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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 存儲(chǔ)技術(shù) > 新品快訊

存儲(chǔ)技術(shù)

Spansion通過(guò)推出行業(yè)內(nèi)最高性能的1.8V串行NOR閃...

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司今天推出高性能1.8V NOR閃存:Spansion? FS-S 閃存產(chǎn)品家族,進(jìn)一步豐富了其高速串行NOR閃存產(chǎn)品線。

2013-12-31 標(biāo)簽:NOR閃存Spansion 1835

Spansion為多圖像應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能的雙四路串行閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)今天宣布推出一個(gè)新的串行外設(shè)接口(SPI)閃存產(chǎn)品家族。

2013-12-31 標(biāo)簽:閃存Spansion 1126

西數(shù)推出個(gè)人云儲(chǔ)存系統(tǒng) 容量高達(dá)16TB

西數(shù)公司13日宣布推出一款新的個(gè)人云存儲(chǔ)設(shè)備,命名為My Cloud EX4。這款設(shè)備應(yīng)用了高性能的四車(chē)位槽軌網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ),定位于職業(yè)人士和工作組用戶,當(dāng)然也適用于任何需要備份和管理龐大數(shù)據(jù)的家庭或辦公用戶。

2013-11-16 標(biāo)簽:USB 3.0云存儲(chǔ) 1826

LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲(chǔ)器 用于其業(yè)界...

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲(chǔ)器的12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器(HBA)中,選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。nvSRAM為SAS HBA帶來(lái)高速度、低電壓、無(wú)故障的存儲(chǔ)器,提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個(gè)原因是它可工作在不同的電壓下,而且廣受媒體好評(píng)。

2013-09-10 標(biāo)簽:賽普拉斯LSISAS 1821

美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5”SATA SL...

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)發(fā)布全球唯一的安全性0.5 TB (half-terabyte) 固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(solid state drive, SSD)產(chǎn)品,用于移動(dòng)視頻監(jiān)控運(yùn)作、存儲(chǔ)域網(wǎng)絡(luò)(SAN)和其它需要出色的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)保護(hù)的大容量存儲(chǔ)應(yīng)用。

2013-08-28 標(biāo)簽:SATA美高森美固態(tài)驅(qū)動(dòng)器 1344

希捷推新一代超低功耗企業(yè)級(jí)硬盤(pán)

近日,希捷推出兩款新一代企業(yè)級(jí)硬盤(pán),希捷Terascale擴(kuò)容硬盤(pán)以及希捷第七代企業(yè)級(jí) 10K超能盤(pán),用于優(yōu)化新興的云基礎(chǔ)設(shè)備和大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。希捷Terascale擴(kuò)容硬盤(pán)及第七代企業(yè)級(jí)10K超能盤(pán)以低功耗提供大容量存儲(chǔ),可以高效且經(jīng)濟(jì)地存儲(chǔ)持續(xù)增長(zhǎng)、一般存于云端的非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù),非常適合于云系統(tǒng)構(gòu)建商。

2013-07-15 標(biāo)簽:希捷企業(yè)級(jí)硬盤(pán)Terascale 2163

IMEC開(kāi)發(fā)新型電介質(zhì),推動(dòng)20nm NAND Flash進(jìn)...

比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)(HfAlO/Al2O3/HfAlO)堆迭,這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中,并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。

2013-06-26 標(biāo)簽:NAND Flash20nmIMEC公司 1585

ST最新EEPROM系列保證400萬(wàn)次擦寫(xiě)操作

全球第一大EEPROM供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出最新EEPROM系列產(chǎn)品。新產(chǎn)品保證400萬(wàn)次擦寫(xiě)操作,而競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品只提供100萬(wàn)次擦寫(xiě)操作。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品支持更高的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)更新頻率,延長(zhǎng)系統(tǒng)在高溫條件下的壽命,為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了更大的設(shè)計(jì)自由空間。

2013-06-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體EEPROM 3175

SanDisk發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的19納米SSD

瞄準(zhǔn)超輕薄超極本(Ultrabook)、筆記本電腦及平板裝置終端用戶對(duì)于更高運(yùn)算效能與反應(yīng)速度的SSD需求,SanDisk已率先業(yè)界發(fā)布采用19奈米(nm)NAND Flash制造的固態(tài)硬盤(pán)(SSD ),以迎合消費(fèi)者和個(gè)人電腦(PC)制造商對(duì)于更高運(yùn)算效能及更快反應(yīng)速度的要求。

2013-06-07 標(biāo)簽:NANDSSDSanDisk固態(tài)硬盤(pán) 2064

Innodisk推全球首款“nanoSSD”微型固態(tài)硬盤(pán)

商業(yè)和工業(yè)固態(tài)存儲(chǔ)廠商Innodisk今天宣布,推出全球首款基于SATA μSSD(JEDEC MO-276)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)“nanoSSD”的微型固態(tài)硬盤(pán)。

2013-05-28 標(biāo)簽:固態(tài)硬盤(pán)nanoSSD3ME3SE 2728

浩康科技聯(lián)同Velosti發(fā)表USB3.0高速AES/UCA...

