SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個(gè)月。SK海力士由此實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過3600億個(gè)閃存單元，每一個(gè)可存儲3個(gè)比特位，為此SK海力士應(yīng)用了一系列創(chuàng)新技術(shù)，比如超同類垂直蝕刻技術(shù)、高可靠性多層薄膜單元成型技術(shù)、超快低功耗電路技術(shù)，等等。

同時(shí)，新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128MB)，是業(yè)內(nèi)存儲密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產(chǎn)的比特容量也比96層堆疊增加了40％。

雖然包括SK海力士在內(nèi)多家廠商都研發(fā)出了1Tb QLC閃存，但這是TLC閃存第一次達(dá)到單顆1Tb。TLC目前占閃存市場規(guī)模的超過85％，可靠性和壽命都優(yōu)于QLC，當(dāng)然被其取代也是早晚的事兒。

其他規(guī)格方面，新閃存可以在1.2V電壓下實(shí)現(xiàn)1400Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率，可用于高性能、低功耗的手機(jī)存儲、企業(yè)級SSD。

SK海力士的4D NAND閃存技術(shù)是去年10月份官宣的，所謂4D是指單芯片四層架構(gòu)設(shè)計(jì)，結(jié)合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設(shè)計(jì)、PUC(Peri. Under Cell)技術(shù)，后者是指制造閃存時(shí)先形成外圍區(qū)域再堆疊晶胞，有助于縮小芯片面積。

利用這種架構(gòu)設(shè)計(jì)，SK海力士在從96層堆疊到128層堆疊時(shí)，雖然層數(shù)增加了三分之一，但是制造工藝步驟減少了5％，整體投資也比之前減少了60％。

SK海力士將在今年下半年批量出貨128層1Tb 4D閃存，并開始一系列相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)：

明年上半年開發(fā)下一代UFS 3.1存儲，將1TB大容量手機(jī)所需的閃存芯片數(shù)量減半，同時(shí)封裝厚度控制在1毫米左右，功耗降低20％。

明年上半年量產(chǎn)2TB消費(fèi)級SSD，自研主控和軟件。

明年發(fā)布16TB、32TB NVMe企業(yè)級SSD。

SK海力士還透露，正在研發(fā)176層堆疊的下一代4D NAND閃存。