存儲技術(shù)
江波龍Mini SDP首次突破行業(yè)想象，主控、緩存和閃存三合...
提到固態(tài)硬盤，大部分人第一反應(yīng)都是一個(gè)四四方方的小盒子，也就是最常見的2.5 inch SSD，其相比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤在重量、體積、噪音、讀寫速度、功耗等方面都有了很大的提升。
X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失...
基于公司成熟的SONOS技術(shù)，新增的Flash和EEPROM為汽車，醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域帶來了許多新的可能性。
Microchip發(fā)布首款包含開源工具包的Adaptec智能...
為市場領(lǐng)先的OpenStack云管理軟件打造的開源工具簡化了存儲資源的配置、部署和管理。
2019-10-15 標(biāo)簽：microchip數(shù)據(jù)中心智能存儲系統(tǒng) 1091
西部數(shù)據(jù)推首款針對工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)的3D NAND技術(shù)解決方...
西部數(shù)據(jù)宣布推出一系列新產(chǎn)品，旨在滿足用戶對于高耐久度存儲解決方案日益增長的需求——尤其是針對工業(yè)、智能和先進(jìn)制造（包括多種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）等需要在嚴(yán)苛環(huán)境中操作的應(yīng)用。
2019-09-20 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)西部數(shù)據(jù)3d nand 1157
XL-Flash正式量產(chǎn)，國科微全新的NVMe SSD正式走...
作為業(yè)界領(lǐng)先的固態(tài)存儲控制芯片及整體解決方案提供商，國科微受邀參會并展示了基于東芝XL-Flash閃存技術(shù)的超低延遲NVMe SSD原型機(jī)。
國科微受邀參加2019全球閃存峰會 推出最新的數(shù)據(jù)中心加速器
業(yè)界固態(tài)存儲控制芯片及整體解決方案提供商，國科微受邀參會并推出了最新的數(shù)據(jù)中心加速器產(chǎn)品，受到廣泛關(guān)注。
2019-08-26 標(biāo)簽：加速器數(shù)據(jù)中心國科微 1395
泛林集團(tuán)晶圓應(yīng)力管理解決方案 幫助客戶提高芯片存儲密度
近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布推出全新解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。
2019-08-19 標(biāo)簽：3d晶圓泛林集團(tuán) 1556
兆芯攜手火星高科 推出多款存儲及服務(wù)器產(chǎn)品
兆芯與火星高科正式簽署ODM戰(zhàn)略合作協(xié)議，通過全方位的合作，雙方致力于開拓服務(wù)器、多節(jié)點(diǎn)云服務(wù)器、存儲陣列、信息安全產(chǎn)品等大數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)和規(guī)模應(yīng)用。
西部數(shù)據(jù)為其數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)推出2款全新Ultrastar存儲服...
西部數(shù)據(jù)Ultrastar Serv24-4N四節(jié)點(diǎn) NVMeTM全閃存平臺和Ultrastar Serv24+6混合平臺面向價(jià)格敏感的數(shù)據(jù)中心和邊緣環(huán)境，在性能、密度和可擴(kuò)展性方面帶來計(jì)算新高度
2019-08-16 標(biāo)簽：西部數(shù)據(jù)Ultrastar存儲服務(wù)器 1277
Microchip推可顯著降低功耗的模擬存儲器技術(shù)——Sup...
隨著人工智能（AI）處理從云端轉(zhuǎn)移至網(wǎng)絡(luò)邊緣，電池供電的深度嵌入式設(shè)備在執(zhí)行AI任務(wù)（如計(jì)算機(jī)視覺和語音識別）時(shí)正面臨挑戰(zhàn)。
2019-08-16 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)microchipAI存儲器技術(shù) 1700
西部數(shù)據(jù)公司推出兩款NVMeTM SSD新系列產(chǎn)品
基于長久夯實(shí)的、垂直集成的內(nèi)部架構(gòu)和96L 3D TLC NAND，新型Ultrastar? NVMe? SSD由此構(gòu)建而成，為性能和效率設(shè)立了新的標(biāo)桿，也為下一代定制化應(yīng)用基礎(chǔ)架構(gòu)奠定了基礎(chǔ)。
2019-08-12 標(biāo)簽：NANDSSD數(shù)據(jù)中心西部數(shù)據(jù) 2149
Microchip進(jìn)軍存儲器基礎(chǔ)設(shè)施市場 推業(yè)界首款商用串行...
SMC 1000 8 x 25G支持下一代CPU和SoC所需的高存儲器帶寬，用于人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)。
富士通業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM將量產(chǎn)
富士通推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）合作開發(fā)。
英韌科技切入SSD控制器市場 推出4款NVMe SSD控制器
由于閃存的特性，現(xiàn)在越來越多用戶在購買電腦時(shí)會優(yōu)先考慮配備SSD。而且現(xiàn)在SSD相關(guān)的廠商也越來越多。現(xiàn)在一家名為英韌科技的廠商進(jìn)入SSD控制器市場，而且一下就帶來了4款產(chǎn)品，分別面向消費(fèi)級和高端數(shù)據(jù)中心、企業(yè)市場。
十銓推出水冷M.2規(guī)格固態(tài)硬盤 讀寫速度可達(dá)每秒3400/3...
在配置上，這款SSD使用了TLC的閃存顆粒，一共提供三種容量版本，分別為256GB/512GB/1TB。支持NVMe 1.3版標(biāo)準(zhǔn)，不過搭配了獨(dú)立的DRAM作為緩存，并且開啟了SLC Cache，所以在性能表現(xiàn)上會處于一個(gè)不錯(cuò)的水平，最大的1TB版本的讀寫速度可以達(dá)到每秒3400/3000MB，隨機(jī)讀寫最高達(dá)450K/400K IOPS。借助于水冷散熱馬甲，就算是長時(shí)間高負(fù)載工作，其溫度也可以得到很好的控制。
西部數(shù)據(jù)推出高速、高密度和高靈活性的IntelliFlash...
IntelliFlash系列產(chǎn)品和OS 3.10升級功能，為業(yè)界領(lǐng)先的高性能NVMeTM全閃存陣列提供了卓越的性能，可簡化混合云環(huán)境中的關(guān)鍵任務(wù)工作負(fù)載
2019-07-18 標(biāo)簽：西部數(shù)據(jù)nvme全閃存 1590
具有3200 MHz原生速率的DDR4內(nèi)存模塊將于7月7日推...
日本著名存儲設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。
華為云存儲推出全新一代極速IO云硬盤
華為在成都發(fā)布云存儲All-Flash戰(zhàn)略，并推出戰(zhàn)略落地的首款產(chǎn)品——全新一代極速IO云硬盤，標(biāo)志著華為云存儲正式從毫秒進(jìn)入微秒時(shí)代。
Microchip面向下一代數(shù)據(jù)中心應(yīng)用推出四款全新20路微...
20路輸出PCIe時(shí)鐘緩沖器是下一代服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、存儲設(shè)備及其他PCIe應(yīng)用的理想選擇。
2019-07-01 標(biāo)簽：時(shí)鐘緩沖器microchipPCIe 1561
美超微推出業(yè)界首個(gè)支持EDSFF的存儲系統(tǒng)
EDSFF是為存儲而優(yōu)化的第一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全閃存NVMe規(guī)范，以更高的密度、更好的可管理性和最佳的熱效率將NVMe推向更高水平。
2019-06-27 標(biāo)簽：互聯(lián)網(wǎng)存儲系統(tǒng)美超微 1246
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