 2013年5月21日,香港, 21-5-2013 - 香港浩康科技(Crypton Tech) 發(fā)布了的USB3.0超高速AES / UCA硬件加密優(yōu)盤(pán)方案。 在高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域,數(shù)據(jù)傳輸速度和保密性是兩個(gè)最重要的考察指標(biāo),該這方案成功完善地滿足了這兩個(gè)指標(biāo)。 該方案采用Velosti USB3.0 控制器 (以32位ARM架構(gòu)為基礎(chǔ) ),內(nèi)置AES /UCA 硬件加密機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了具有保密性好,極難破解的之特點(diǎn),而且速度比一般USB2.0優(yōu)盤(pán)快 10 倍左右。

2013-05-23 標(biāo)簽:USB3.0浩康科技 2280

力旺電子推全新反熔絲架構(gòu)嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)

嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存廠商力旺電子日前宣布,正式推出全新反熔絲架構(gòu)之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)NeoFuse,此技術(shù)瞄準(zhǔn)先進(jìn)工藝平臺(tái),具備硅智財(cái)組件尺寸小與保存能力佳等特點(diǎn),可滿足客戶產(chǎn)品在先進(jìn)工藝產(chǎn)品之進(jìn)階需求。

2013-05-20 標(biāo)簽:反熔絲力旺電子NeoFuseNeoBit 1889

美超微推出基于高容量服務(wù)器存儲(chǔ)方案 支持熱拔插HDD

美超微推出一款基于高容量服務(wù)器全面拓展存儲(chǔ)解決方案。該服務(wù)器支持HDD熱拔插,采用創(chuàng)新型4U解決方案,可使類似容量提升50%,功耗降低60%,提供多達(dá)288TB存儲(chǔ)容量。

2013-05-13 標(biāo)簽:美超微HDD 2050

HOLTEK推出HT24LC256新款大容量串行式EEPRO...

HOLTEK推出新款串行式EEPROM產(chǎn)品 -- HT24LC256,使用兩線式串行接口,總共有256K位內(nèi)存容量,內(nèi)存架構(gòu)為32768×8位。

2013-04-01 標(biāo)簽:HOLTEKEEPROMHT24LC256 3041

富士通半導(dǎo)體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM...

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,推出兩款新型FRAM產(chǎn)品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲(chǔ)器,是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開(kāi)始提供新品樣片。

2013-03-25 標(biāo)簽:FRAM 1454

世界最快機(jī)械硬盤(pán):1GB緩存、400MB/s寫(xiě)入!

Buffalo最近發(fā)布了HD-GDU3系列外置硬盤(pán),竟然整合了多達(dá)1GB DRAM緩存,寫(xiě)入速度也超過(guò)了驚人的400MB/s。

2013-02-28 標(biāo)簽:硬盤(pán)機(jī)械硬盤(pán) 4855

HOLTEK推出HT24LC02A極具成本競(jìng)爭(zhēng)力2K串行式E...

Holtek推出新款串行式EEPROM產(chǎn)品 -- HT24LC02A,它和HT24LC02產(chǎn)品最大差異有:1.無(wú)Address input -- A0/A1/A2三個(gè)Pad,成本更有競(jìng)爭(zhēng)力。2.只有HT24LC02A提供SOT23-5封裝,且和業(yè)界完全兼容,可快速導(dǎo)入市場(chǎng)。

2013-02-28 標(biāo)簽:HOLTEKEEPROMHT24LC02A 2979

英特爾推出最新DC S3700系列企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)

英特爾推出了最新的DC S3700系列企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán),其使用壽命接近200年,容量高達(dá)800GB。該產(chǎn)品可以有效地提升Xeon E5系列多核處理器的性能,保障多核處理器保持更為活躍的狀態(tài),為并行多線程計(jì)算帶來(lái)更高的存儲(chǔ)吞吐量,進(jìn)而減少響應(yīng)時(shí)間,使用戶獲得更順暢的計(jì)算體驗(yàn)。

2013-02-28 標(biāo)簽:英特爾云計(jì)算固態(tài)硬盤(pán)大數(shù)據(jù)高性能計(jì)算 3672

東芝開(kāi)發(fā)出能省電最多85%的行動(dòng)產(chǎn)品RAM

Toshiba 公布他們已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一款低耗電量的行動(dòng)裝置 RAM 原型晶片裝置被使用時(shí)能省電 27%,而待命時(shí)則省電 85%

2013-02-25 標(biāo)簽:東芝RAM 842

無(wú)線硬盤(pán)都爆弱了:希捷推出支持iOS設(shè)備直接讀寫(xiě)的移動(dòng)硬盤(pán)

希捷推出了Wireless Plus HDD(亞馬遜售價(jià)199.99美元),一個(gè)外部硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)置兼容的移動(dòng)硬盤(pán),同時(shí)提供充電電源支持。

2013-02-02 標(biāo)簽:移動(dòng)硬盤(pán)希捷無(wú)線硬盤(pán)直接讀寫(xiě) 3871

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