S8009R 數(shù)據(jù)手冊(cè)和本用戶(hù)手冊(cè)。

1.2 安全與 ESD 注意事項(xiàng)

連接帶電電壓到 73S8009R 演示板系統(tǒng)可能會(huì)導(dǎo)致板上出現(xiàn)潛在危險(xiǎn)電壓，連接后處理演示板時(shí)需格外小心。同時(shí)，該演示板對(duì)靜電放電（ESD）敏感，處理時(shí)要采取相應(yīng)的 ESD 防護(hù)措施。

1.3 推薦工作條件和絕對(duì)最大額定值

超出這些額定值范圍的操作可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成永久性損壞?？ㄒ_的 ESD 測(cè)試是在 HBM 條件下進(jìn)行，每個(gè)極性對(duì)地面進(jìn)行 3 次脈沖測(cè)試。

二、連接

所有數(shù)字信號(hào)和電源連接通過(guò)圖 2 中標(biāo)記為 J2 和 J4 的 10 針插頭連接器完成。

J4 連接器引腳說(shuō)明

J2 連接器引腳說(shuō)明

連接順序如下：

1. 電源供應(yīng)：根據(jù) JP2 的設(shè)置，向 J4 的引腳 10 施加 3.3 V 或向 J2 的引腳 9 和 10 施加 5 V。
2. 按下 ON/OFF 按鈕。
3. 通過(guò) J2 和 J4 連接設(shè)備的控制信號(hào)。
4. 施加時(shí)鐘信號(hào)。

三、跳線(xiàn)、開(kāi)關(guān)和測(cè)試點(diǎn)

四、設(shè)計(jì)考慮因素

4.1 通用布局規(guī)則

• 信號(hào)布線(xiàn)：將 I/O 和輔助信號(hào)與卡接口信號(hào)分開(kāi)布線(xiàn)。
• 時(shí)鐘信號(hào)：保持 CLK 走線(xiàn)盡可能短，彎曲最少。如果可能，將 CLK 走線(xiàn)限制在一層（避免過(guò)孔到其他層），并遠(yuǎn)離其他走線(xiàn)，特別是 RST、I/O 和 VCC。允許對(duì) CLK 走線(xiàn)進(jìn)行濾波以減少噪聲，在智能卡連接器的 CLK 引腳處允許接地電容最大為 30 pF。零 Ω 串聯(lián)電阻（R7）可以用一個(gè)小電阻（不超過(guò) 100 Ω）代替以進(jìn)行額外濾波。
• 電源信號(hào)：保持 VCC 走線(xiàn)盡可能短，走線(xiàn)厚度至少為 0.5 mm，并遠(yuǎn)離其他走線(xiàn)，特別是 RST 和 CLK。
• 復(fù)位信號(hào)：保持 RST 走線(xiàn)遠(yuǎn)離 VCC 和 CLK 走線(xiàn)，允許接地電容最大為 30 pF 進(jìn)行濾波。
• 電容放置：在設(shè)備的 VDD 引腳附近放置 0.1 μF 電容并直接接地；在設(shè)備的 VPC 引腳附近放置 0.1 μF 和 10 μF 電容并直接接地；在智能卡連接器的 VCC 引腳附近放置 3.3 μF（NDS 應(yīng)用為 1.0 μF）電容并直接接地。

4.2 符合 EMV 標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)化

演示板的默認(rèn)配置在智能連接器的 CLK 引腳和 RST 引腳分別連接了 27 pF 電容（C12 和 C13），用于在長(zhǎng)走線(xiàn)或測(cè)試設(shè)備干擾的情況下對(duì) CLK 和 RST 信號(hào)進(jìn)行濾波。CLK 上的電容可減少走線(xiàn)的振鈴，降低與其他走線(xiàn)的耦合，并減慢 CLK 信號(hào)的邊沿；RST 上的電容有助于在嘈雜環(huán)境中滿(mǎn)足干擾規(guī)范。這些濾波電容在 EMV 測(cè)試環(huán)境中很有用，且對(duì) NDS 測(cè)試沒(méi)有影響。C12 和 C13 在原理圖和物料清單中都有體現(xiàn)，它們是智能卡線(xiàn)路 CLK 和 RST 上的可選濾波電容，可根據(jù)具體應(yīng)用（PCB、卡時(shí)鐘頻率、符合適用標(biāo)準(zhǔn)等）調(diào)整（值不超過(guò) 30 pF）或移除，以?xún)?yōu)化性能。默認(rèn)的 3.3 μF VCC 電容是滿(mǎn)足 EMV2000 版本 4.0 中動(dòng)態(tài) VCC（智能卡電源）瞬態(tài)電流要求所必需的。

五、73S8009R 演示板原理圖、PCB 布局和物料清單

5.1 原理圖

包含 73S8009R 電氣原理圖（圖 4）。

5.2 73S8009R PCB 布局

展示了演示板的頂視圖、底視圖、頂層信號(hào)層、中間層 1（接地平面）、中間層 2（電源平面）和底層信號(hào)層的布局圖（圖 5 - 10）。

5.3 73S8009R 演示板物料清單

注：原理圖中標(biāo)記為 Ru 和 Rd 的電阻未安裝在板上，可根據(jù)需要實(shí)現(xiàn)以調(diào)整智能卡讀卡器的功能。

六、訂購(gòu)信息

73S8009R 28 引腳 SO 演示板的訂購(gòu)編號(hào)為 73S8009R - DB。

七、聯(lián)系信息

如需了解 Teridian Semiconductor 產(chǎn)品的更多信息或查詢(xún) 73S8009R 的可用性，請(qǐng)聯(lián)系： 地址：6440 Oak Canyon Road, Suite 100, Irvine, CA 92618 - 5201 電話(huà)：(714) 508 - 8800 傳真：(714) 508 - 8878 郵箱：scr.support@teridian.com 如需全球銷(xiāo)售辦事處的完整列表，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) http://www.teridian.com。

在使用 73S8009R 演示板進(jìn)行智能卡接口評(píng)估時(shí)，我們需要嚴(yán)格遵循上述的使用說(shuō)明和設(shè)計(jì)規(guī)則，以確保評(píng)估的準(zhǔn)確性和設(shè)備的穩(wěn)定性。大家在實(shí)際操作過(guò)程中有沒(méi)有遇到過(guò)一些特別的問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。